Growth of NaBi（WO4）2 Dendrite and Mechanism

The solid-liquid interface motion of NaBi（WO4）2 （NBWO） melt crystal growth is observed in an in situ system, in which the whole processes of interface transition from fiat interface and cellular to dendrite are visualized. The spacing of the dendrite under smaller temperature gradient turns out to be larger than that under larger temperature gradient, which is found to be sensitive to the temperature distribution. The mechanism of dendrite growth of NBWO is studied based on the model of the growth units of anion coordination polyhedra. The { 001} face has two apex links, so it shows higher stability and has high growth rate and forms the arm of dendrite, whereas the {010} face has only one apex link, and thus shows relative slower growth rate and firstly forms the branches.     

聚己二酸单(2-羧苯酚)酯的合成和表征

以己二酸酐和邻羟基苯甲酸为原料，制备了己二酸单（2-羧苯酚）酯，并以它为单体聚合得到了相应的聚酯酸酐．研究了温度、真空度对聚合物分子量的影响，得到了最佳的聚合条件：真空度66．66Pa，聚合温度200℃．在此条件下聚合2．5h，得到的聚己二酸单（2-羧苯酚）酯重均分子量达6498．另外，还对聚合物在不同pH值条件下的体外降解行为进行了研究．     

关于Lipschitz域上反射Brown运动的游程

本文具体刻画有界Lipschitz域上的反射Brown运动跨过某给定时刻t的离开Martin边界的游程.在此基础上,给出Lipschitz域上的反射Brown运动的边界过程的Levy系统.     

镍-酸性铬兰K络合物吸附波

用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理，发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8．67)，络合物在-316mV处有一吸附还原峰，其峰电流与镍浓度在0．001～0．010μ/mL范围内呈现良好的线性关系，其最低检出浓度为0．0005μg／mL。     

新型混合脂质体的制备及其与药物的分子识别研究

设计、合成了含核酸碱基的双亲化合物N6-十四酰基-9-辛基腺嘌呤三甲基溴化铵;用目标化合物和卵磷脂制备混合脂质体受体。分别研究了受体与巴比妥酸、核黄素药物在混合脂质体亲脂区通过互补氢键进行的分子识别。紫外可见光谱研究表明,底物巴比妥酸在258nm的吸收峰,核黄素在222nm,264nm的吸收峰随时间的延长而逐渐降低,这种减色作用归因于脂质体内的巴比妥酸和核黄素在亲脂区分别与双亲化合物上的腺嘌呤形成了氢键。     

Banach空间二阶周期边值问题解的存在性

利用一些比较结果，讨论了Banach空间中二阶周期边值问题解的存在性，获得了若干解的存在性与唯一性结果。     

High Voltage Pulse Power and the Technics for the Capacitor Power-Storage Type

Lower hybrid wave （LHW）, electro cyclotron （EC） and neutral beam injection （NBI） etc. are the important methods of auxiliary heating. They would be devoted to the HL-2A tokamak step by step. In order to satisfy the debug of each system and the need of the experiment, the system should be equipped with high voltage pulse power （HVPP） according to the requirement.     

一类φ-强增生型变分包含问题解的存在性与迭代逼近

本文研究Banach空间中一类新的φ-强增生型变分包含问题。在实的自反的光滑Ba-nach空间中,证明了这类变分包含问题解的存在唯一性及其带误差的Ishikawa迭代程序的收敛性。本文结果是张石生教授等人的早期与最近的结果的改进与推广。     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加