高功率光学元件校正波前的梯度均方根指标

对高功率固体激光装置中,光学元件波前经过变形镜校正后的梯度均方根指标开展了研究。建立了变形镜校正效果的等效分解方法,分析了校正波前的部分相干叠加特性,对校正波前的梯度均方根与焦斑尺寸的对应关系进行了研究。解决了在有变形镜校正时,如何制定元件波前梯度均方根指标的问题。研究结果对高功率固体激光装置的光学元件波前指标制定有指导意义。     

碲化镓纳米片中单斜晶相和六方晶相共存的光谱特征（英文）

快速发展的二维层状材料为构建新型高效的微纳发光器件和光电探测器件提供了新的平台.其中碲化镓纳米片备受关注,这是因为碲化镓从少层到块体都具有极强的发光性能,因而可以降低二维微纳器件的制备条件.然而碲化镓纳米片具有单斜和六方等多种晶相,使其发光特性和光谱结构异常复杂,目前还缺少对不同厚度碲化镓纳米片荧光光谱的系统研究.本文研究了不同厚度碲化镓纳米片的荧光光谱和拉曼光谱,以及荧光光谱从低温(4 K)到室温的演化行为.通过光谱分析,发现单斜晶相和六方晶相可能同时共存于多层碲化镓纳米片中.为了阐述相关实验结果,构建了如下原子结构模型:其中六方晶相位于纳米片的顶层与底层,而单斜晶相位于纳米片的中间位置.基于温度依赖的荧光光谱,可以获得六方晶相的光学带隙为1.849 eV,且该激子峰只能在较高温度(>200 K)下和声子辅助下才能表现出显著的荧光发射行为.进一步的实验结果确定了六方晶相的激子-声子相互作用强度约为1.24 meV/K.本工作证实了碲化镓纳米片中单斜晶相与六方晶相共存的实验现象,为研究碲化镓纳米片的晶相变化和激子动力学,以及探究碲化镓的奇异物理化学特性,提供了新的见解.     

任意信源随机和的一类随机Shannon-McMillan定理

采用构造相容分布与非负上鞅的方法研究任意信源随机和相对熵密度的强极限定理,并由此得出若干任意信源,m阶马氏信源,无记忆信源的随机Shannon-Mcmillan定理.将已有的关于离散信源的结果加以推广.     

基于原子转移自由基聚合技术的偶氮苯星形液晶聚合物的合成与表征

利用原子转移自由基聚合(ATRP)技术合成了含不同端基取代基的偶氮苯三臂星形侧链液晶聚合物. 均苯三酚与2-溴异丁酰溴通过酯化反应制备三官能团引发剂, 引发偶氮苯单体6-[4-(4-甲氧基苯基偶氮)酚氧基]己基甲基丙烯酸酯(MMAzo)或6-[4-(4-乙氧基苯基偶氮)酚氧基]己基甲基丙烯酸酯(EMAzo)的ATRP反应. 利用核磁共振氢谱(¹H NMR)、凝胶色谱(GPC)、差示扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)等手段对星形聚合物进行表征. 星形聚合物的液晶性与相应均聚物相似, 但偶氮苯端基取代基的不同导致星形聚合物的液晶性差别显著. 在紫外/可见光照射下星形聚合物呈现明显的异构化转变.     

二维材料改性水性聚氨酯防腐涂料的研究进展

水性聚氨酯涂料作为一种新兴的环保涂料,在防腐领域得到了广泛应用。然而,水性聚氨酯涂料交联密度低,耐水性稍差,不利于其长效防腐性能。利用具有独特物理化学特性的二维材料作为水性聚氨酯的填料,可以有效改善其性能。本文主要介绍了三种二维材料(石墨烯、MXene和六方氮化硼)作为填料与水性聚氨酯进行复合,并重点介绍了石墨烯、MXene和六方氮化硼的改性方法,并对水性聚氨酯复合涂层的性能进行了阐述和比较,最后对未来二维材料/水性聚氨酯的复合材料的发展和应用进行了展望。     

cBN晶体的Raman光谱测量

 用R1000激光共聚焦Raman光谱仪研究了高温高压合成棒中的立方氮化硼（cBN）晶体、原材料六方氮化硼（hBN）和催化剂。Raman光谱测量结果表明：伴随cBN晶体生长的散射峰,出现了两条全新的Raman散射峰（约1.088 cm^-1和约1.368 cm^-1）。该散射峰所对应的物质可能是在高温高压条件下hBN向cBN转变时生成的不完全产物——BN的一种新相。这一结果将有助于进一步讨论cBN的生长机理。     

