18-冠醚-6包结钾离子的毛细管电泳研究

采用毛细管区带电泳前沿分析和峰漂移分析两种方法，以咪唑—醋酸为缓冲溶液，利用间接紫外检测(A=240nm)，测定了18—冠醚—6对钾离子的包结常数；两种方法得到了比较一致的结果；进一步对这两种方法求解结合常数进行了对比和讨论，总结出各自的适用范围。     

压电DNA传感器检测模式对频率漂移的影响

利用分子自组装技术将DNA探针固定在石英金膜表面与生物素标记的靶DNA杂交,再结合经40 nm胶体金标记的亲核素,放大检测频率以提高检测灵敏度。靶DNA质量经胶体金放大后,QCM的频率降达到了86 Hz,其检出限可达10 fmol/L。在其检测过程中,分别考察了裸DNA晶片直接检测和晶片组装在底座中检测两种模式。前者由于杂交液扩散和溶液挥发,易造成频率检测不稳定和失真,后者由于避免了溶液扩散和挥发,能有效提高频率检测的稳定性和准确度。     

HL-2A装置边缘静电湍流谱特征研究

利用具有极向和径向结构的三探针在HL-2A装置等离子体边缘最后闭合磁分界面以内5cm左右，对静电湍流的谱特征进行了实验研究。空间二级关联分析指出，静电湍流主要是由具有低频和长波长的波胞组成，波胞以内都是相关结构；波在极向的传播主要是沿电子逆磁漂移方向，偶尔也会由于多谱勒频移造成在离子逆磁漂移方向的频率分量。静电波在径向向外传播，其速度的大小与极向相速度相当，这个特征意味着径向模对横越磁场的输运有重要的影响。     

随机延迟微分方程的Milstein方法的非线性均方稳定性

本文针对一般的非线性随机延迟微分方程,证明了当系统理论解满足均方稳定性条件时,则当方程的漂移和扩散项满足一定的条件时,Milstein方法也是均方稳定的.数学实验进一步验证了我们的结论.     

基于修正大气谱的湍流相位屏高精度生成方法

为了更准确地反映湍流的实际特征,在光波的大气传输模拟中应采用修正大气折射率谱模型.本文针对该谱模型提出了一种高精度湍流相位屏生成方法.通过改变模型在低频区的采样设置,实现了基于修正大气谱的湍流相位屏高精度生成.通过与原始FFT法、次谐波法以及改进前的优化方法相比发现,本文提出的改进后的优化方法能将相位屏低频区域的最大相对误差从改进前的6.75%减小到1%,作为比较,原始FFT法在低频区的最大相对误差为22.99%,次谐波法为16.81%.利用该方法所生成的相位屏对高斯光束在湍流中的传输进行了模拟并对光束扩展和光束漂移等二阶统计特性进行了估计.结果表明,在弱扰动条件下,模拟结果和理论预测的结果是一致的;在强扰动条件下,随着距离的增加,模拟结果与理论结果偏差越来越大,其中光束扩展与理论预测的偏差最大可达6cm,而光束漂移可达1cm,这是由于理论模型无法预测漂移饱和现象而导致的.在与Von-Karman谱的模拟结果比较时发现,修正大气谱估计的光束扩展大于Von-Karman谱的估计且在光束漂移的预测中比Von-Karman谱更快的达到饱和,这正是修正大气谱高波数处存在"凸起"的结果.本文提出的方法生成的相位屏能够有效的表征实际大气的折射率扰动特性.     

软X射线荧光吸收谱测试方法的建立与应用

提出了一种软X射线荧光吸收谱测试方法。该方法克服了软X射线荧光产率低的问题,消除了荧光自吸收效应,采用部分荧光产额模式获得了材料的软X射线近边吸收结构。使用部分荧光产额模式对钙钛矿太阳能电池的埋藏元素、催化剂的低浓度元素,以及宽禁带半导体进行软X射线近边吸收谱研究。相比全电子产额模式,基于荧光产额模式的软X射线近边吸收结构在材料体相特性、不良导体和低浓度样品测试中更具优势。     

光纤及双光纤扰模器远/近场扰模性能的模拟分析

在高精度视向速度测量系统中,圆形光纤逐渐被多边形光纤替代,结合多边形光纤、透镜和圆形光纤的扰模方案也被陆续提出。通过光线追迹的方法,对圆形、八边形截面的两种光纤以及基于这两种光纤的双光纤扰模器的扰模性能进行了模拟分析。模拟结果表明:虽然圆形光纤有较好的远、近场角向扰模,但是径向扰模效果不佳;八边形光纤的近场径向和角向扰模性能均较优,但远场扰模与圆形光纤没有明显差异;双光纤扰模器能有效提高光纤扰模性能,而使用了八边形光纤的双光纤扰模器的远、近场扰模性能均较优。     

The conductive mechanisms of a titanium oxide memristor with dopant drift and a tunnel barrier

Nano-scale titanium oxide memristors exhibit complex conductive characteristics, which have already been proved by existing research. One possible reason for this is that more than one mechanism exists, and together they codetermine the conductive behaviors of the memristor. In this paper, we first analyze the theoretical base and conductive process of a memristor, and then propose a compatible circuit model to discuss and simulate the coexistence of the dopant drift and tunnel barrier-based mechanisms. Simulation results are given and compared with the published experimental data to prove the possibility of the coexistence. This work provides a practical model and some suggestions for studying the conductive mechanisms of memristors.