托卡马克中局域磁扰动引起的高能量离子损失研究

基于单粒子导心运动代码ORBIT，采用测试粒子模拟方法，研究了托卡马克等离子体内部不同径向位置处局域磁场扰动对高能量离子的损失的影响。研究表明，在局域磁扰动主要分布在某磁面附近、其环向具有类似纹波场形式下，可造成一些靠近等离子体中心区域的高能量离子损失，但对靠近等离子边界的离子损失影响相对不大。这些损失的高能量离子均为捕获离子，离子的投掷角越大就越容易损失。此外，造成高能量离子最大损失率的局域场径向位置与这些损失离子的初始径向位置通常存在一定的偏移，而且这个偏移与这些离子的能量密切相关。当局域场出现在某些位置时，能量较低的离子会有一定的损失，能量较高的离子反而不会损失。     

四通换向阀内制冷剂流动的数值模拟

结合热泵系统冷热工况的差异对四通换向阀进行设计计算,对不同设计工况下的四通换向阀内制冷剂流动进行了数值模拟,分析了制冷制热模式下的传热损失,并通过观察云图分析传热损失的原因。通过对比分析发现,四通换向阀的设计工况取制冷工况时传热损失较小。     

便携式气质联用仪在国内的市场前景

随着各种高科技技术和新材料的开发与应用,众多仪器产品都向着更轻便、速度更快、操作更简单的方向发展。当事故发生、出现不明物质泄漏时,实验室用气质联用仪从采样到报告检测结果,往往需要2~3天,这2~3天所造成的损     

聚3-己基噻吩：非富勒烯太阳能电池中的量子效率损失和电压损失

聚3-己基噻吩(P3HT)以其合成工艺简单、成本低廉的优势,成为有机光伏领域中最具吸引力的电子给体材料之一。然而,目前P3HT: 非富勒烯太阳能电池的光伏性能仍然较差。在本工作中,我们证明了与P3HT: 富勒烯太阳能电池相比,较快的电荷转移态的非辐射衰减速率(K_nr)是导致P3HT: 非富勒烯太阳能电池中较低的量子效率和较高的电压损失的原因。然后,我们研究了基于非富勒烯受体ZY-4Cl的太阳能电池的工作机理。研究结果表明与P3HT: 非富勒烯体系相比,P3HT: ZY-4Cl中K_nr的降低改善了器件的量子效率,同时降低了电压损失。K_nr降低的原因可以部分归因于电荷转移态能量的增加。此外,给体分子和受体分子之间的距离(DA间距)的增大也是K_nr减少的重要原因。因此,我们得出结论：为了提高P3HT太阳能电池的性能,需进一步降低器件的K_nr,这可通过增加活性层中的DA间距来实现。     

平行风风速对腔体复合热损失特性影响的数值模拟

在恒热流边界条件和不同平行风风速下,考虑通过保温层和腔体壁面的导热热损失,采用三维数值模拟方法对一侧全开的圆柱形腔体复合对流和辐射热损失特性进行研究。结果表明:平行风下,腔体内的温度分布和开口面速度分布都与无风时存在很大差异;随着风速的增大,对流热损失平均努塞尔数Nu_c单调递增,而辐射热损失平均努塞尔数Nu_r并不单调递减,且风速越大,变化越不明显;随着腔体倾角的增大,同一风速下Nu_c和Nu_r并不像无风时那样单调变化。     

收入不平等与中国国民福利增长:模型、方法与数据——基于效用主义的一个研究

自改革开放以来,中国的收入不平等日益加剧;然而收入不平等造成的国民福利损失以及收入不平等加剧对国民福利增长的影响却一直未能得到很好的评估,由此导致的注重效率忽视公平的发展模式并不能带来国民福利增长的最大化。本文以效用主义为理论基础,通过构建一个包含基尼系数的国民福利函数,严格证明收入不平等的负福利效应,并进一步给出计算收入不平等的福利损失公式以及收入不平等变化对国民福利增长影响的公式。数据计算表明,1996-2010年我国居民收入不平等的平均福利损失率为8.08%,收入不平等的绝对福利损失增长了1.44倍;而基尼系数增大对国民福利增长的相对影响是(-)8.66%。因此,在发展经济的同时必须致力于缩小收入不平等,兼顾公平与效率,方可实现国民福利增长的最大化。     

