电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定粗铅中的Cu，As，Sb，Bi 4种元素

建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）测定粗铅中Cu,As,Sb,Bi 4种元素的定量分析方法。通过实验选择327.395,193.696,187.052,223.061nm分别作为Cu,As,Sb,Bi的分析谱线,方法的检出限均小于0.010μg/mL。方法的回收率在96%~104%,精密度实验结果表明,相对标准偏差（RSD,n=6）均小于3%,能满足日常分析对粗铅中杂质元素的快速检测要求。     

紫激光作用下四甲基硅的MPI和硅原子的(1+1)电离

本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离光谱及飞行时间质谱的研究得到了激光激发波长在390.6nm处硅原子的一个单光子共振峰,获得了该分子在这个波长点处的飞行时间质谱,并据此讨论了四甲基硅MPI可能的机理.     

H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

测量了50–250 keV H⁺和1.0–3.0 MeV Ar¹¹⁺ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar¹¹⁺入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar¹¹⁺的实验结果符合较好. 关键词： X射线 高电荷态重离子 多电离     

微孔和介孔材料中的热化学

这篇论文综述了美国加州大学戴维斯分校科学院院士Navrotsky课题组多年来在多孔材料上取得的一系列热化学研究结果。讨论了热化学对微孔、介孔材料的结构稳定性和合成过程的影响。借助多种测热手段对影响骨架结构的热焓、热熵和自由能进行了系统的测量和计算。研究数据表明一系列纯硅分子筛、介孔材料和磷酸铝多孔材料同相应的石英相和块磷铝矿相相比能量上最多只高出15 kJ·mol-1。一系列纯硅分子筛的熵值比石英相高出3.2—4.2 J·K-1·mol-1；在0—12.6 J·K-1·mol-1范围内相对应的自由能几乎没有差别。因此，对不同微孔、介孔材料，其骨架结构在能量上是几乎没有区别的。另外，本文通过介绍一种新型测热方法——原位测热，揭示了分子筛合成过程中的动力学和成核/结晶机理。     

层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6的溶剂热合成与表征

利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑髥酸镉髤化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6(1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,Mr=750.77,a=0.860 3(5)nm,b=0.898 7(6)nm,c=2.273(2)nm,V=1.758(2)nm3,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd2SbS3和八元环的Cd2Sb2S4的阴离子网络层状[CdSbS3]nn-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。     

新型有序结构分子聚集体的构筑

本文概述了近年来我们在新型有序结构分子聚集体构筑方面取得的一些主要成绩，并展望了今后进一步的研究和发展方向。     

一种新的思维模型:多节拍主从结构离散神经网络(英)

本文基于McCulloch和Pitts提出的二值神经元阈值模型，以Hopfield联想神经网络为核心，加上两个从网络，构造了一个由节拍各异的三个离散网络组成的神经网络系统．本文分析了该系统的稳定性，并定性讨论了其联想思维功能．     

一种新的思维模型：多节拍主从结构离散神经网络

本文基于ＭｃＣｕｌｌｏｃｈ和Ｐｉｔｔｓ提出的二值神经元阈值模型，以Ｈｏｐｆｉｅｌｄ联想神经网络为核心，加上两个从网络，构造了一个由节拍各异的三个离散网络组成神经网络系统，本文分析了该系统的稳定性，并定性讨论了其联想思维功能。     

中学化学教学中的科学思维与逻辑辨析

化学是一门具有创造性的基础科学,是环境、生命、医药、材料等科学的基础,在思维逻辑上彰显和蕴含了丰富的科学思维方法。系统总结化学科学思维方法,可以有效破解中学化学学习中的“繁,难,乱”。在多年的教学实践中,提出了化学科学多向思维方法体系,强调多层次思维过程中对多因素的立体逻辑思维辨析。重点介绍了与中学化学教学相关的零阶、初阶、中阶和高阶逻辑思维辨析的内涵,期望化学教学中重视化学思维逻辑过程,实现化学教与学在思维模式上的深层次发展与提升。     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：