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41.
关于康托集类光栅的实验探究 总被引:1,自引:1,他引:0
设计制作了康托集分形衍射光栅,通过对康托集分形光栅3个阶段的夫琅禾费衍射现象的观察,根据惠更斯-菲涅耳原理,得到了一维康托集分形光栅的夫琅禾费衍射光强分布特性. 相似文献
42.
运用群论及原子分子反应静力学方法,推导了XY(H,Li,Na)分子基态的电子态及相应的离解极限.并采用密度泛函方法(B3LYP)和二次组态相互作用方法(QCISD)优化计算了XY(H,Li,Na)分子基态的平衡结构、振动频率和离解能.使用QCISD/6-311++G(3df,3pd)方法,对XY(H,Li,Na)分子基态进行了单点能扫描计算,采用最小二乘法拟合Murrell-Sorbie函数得到了相应的势能函数和与该基态相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωexe),计算结果与实验数据符合得相当好. 相似文献
43.
基于密度泛函理论(DFT),用完全势能线性缀加平面波方法(FPLAPW)计算模拟了MnO2的同质多相变体(金红石型结构、CaCl2型结构、黄铁矿型结构),通过计算,预测了β-MnO2在5 GPa时从金红石型结构转变为CaCl2型结构,在20 GPa时进一步转变为黄铁矿型结构。另外,还总结和比较了几种金红石型结构二氧化物的压致相变特点,得出第Ⅳ主族元素的金红石型结构氧化物有很好的规律性,发生的相变序列基本一致;并随着金属阳离子半径的增大,发生相变的压力值也相应地递减,各氧化物的体积模量值相应地减小。 相似文献
44.
45.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV. 相似文献
46.
基于FPGA并行处理的实时图像相关速度计 总被引:3,自引:1,他引:2
研究制作了一种采用高速线阵CCD的实时相关速度计,其测量数据的输出速率可达每秒一万次。针对以往光学相关测速方法的问题进行了讨论,探讨了适合FPGA并行处理的算法,制作了高速线阵CCD摄像机及其处理装置。通过实验验证了系统的可行性和可实现性。 相似文献
47.
48.
烷基硫酸盐表面张力的量子化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用AMl量子化学计算法优化了十三烷基硫酸根阴离子和——CH3在不同取代位的十二烷基硫酸根阴离子的几何构型,得到最优构型时最高占据分子轨道能级EHOMO、最低空轨道能级ELUMO、电子能量Eele和偶极矩μ等数据.将这些电子结构数据分别与表面张力相拟合,得到很好的相关性。文中讨论了——CH3在不同位置取代对表面张力的影响。 相似文献
49.
曾六川 《数学年刊A辑(中文版)》2002,(6)
设X是p一致凸Banach空间,具有弱一致正规结构与非严格的Opial性质.又设C是X的非空凸弱紧子集.在适当的条件下,证明了C上每个渐近正则半群T={T(t):t∈S}都有不动点进一步,在类似的条件下,也讨论了一致凸Banach空间中渐近正则半群的不动点的存在性. 相似文献
50.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献