PbTiO3/SrTiO3(010)异质界面上的周期性失配位错及电子富集

It is important to determine the effects of misfit dislocations and other defects on the domain structure, ferroelectricity, conductivity, and other physical properties of ferroelectric thin films to understand their ferroelectric and piezoelectric behaviors. Much attention has been given to ferroelectric PbTiO₃/SrTiO₃ or PbZr_0.2Ti_0.8O₃/SrTiO₃ heterointerfaces, at which improper ferroelectricity, a spin-polarized two-dimensional electron gas, and other physical phenomena have been found. However, those heterointerfaces were all (001) planes, and there has been no experimental studies on the growth of (010) PbTiO₃/SrTiO₃ heterointerface due to the 6.4% misfit between two materials. In this study, we selected an atomically flat (010) PbTiO₃/SrTiO₃ heterointerface grown using a two-step hydrothermal method as the research subject, and this is the first experimental report on that interface. Interfacial dislocations can play a significant role in causing dramatic changes in the Curie temperature and polarization distribution near the dislocation cores, especially when the size of a ferroelectric thin film is scaled down to the nanoscale. The results of previous studies on the effects of interfacial dislocations on the physical properties of ferroelectric thin films have been contradictory. Thus, this issue needs to be explored more deeply in the future. This study used aberration corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) to study the atomic structure of a (010) PbTiO₃/SrTiO₃ heterointerface and found periodic misfit dislocations with a Burgers vector of a[001]. The extra planes at the dislocation cores could relieve the misfit strain between the two materials in the [001] direction and thus allowed the growth of such an atomically sharp heterointerface. Moreover, monochromated electron energy-loss spectroscopy with an atomic scale spatial resolution and high energy resolution was used to explore the charge distribution near the periodic misfit dislocation cores. The fine structure of the Ti L edge was quantitatively analyzed by linearly fitting the experimental spectra recorded at various locations near and at the misfit dislocation cores with the Ti³⁺ and Ti⁴⁺ reference spectra. Therefore, the accurate valence change of Ti could be determined, which corresponded to the charge distribution. The probable existence of an aggregation of electrons was found near the a[001] dislocation cores, and the density of the electrons calculated from the valence change was 0.26 electrons per unit cell. Based on an analysis of the fine structure of the oxygen K edge, it could be argued that the electrons aggregating at the dislocation cores came from the oxygen vacancies in the interior regions of the PbTiO₃. This aggregation of electrons will probably increase the electron conductivity along the dislocation line. The physics of two-dimensional charge distributions at oxide interfaces have been intensively studied, however, little attention had been given to the one-dimensional charge distribution. Therefore, the results of this study can stimulate research interest in exploring the influence of the interfacial dislocations on the physics of ferroelectric heterointerfaces.     

矩形平底渠道淹没水跃区的水头损失

研究了矩形平底明渠淹没水跃区的水头损失。根据Rajaratnam对淹没水跃区的流速分布、壁面切应力、最大流速的试验成果和Verhoff附壁射流区断面流速分布的计算公式,应用紊流边界层理论研究了淹没水跃区的边界层发展和沿程水头损失的计算方法。根据动量方程和能量方程研究了淹没水跃区的跃前断面水深、总水头损失、局部水头损失、消能率的计算方法。给出了淹没水跃区最大流速、紊流边界层厚度、沿程水头损失、总水头损失、局部水头损失、局部阻力系数、消能率的计算方法。研究表明:淹没水跃区的总水头损失是跃前断面弗劳德数、跃前水深和淹没度的函数,沿程水头损失和局部水头损失与跃前断面流速、水深、水跃长度、跃前断面的特征雷诺数和消力池宽度有关。淹没水跃区的水头损失主要是局部水头损失,消能率随着弗劳德数的增加而增加。     

存在偏振相关损失条件下偏振模色散的特点

偏振模色散和偏振相关损失的联合作用，会产生不规则的色散现象，这一点不能直接通过琼斯距阵本征分析法的运用进行描述。由此引出了对偏振模色散和偏振相关损失共存条件下的研究。通过对琼斯本征分析法进行修正，来分析存在偏振相关损失条件下偏振模色散的特征距阵，理论分析表明，由于偏振相关损失的影响，即使在忽略差分损耗频率相关性的条件下，偏振模色散的特征距阵也会产生根本性的变化。     

二次喉道扩压器对COIL的影响实验

 氧碘化学激光器分别采用二次喉道扩压器和8°扩压器时，对在不同阀门开度下的气流方向的壁面静压曲线和背压曲线，光轴壁面静压曲线，出口总压与上游压比值曲线，输出功率曲线进行了测量。对两种扩压器的数据进行了对比，结果表明：与8°扩压器相比，二次喉道扩压器能够有效隔离扩压器下游气流对光腔的干扰，显著减小捩区长度，并将转捩区控制在扩压器内。在激光器背压升高时，二次喉道扩压器的稳定性更强。