非平稳随机过程模拟的一个谱表示方法

本文由Priestley渐进谱理论导出了非平稳随机过程蒙特卡罗模拟的一个谱表示方法.按照该方法,样本过程可直接由一余弦级数公式计算产生.可以证明,当级数项数足够大时,模拟的样本过程可准确地反映非平稳随机过程规定的性质;当产生的样本过程足够多时,其总体均值和总体自相关函数均趋于相应目标函数;样本过程随着级数项数趋于无穷而渐近呈正态分布.本文方法最显著的特点在于可以借助随机相位角产生具有某些预期特征的样本过程.     

多指标强极限定理的一些结果

本文检验在独立同分布随机变量序列情形下,多指标强极限定理与单指标强极限定理的关系和区别,获得了有关多指标叠对数律形态的一些结果;特别本文给出了一个在单指标情形成立而在多指标情形不成立的结果。     

几个线性规划问题的简捷解法

巧变换,在坐标系xoz中解决问题，就能大大简化解题过程．     

杜芬方程的1/3纯亚谐解及过渡过程的分形特征研究

通过谐波平衡法和数值积分法研究了杜芬方程的1／3纯亚谐解．提出假设解，找出了亚谐频域，并对参数变化的过渡过程的敏感性和初始值扰动的过渡过程进行了研究．考察了亚谐响应幅值系数对阻尼的敏感性及亚谐振动谐波成分的渐近稳态性．此外，运用广义分形理论对杜芬方程纯亚谐解过渡过程进行了分析．分析表明，广义维数的敏感维数能清楚地描述杜芬方程纯亚谐解过渡过程特征；并对改变初始扰动、阻尼系数、激励幅值情况下，其两个不同频域的杜芬方程纯亚谐解过渡过程的不同分形特性显现出敏感性．     

POISSON单

本文给出了Poisson单的定义,讨论了它的基本性质、刻划及其在射线上导出的过程。     

n阶非线性泛函微分不等式的强振动性质

本文考虑了非线性泛函微分不等式x(t)[x~(n)(t)+p(t)f(x(t),x(g(t)))+r(t)]≤0的振动性,其中n为偶数。给出了相应不等式x(t)[x~(n)(t)+λp(t)f(x(t),x(g(t)))+r(t)]≤0,λ>0,的所有解是振动的充分条件。本文的结果改进和推广了已知的一些结果。     

物理解题应与物理情景相结合

物理教师都特别重视对物理概念和规律的教学，通过详细的讲解，帮助学生理解其内容，分析其意义，并要求学生能利用所学理论解决实际问题，真正做到学以致用。而学生在解物理题的过程中，往往认为只要选对公式，并把题目中所给的数据带入公式中即可，甚至认为物理的解题方法与数学的运算过程并无本质区别，只是形式不同而已。殊不知数据在物理解题中有时起着重要的作用。笔者在教学过程中，通过举例，帮助学生理解数据在物理情景中所表示的意义，     

商店出售易腐烂物品所得收益的马尔可夫骨架过程建模

本文中,我们应用马尔可夫骨架过程的理论建立了商店出售易腐烂物品所得盈利的数学模型,并且用向后方程刻画了盈利额的一维分布.     

染色体的三维重组

欧洲的研究者观察到，在老鼠胚胎发育的初期和随后的发育过程中，染色体会在细胞核周围跳动。     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系.