Fourier级数Cesro平均的强收敛

本文讨论了Fourier级数Cesàro平均O_n~a(f)的强收敛。估计了它的收敛速度并给出了O_n~a(f)强收敛与f的Fourier系数之间的关系。     

MeV重离子在固体靶中的平均投影射程计算

根据Biersack角扩散模型,建立了计算MeV重离子在固体靶中的平均投影射程的方法。与新近发表的1.0MeV的In⁺,Xe⁺,Ta⁺和1.0—2.0MeV的Pb⁺在Si中的平均投影射程实验数据相比,本文计算值与实验值的最大偏离为8％,而Monte-Carlo(TRIM′86)和PRAL的计算值与实验值的最大偏离分别为23％和22％。这表明本文的计算在预言1.0—2.0MeV的重离子(In⁺,Xe 关键词：     

具有平均流的膨胀腔声学特性的三维边界元分析

本文将边界元法应用于具有平均流的管道及膨胀腔声学特性的三维分析，获得了具的平均流介质中声传播问题的边界积分方程和基本解。采用九节点二次等参单元离散边界表面并对物理量插值，对奇异积分采用极坐标变换法和间接法联合来消除奇异性，在棱边角点处区分不同方向的质点振速。文中对有无平均流时直管的四极参数及膨胀腔的传递损失进行了计算，并与一维理论及其它方法计算结果进行了比较。     

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射——基于平均散射截面方法

应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射Monte Carlo方法,模拟E≤5eV低能电子在多种多元介质中散射。计算了电子背散射系数,背散射电子能谱、角分布,入射电子、背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布,并与确定散射中心方法的结果比较。两种方法计算结果广泛一致,进一步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。入射电子能量较低,介质平均原子序数较大时,计算的背散射电子角分析不服从余弦分布律。     

小角X射线散射法测定溶胶平均界面厚度

溶胶界面层厚度通常是用Porod法对高角区负偏离的Porod曲线进行拟合求算,但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均半径之差而获得平均界面厚度.应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度 关键词： 小角X射线散射 溶胶 平均界面厚度     

几种元素在高温高密度下离子电高度的类氢平均原子模型计算

根据类氢平均原子模型对Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ和Ｍｇ的平均电离度进行了数值计算，结果表明，类氢平均原子模型计算与Ｓａｈａ方程方法以及Ｔｈｏｍａｓ—Ｆｅｒｍｉ模型方法的结果相差不大，利用类氢平均原子模型可对由高压引起的原子轨道畸变进行适当的修正，对修正方法进行了讨论并给出了算例。     

有优先权且有两不同修理设备的两部件冷贮备可修系统的可靠性分析

在开关不完全可靠的情况下,研究了两个不同型部件和两个修理设备组成的冷贮备系统.在部件1有工作和修理优先权的条件下,建立了在部件和开关工作寿命及修理时间均服从指数分布的可修系统模型,利用Markov理论和Laplace变换,给出了系统可靠度的Laplace表达式及系统的稳态指标.     

Weierstrass Representation for Surfaces in the Three-Dimensional Heisenberg Group

The authors define the Gauss map of surfaces in the three-dimensional Heisenberg group and give a representation formula for surfaces of prescribed mean curvature. Furthermore, a second order partial differential equation for the Gauss map is obtained, and it is shown that this equation is the complete integrability condition of the representation.     

Jordan区域中Hermite—Fejer插值一文的注

本文改进了复域中用Ｈｅｒｍｉｔｅ－Ｆｅｊｅｒ插值一致逼近与平均逼近的边界条件且简化了证明过程。     

Testing for changes in the mean or variance of long memory processes

In this paper, we study the asymptotic CUSUM tests for detecting changes in the mean or variance of a moving-average process with long memory. When there is no change over [O,T], the asymptotic distribution of the test statistic is derived, which allows us to find asymptotic critical values. When there is a change, the behavior of the test statistic is discussed. Conditions for the consistency of these tests are also discussed. Based on the asymptotic results, simulation studies of testing for changes in the mean show that the CUSUM test proposed performs well.