改进黏度在线凝胶色谱的测定结果

黏度在线凝胶色谱是一种同时配备浓度和黏度检测器的凝胶色谱,由于其测定过程简单直接,被越来越多地广泛采用,但因为数据处理方式和仪器精度的问题,其数均分子量、重均分子量与分散度结果存在较大误差.实验表明,选择适当的谱峰叠加处理、改进普适校正曲线精度、调整标样进样方式以及选择合适的积分点等手段可以明显改善存在的问题,从而大幅度地提高数均分子量、重均分子量与分散度的结果准确性.     

光阴极注入器型能量回收射频加速器

光阴极注入器型能量回收射频加速器（PERL）是新一代加速器,在高平均功率自由电子激光和下一代高亮度光源等研究中有很好的应用前景。分析了PERL的强流与高平均功率特性,对注入器输出束流品质的要求及光阴极注入器、超导加速腔等关键技术进行了研究,设计分析了一种特殊结构的高压DC Gun光阴极注入器,能有效地提高DC加速腔中的加速场强,当高压为1MV和加速场达到10MV/m时,产生的电子束流能够基本满足PERL应用要求。同一超导加速段中的束流加速和能量回收的数值模拟计算结果表明,能获得高效率电子束流能量回收效果。     

合肥光源托歇克效应损失电子的探测

束流寿命是衡量储存环性能的重要参数,直接影响着光源的正常运行。对于合肥光源（HLS）,托歇克（Touschek）寿命是影响束流寿命的重要因素。为了研究Touschek寿命,需要探测由于Touschek效应所损失的电子。介绍了束流寿命的概念,说明了Touschek效应的原理和机制,利用蒙特卡罗软件EGSnrc模拟计算了丢失电子与真空壁的相互作用,通过塑料闪烁体探测器和光电倍增管获得了由于Touschek效应丢失的电子所产生的信号,然后将信号经过放大甄别和符合处理后,用计数器测量了计数率。结果表明：由于Touschek效应而成对丢失的电子的确存在,且电子损失率随流强的降低而减小。这为下一步储存环的能量标定工作做好了前期准备。     

碳掺杂六方氮化硼/二硫化钼吸附还原六价铬和助催化降解有机污染物

针对二硫化钼(MoS₂)因易团聚导致去除六价铬[Cr(Ⅵ)]容量低的问题, 利用六方氮化硼(BN)良好的吸附性和化学稳定性, 以多巴胺作为BN改性剂, 通过煅烧法和水热法制得碳掺杂六方氮化硼(c-BN)负载MoS₂纳米复合材料(c-BN@MoS₂). 研究了室温条件下c-BN@MoS₂对Cr(Ⅵ)的吸附还原和助催化降解有机污染物的性能. 实验结果表明, c-BN@MoS₂在40 min内对50 mg/L的Cr(Ⅵ)吸附还原去除率高达95%以上, 且以将 Cr(Ⅵ)还原至Cr(Ⅲ)为主, 在pH值为2、 温度为25 ℃条件下去除Cr(Ⅵ)最大容量可达401 mg/g, 显著高于 MoS₂(98 mg/g). 分析显示, c-BN不仅提高了MoS₂的平均孔径, 还可促进MoS₂生成金属特性的1T相, 有利于吸附Cr(Ⅵ)和加快氧化还原过程中的电子转移. 在Fe²⁺/PMS(过一硫酸氢盐)催化体系加入c-BN@MoS₂, 该体系对磺胺甲恶唑的降解性能明显增强, 其反应速率常数提高3倍, 这主要归因于c-BN@MoS₂明显加快了Fe³⁺到Fe²⁺的转变, 导致更多?OH产生, 达到增强降解污染物的目标.