对N=184附近核的壳效应的理论研究

在形变的相对论平均场模型下采用TMA,NLZ2两套参数对Z=96—102,N=162—190区域偶偶核基态性质进行了系统的计算,对得出的理论结合能、α衰变能、四极形变参数进行了分析和讨论.这些结果同已有的SkyrmeHartreeFock计算的结果做了对比,并分析了在N=184附近的壳效应,可供以后理论或实验研究参考.     

S~(n+1)中具平行Mbius第2基本形式超曲面的分类

设Mn(n≥2)为(n+1)维单位球面Sn+1中的无脐点超曲面,则Mn上伴随有所谓的Mobius度量9,Mobius第2基本形式B,它们是Mn存Sn+1的Mobius变换群下的不变量.对具有平行Mobius第2基本形式的超曲面给出了完全分类.     

(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au-Au中心碰撞中Di-omega产额上限的蒙特卡罗模拟(英文)

根据现有的关于(ΩΩ)0 的生成截面的理论计算,利用HIJING事例产生器研究了(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au- Au中心碰撞中(ΩΩ)0 和(NΩ)022产生过程,分别对(ΩΩ)0 的电磁作用产生过程和两步产生过程中的第一步过程进行了(ΩΩ)0 产率的计算,给出了(ΩΩ)0 产额的上限,对于电磁作用过程,其产率为(1.097±0.293)×10-10 同时我们也对(NΩ)022进行了初步的模拟,初步给出了它的产率为(0.894±0.005)×10-4.     

X光电子谱辅助Raman光谱表征N含量对非晶金刚石薄膜的结构影响

用过滤阴极真空电弧沉积系统制备掺N非晶金刚石(ta-C:N)薄膜,通过在阴极电弧区和沉积室同时通入N2气实现非晶金刚石薄膜的N原子掺杂,并通过控制N2气流速制备不同N原子含量的ta-C:N薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱分析N含量对ta-C:N薄膜微观结构的影响.XPS分析结果显示:当N2气流速从2 cm3·min-1增加到20 cm3·min-1时,薄膜中N原子含量从0.84 at.%增加到5.37 at.%,同时随薄膜中N原子含量的增加,XPSC(1s)芯能谱峰位呈现单调增加的趋势,XPSC(1s)芯能谱的半高峰宽也随着N含量的增加而逐渐变宽.在Raman光谱中,随N原子含量增加,G峰的位置从1 561.61 cm-1升高到1 578.81 cm-1. XPs C(1s)芯能谱和Raman光谱分析结果表明:随N含量的增加,XPSC(1s)芯能谱中sp2/sp3值和Raman光谱中,ID/IG值均呈上升的趋势,两种结果都说明了随N原子含量增加,薄膜中sP2含量也增加,薄膜结构表现出石墨化倾向.     

A computational study on the gas phase reaction of Os^＋ with N2O

The reaction of Os~+(~6D,~4F) with N_2O has been investigated at B3LYP/TZVP and CCSD(T)/6-311+G~* levels of theory.The mechanisms corresponding to O-atom and N-atom transfer reactions have been revealed.It was found that on the sextet reaction surface both the O-atom and N-atom transfer reactions undergo through direct-abstraction mechanism,leading to the formation of OsO~+ and OsN~+,whereas on quartet surface the two reactions undergo through O-N bond or N-N bond insertion mechanism.The calculated energ...     

机械驱动下Ta-N2氮化反应的研究

借助X射线衍射和透射电子显微镜研究了在机械驱动下难熔金属Ta与N2的氮化反应.实验发现,在室温下的高能球磨可实现TaN2反应,并形成三种不同结构的氮化物:六方结构的Ta2N,四方结构的Ta3N5和非晶相.研究表明,N2在清洁的金属表面上发生可离解式的化学吸附是TaN2反应的基本过程,高的Ta—N键合能是N2分子在Ta表面上发生化学吸附的热力学驱动力,而球磨在金属粉末中引入的储能(界面能和缺陷能)为Ta—N向金属氮化物转变提供了激活能.球磨后期非晶相的形成则源于Fe的侵入,所形成的非晶相含有TaFeN三种元素. 关键词： 机械驱动 Ta/N2氮化反应 热力学与动力学     

N指标d维广义α-stable过程的逗留时

研究了一类新过程－－广义α－stable过程，它包含了N指标d维α－stable过程和N指标d维广义布朗单。导出了一些与该过程的逗留有关的小概率事件的界，这些界有助于确定该过程的样本轨道的确切的Hausdorff测度函数。     

γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.     

掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.