关于不等式约束的信赖域算法

对于具有不等式约束的非线性优化问题，本文给出一个依赖域算法，由于算法中依赖区域约束采用向量的∞范数约束的形式，从而使子问题变二次规划，同时使算法变得更实用。在通常假设条件下，证明了算法的整体收敛性和超线性收敛性。     

n = 3n1情形的乘子猜想的解决

完善了1992年以来提出的研究乘子猜想的特征标方法, 从而对n = 3n₁情形的乘子猜想取得了较大的进展. 概略地说, 证明了：在n = 3I>n₁的情形, 用( n₁ ,λ) = 1代替 I>n₁>λ, 第二乘子定理仍然成立. 进而证明了：在n = 3p_r的情形, 把p>λ的条件去掉, 第一乘子定理仍然成立. 即, 设D是abel群G的一个(v,k,λ)-差集, n = 3p_r , p是素数, 且(p, v)=1, 则p是D的数值乘子.     

采用腔内设置限孔光阑抑制倒向波的理论分析

 氧碘化学激光器通常采用的环形腔存在着倒向波，它对正向波的输出功率以及光束质量不利，因此必须进行抑制。以对称环形共焦非稳腔为例，介绍了在腔内放置限孔光阑，通过改变倒向波与正向波经过增益介质部分的模体积比，从而抑制倒向波的方法。计算结果表明，这种方法对于负支腔倒向波的抑制效果要远远好于正支腔。     

多分类SVDD混叠域识别的模拟电路故障诊断

针对多分类支持向量域数据描述(SVDD)方法中混叠样本诊断精度差的问题,提出了一种带异类样本的多分类SVDD算法。该方法在普通SVDD超球模型基础上,对于存在混叠区域的类别,以该类所有样本为目标类,其他类与之混叠的样本为异类,利用带异类样本的SVDD算法重新训练,直至所有超球优化完毕。仿真实验验证了本文算法消除混叠和提高精度的能力,并将该算法应用于模拟电路故障诊断中。相较与SVDD多分类算法、一对一和一对多SVM算法,本文方法在模拟电路故障诊断中具有更高的诊断精度。     

Convex mappings on some Reinhardt domains

In this paper, we consider the following Reinhardt domains. Let M = （M1, M2,..., Mn） ： [0,1] → [0,1]^n be a C2-function and Mj（0） = 0, Mj（1） = 1, Mj″ 〉 0, C1jr^pj-1 〈 Mj′（r） 〈 C2jr^pj-1, r∈ （0, 1）, pj 〉 2, 1 ≤ j ≤ n, 0 〈 C1j 〈 C2j be constants. Define
DM={z=（z1,z2,…,Zn）^T∈C^n：n∑j=1 Mj（｜zj｜）〈1}
Then DM C^n is a convex Reinhardt domain. We give an extension theorem for a normalized biholomorphic convex mapping f ： DM -→ C^n.     

用LOL-π分析展示B3N3六元环的离域π电子和芳香性——推荐一个普适性的计算化学实验

B₃N₃独特的六元环结构是研究非苯芳香性的理想模板。本实验在B3LYP-D3(BJ)/def2-TZVP水平上优化了B₃N₃六元环结构并进行频率验证,用Multiwfn3.7(dev)绘制了其LOL-π填色图,完美展示了六元环的离域π电子分布和非苯芳香性特征。实验普适性和可操作性强,安全性高,易于推广。     

时空域双边滤波背景抑制算法研究

红外图像中的强边缘一直是制约红外弱小目标检测概率的重要因素,同时是产生目标虚警的重要来源。采用能够同时利用邻域空间欧式距离和灰度值相似性的双边滤波,并针对天基红外系统中帧间背景缓慢变化的特点,设计一种基于时空域的双边滤波法,实验验证该方法对复杂背景的强边缘具有很好地抑制效果,信杂比增益大于3.6,同时能够很好地保留目标能量,目标能量损失因子D factor小于0.2,有效地提高目标的局域信杂比。     

硅V型槽表面形貌的OCT可视化测量

介绍了一种硅V型槽表面形貌测量的可视化方法,分析了谱域OCT的测量原理。利用谱域OCT实验测量系统进行了硅V型槽的成像实验,得到了硅V型槽的二维层析图像;通过分析二维层析图像,获取了硅V型槽的结构尺寸,实现了硅V型槽表面形貌的高精度可视化测量。     

圆环形聚焦声场的构建与调控

提出了一种由径向振动模式的圆环形压电换能器晶片组成的圆柱形阵列换能器结构, 依据阵元激励信号的相位调控机理, 推导了圆环形聚焦声场的调控公式, 在三维空间中构建了圆环形聚焦声场, 实现了对其聚焦区域大小、聚焦圆环半径以及轴向位置移动的调控. 理论分析和仿真研究表明, 所提出的圆柱形阵列换能器实现了对圆环形聚焦声场的调控. 为检测超声、功率超声、医学超声等应用领域提供了一种可实现的新型圆环形可调控聚焦声场.     

GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管(VS-LEDs)电流分布均匀性的影响,依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次,通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VSLEDs有源层的电流密度分布,发现螺旋状环形结构电极的环间距越小,电流密度分布越均匀。最后,利用VS-LEDs芯片制备技术实现具有螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。实验结果显示,在350 m A电流驱动下,电极环间距为146.25μm的芯片具有最大的功能转换效率,达到26.8%。