GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy

InAs/GaSb superlattice （SL） short wavelength infrared photoconduction detectors are grown by molecular beam epitaxy on GaAs（O01） semi-insulating substrates. An interfacal misfit mode AISb quantum dot layer and a thick GaSb layer are grown as buffer layers. The detectors containing a 200-period 2 ML/S ML InAs/GaSb SL active layer are fabricated with a pixel area of 800×800 μm^2 without using passivation or antirefleetion coatings. Corresponding to the 50% cutoff wavelengths of 2.05μm at 77K and 2.25 μm at 300 K, the peak detectivities of the detectors are 4 × 10^9 cm·Hz^1/2/W at 77K and 2 × 10^8 cm·Hz1/2/W at 300K, respectively.     

矩阵方程AX=B的转动不变解及其最佳逼近

利用矩阵的广义逆、奇异值分解、张量积和拉直算子,给出了矩阵方程AX=B有转动不变解的充分必要条件及有解时通解的表达式;给出了矩阵方程解集合中与给定矩阵的最佳逼近解的表达式.     

缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As 薄膜结构及电学性能的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_0.82Ga_0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450 ℃。     

工程施工中运输网络优化方案

施工工地运输方案的优化设计可以归结为 :按施工期要求设计运输线路或验证已有线路通行能力 ,计算总线路中影响提高流量的关键路段 ,取得最小费用最大流 .本文运用图论理论这一数学工具把实际问题抽象为有向网络 ,进而建立数学模型 .此方法理论上严密 ,解题步聚直观清晰 ,对水利、公路、水路、铁路等其它运输系统有普遍意义 .     

基于背景最佳滤波尺度的红外图像复杂度评价准则

提出一种基于背景最佳滤波尺度的红外图像复杂度评价准则来解决传统方法评价背景效果较差的问题. 同时, 这种方法还可以为红外图像滤波提供最佳高通滤波尺度信息, 从而对红外图像进行性能最佳滤波. 首先, 生成高斯仿真目标并与红外图像进行融合, 获得包含仿真目标及真实红外背景的图像. 然后, 在不同高斯滤波尺度下对图像滤波, 并计算滤波后仿真目标的信噪比. 最后, 取滤波后目标信噪比最大时的滤波尺度作为背景最佳滤波尺度, 使用该尺度可评价红外图像的复杂度. 另外, 本文还使用数学模型推导了红外图像最佳滤波尺度, 得出最佳滤波尺度的数学表达式. 大量实验表明: 1) 本文推导的最佳滤波尺度数学表达式与实验曲线吻合. 2) 这种方法在评价红外图像复杂度方面比传统的基于信息熵的方法效果要好很多. 并且这种方法获取的红外背景复杂度为滤波最佳尺度, 可以直接利用这项指标对图像进行最佳滤波从而更好地检测弱小目标. 3) 仿真目标尺度越大, 最佳滤波尺度也会相应增大. 因此, 在评价图像复杂度时, 应使用相同尺度的仿真目标, 不同图像之间才具备可比性. 同时, 最佳滤波尺度与仿真目标的强度无关. 4) 本文算法使用的滤波器宜用高斯及Butterworth高通滤波器实现. 5) 本文提出的方法不仅可以有效分析红外视频的复杂度, 并且可以通过复杂度的变化分析图像内容的突变.     

基频HfO2/SiO2高反射薄膜激光损伤生长特性

以1064 nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形貌特征和损伤生长阈值等特性。实验结果表明:分层剥落初始损伤结构的横向尺寸随激光能量密度的增加呈分段线性增长,破斑沿纵向拓展的损伤生长阈值是沿横向拓展的损伤生长阈值的2倍以上,初始损伤结构横向尺寸的生长率与能量密度呈指数关系,且生长阈值随着辐照次数的增加显著降低。     

Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.     

Twin diamond Crystals Grown at High Temperature and High Pressure from the Fe-Ni-C System

Twin diamond crystals grown at high temperature and high pressure (HPHT) in the presence of FeNi catalyst have been examined by transmission electron microscopy(TEM).Direct observation by TEM shows that there are a large amount of twins which lie on the {111} planes in the HPHT-grown diamonds.The twins in the diamond may be formed and may extend into the inner crystal from the twin nucleus formed in the nucleation process.The twins can be formed due to the carbon atoms falling mistakenly into positions where a twin crystal can form during diamond growth,or condensation of supersaturated vacancies on the {111} plane.some hexagonal dislocation loops related to supersaturated vacancies are found on the twins.The Moire fringe image reveals that stacking faults terminate on the intersecting twin boundary.This suggests that,at the temperature that the HPHT diamond is grown,the bordering partial has propagated by gliding up to the twin interface,which can be described by the reaction of a Shockley partial dislocation with a twin on the {111} plane.     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。