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931.
刘忠 《中国物理 C》2001,25(10):977-983
在用82Se束流和天然Ba靶之间的深部非弹反应研究类靶余核激发态时,Ba靶严重氧化,88Sr的激发态由16O与82Se之间的融合蒸发反应产生,通过对束γ谱学方法测量了88Sr的退激γ射线,提取了γ跃迁的DCO系数和角分布各向异性因子,对所有能级进行了自旋指定,在已知能级之上观测到了两个高自旋异性因子,对所有能级进行了自旋指定,在已知能级之上观测到了两个高自旋能级结构,自旋,激发能分别达到13h,8520KeV和12h,7909KeV,根据能级衰变特征和邻近N=50同中子素的能级结构系统性,对高自旋态的组态进行了讨论。γ  相似文献   
932.
朱玉灿 《应用数学》2001,14(3):127-131
本文首先在Banach空间引入了N-框架与M-Riesz基。给出N-框架的充要条件和N-框架与M-Riesz基的关系,其中M,N为Orilicz函数,再讨论它们的稳定性。  相似文献   
933.
应用密度泛函理论方法 (B3LYP)和QCISD方法 ,对N2 …HF弱结合复合体系在不同的基组下进行abinitio计算 ,得到了该复合物分子分别在QCISD及B3LYP水平下的平衡结构为 :RNN=0 .110 4nm ,0 .10 95nm ,RNN=0 .2 198nm ,0 .2 0 94nm和RHF=0 .0 92 2nm ,0 .0 931nm ,计算了复合物中HF的谐振频率为 3899.399cm-1以及HF谐振频率红移量为 6 2 .75 5cm-1,所计算的结果与近期的实验数据和理论值相符合 ,还考查了不同基组和方法对N2 …HF弱结合体系的影响  相似文献   
934.
应用HF和组态相互作用方法(QCISD)在不同的基组下对N2H体系进行abinitio计算,得到了N2H(2A′)基态在QCISD/6-311**水平上的平衡结构:RNN=0.1186nm、RNH=0.1052nm和∠NNH=115.5°,其偶极矩为1.976D,谐振频率ν1=1870.44cm-1、ν2=2990.34cm-1和ν3=1169.23cm-1,力常数和氢离解鞍点RNN=0.1131nm,RNH=0.1419nm和∠NNH=117.28°,并考查了不同基组和方法对N2H体系的影响.  相似文献   
935.
马锡英  贺德衍  陈光华 《物理学报》2001,50(10):2023-2027
应用热丝辅助等离子体化学气相沉积法(CVD)合成了表面呈柱状的BC2N薄膜,X射线、红外及X射线电子能谱分析表明,薄膜的化学组分主要为BC2N,B,C和N原子间互相结合成键.扫描电镜观察到,薄膜表面形貌呈排列整齐、取向一致的柱体,并且发现这种生长方式与沉积参数密切相关.最后从结合能方面讨论了柱状BC2N的生长机理. 关键词: 2N')" href="#">BC2N 柱状生长 CVD法  相似文献   
936.
采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜,利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成,X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β-C3N4和α-C3N4组成,并且这些结果与a-C3N4相符合较好,由虎克定律近似关系式计算了α-和β-C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C-N共价键的存在。  相似文献   
937.
《发光学报》2001,22(3):209-212
在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内变化.用X-射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征.发现在生长的初始阶段,所生长的InN属立方相,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变.X-射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向.  相似文献   
938.
N-(2-甲氧羰基-1-甲基)-乙基-(N′-D-乙酰基吡喃型糖)硫脲类化合物的合成及生物活性;糖基硫脲;β-氨基丁酸;合成;生物活性  相似文献   
939.
N-[5-(1-邻氯苯氧乙基)-1;3;4-噻二唑-2-基]N'-芳酰基脲的合成及其生物活性;噻二唑;芳酰基脲;生物活性;生长素;细胞分裂素  相似文献   
940.
N-(4-羟基-3-甲氧基苯甲基)壳聚糖的制备及其水凝胶的pH敏感性;壳聚糖;改性;pH敏感性;水凝胶;溶胀度;释药  相似文献   
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