有机场效应晶体管和分子电子学研究进展

近几年来,有机场效应晶体管在材料和器件方面都取得了长足的进展,成为分子电子学的一个重要方向。本文从有机半导体材料设计、有机半导体器件的构筑、单分子电子器件和纳米管在电子器件中的应用等方面,简单综述了有机场效应晶体管和分子电子学的最新研究进展。     

结晶性有机半导体异质结器件

今天几乎所有重要的半导体器件的工作原理都与异质结和肖特基结有关,比较完整地理解和运用异质结和肖特基结是通过了长达半个世纪的持续努力.近20年有机异质结构已经被广泛的应用到有机电子器件中,包括有机发光二极管、有机光伏电池和有机场效应晶体管.然而,目前却缺少对有机异质结效应的认识.因此,完整认识有机异质结并运用它来发展有机半导体材料与器件是我们面临的机遇和挑战.本文首先阐述了我们对结晶性有机半导体异质结效应的理解,然后给出了有机异质结在半导体器件中的应用,重点介绍了我们近年来在运用有机异质结发展高功能电子器件方面的探索工作和初步认识.有机异质结在高性能场效应晶体管、改善金属有机接触和叠层器件中连接单元等方面均有所应用.有机异质结具有丰富的类型,充分利用有机异质结的特征,将为发展适合有机半导体材料、新功能器件和高级功能器件提供了新的视角和途径.     

基于改进的禁忌搜索算法的机场场面优化研究

对跑道和滑行道进行联合优化有助于提高机场现有的硬件与软件资源的使用率,缓解航班延误.首先综合考虑滑行的相关规定以及跑道放行间隔的约束,以所有航空器滑行时间最小为目标函数,构建基于机场基本元素布局的场面滑行道与跑道联合优化模型;其次针对遗传禁忌搜索算法的特点和场面运行实际情况改进了遗传禁忌搜索算法,并以此求解该优化模型;最后以南京禄口国际机场为例,将改进的遗传禁忌搜索算法所得最优解与实际运行数据进行比较验证模型的优化性.     

B值随机场的收敛性与B空间的型

讨论了多指标Ｂ值随机变量族｛Ｘｎ，ｎ∈Ｎｄ｝在ｌｉｍｘ→∞ｘｐｓｕｐｎ∈Ｎｄ｜ｎ｜－１∑ｋ≤ｎＰ（‖Ｘｋ‖≥ｘ）＝０等条件下的收敛性．当０＜ｐ＜１时，得到了任意随机变量族的弱收敛性及收敛速度的一般结果；当１＜ｐ＜２时，揭示了零均值独立随机变量族的弱收敛性、收敛速度与Ｂａｎａｃｈ空间几何性质的关系．     

月度事件

商务部《秋季报告》：明年外贸形势进一步恶化；三年5000亿机场建设投资加速；首放证券掌门人被罚终身禁入；太子奶股权被外资股东接手董事长李途纯黯然退出；黄光裕涉嫌“操纵股市”被刑拘。     

基于二维真实隐马氏模型的手写体文字识别算法

近几年来，人们采用各种方法试图将1D隐马氏模型(HMM)^[2]推广到2D隐马氏模型。令人失望的是由于在建立合适的2D模型及其计算上的复杂度问题上存在困难，前面的尝试都没有得到一个真实的2DHMM．本文对于应用真实2D隐马氏模型(隐马氏网格随机场HMMRF)^[1,4]进行手写字符识别问题提出新的框架，针对文献[1]中的单点最优算法给出局部最优的译码算法。HMMRF模型是1D隐马氏模型到2D的扩展，能更好的描述字符的2D特性。HMMRF在字符识别中的应用具有两个相——学习相和译码相。在学习相和译码相中我们的最优标准是基于极大边缘后验概率的。不过，在涉及到2D模型中的计算问题时，对模型做出某些简单化的假设是必要的。本文用到的方法对于在合理的模型假设下解决手写字符识别问题呈现了很大的潜力。     

不同分布ρ--混合随机场的完全收敛性

讨论了不同分布ρ^--混合随机场的部分和的完全收敛性，建立了一个定理，此结果的获得推广了ρ^*-混合随机场和NA序列的相应的结果．     

随机场熵率的计算和上界估计

提出了用信息论方法计算随机场熵率和估计其上界的新途径,并用此方法计算了若干实例．     

B值随机场的收敛速度

研究了B值多指标独立随机变量簇的收敛速度,并讨论了它们与Banach空间型的依赖关系。     

Significant improvement of OLED efficiency and stability by doping both HTL and ETL with different dopant in heterojunction of polymer/small-molecules

This paper reports that the polymer/organic heterojunction doped light-emitting diodes using a novel poly-TPD as hole transport material and doping both hole transport layer and emitter layer with the highly fluorescent rubrene and DCJTB has been successfully fabricated. The basic structure of the heterostructure is PTPD/Alq₃. When hole transport layer and electron transport layer are doped simultaneously with different dopant, the electroluminescence quantum efficiencies are about 3 times greater than that of the undoped device. Compared with undoped device and conventional TPD/Alq₃ diode, the stability of the doping device is significantly improved. The process of emission for doped device may include carrier trapping as well as F\"{o}rster energy transfer.