双阳极磁控注入枪束流特性的研究

 介绍了用于34GHz基波回旋速调管的双阳极磁控注入枪的结构特点，为了准确分析磁控注入枪的束流特性，建立了阴极表面理论模型，用新编制的程序模拟了电子轨迹。模拟和测量结果显示磁场对磁控注入枪的束流有影响，磁控注入枪的束流也与阴极温度和空间电荷效应有关系。     

利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压

 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器（HEMG）驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关（EEOS）产生脉冲高电压实验中，获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。     

超短脉冲贝塞尔光束的非近轴效应对传输的影响

 对超短脉冲贝塞尔光束在近轴近似和非近轴情况下自由空间中的传输作了研究。结果表明，其空间波形在传输中保持贝塞尔形状不变，不受非近轴效应影响；然而当空间参数较大时，非近轴效应影响超短脉冲贝塞尔光束的时间波形。     

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

 对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量，对从1s到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明，在1s到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成，而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2，明显偏离普通温度分布预言的趋势。     

静电加速管中强流空间电荷效应的研究

 对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的加速管中的空间电荷效应作了5点假设，建立了物理模型。对模型的束内外径向电位分布、空间电荷对轴上电位的影响，以及空间电荷力对束流传输的影响等进行了理论分析，得到了束内径向电位分布。结果表明：束流内部径向电位沿径向均呈抛物线变化，并在轴上达到最小值；而空间电荷产生的束内电场与半径呈线性变化；空间电荷不仅会引起轴上电位的跌落，而且对束流有发散作用，特别是在电子速度较低时更为明显。在考虑了空间电荷效应后，强流静电加速管的电场设计关键在加速管的前端，与弱流加速管相比，强流加速管的电场变化要大得多。     

β-环糊精固定相在色谱中的应用及发展趋势

β-环糊精(β-CD)对客体分子具有良好的手性识别性，广泛应用作色谱固定相等。本文按键载技术、包裹技术等分类介绍了β-CD类固定相近年来在色谱中的应用及发展趋势，并阐述了对手性识别机理的认识。     

光电子技术在205所40年的发展

扼要介绍205所自1962年以来在各个发展阶段的主要技术定向及科研任务。着重论述光电子系统总体技术、微光夜视技术、光纤技术及光电计量测试技术的发展状况、研究成果及应用前景．阐述205所在我国光学领域各个主要方面所处的领先地位及科研能力，分析、论证光电子技术在现代兵器中的重要作用及205所在新形势下的努力方向和发展前景。     

世界上第一个物理技术研究所的建立及其影响

德国夏洛滕堡物理技术研究所（The Physikallisch-Technische Reichanstalt,简称PTR）是世界上第一个国家级的物理技术研究所，它开创了科学研究和技术研究相结合，服务于工业和国家经济之先河。文章从PTR建立的历史背景、早期研究工作和所产生的影响等方面作较为全面的讨论。     

技术进步中性假定的一般性

本在分析经济增长的技术进步因素的希克期中性假定的基础上，利用势分析方法提出了中性假定的一般性，并计算了我国改革开放以来技术进步对经济增长贡献率。