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121.
运用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-311G基组水平上对 团簇进行了构型优化、频率分析与电子性质计算.同时讨论了团簇的平均结合能、能级间隙、二阶能量差分、自然电子布居、极化率.研究结果表明: 团簇的基态绝大多数为立体结构. 时,体系的基态为自旋三重度, 时,则为单重态.镁原子的掺入使得主团簇的电子性质发生了明显的变化,掺杂使体系的平均结合能降低,能隙减小,化学硬度减小,电子亲和能增大.电子总是从 原子向 原子转移.团簇中原子之间的成键相互作用随n的增大 而增强,团簇的电子结构随n的增大而趋于紧凑. 相似文献
122.
文章研究了小尺寸的(ZnSe)n团簇(n=2-16)的结构和电子性质.通过手工搭建得到团簇结构,用DMol软件包进行结构优化和能量计算,最后分析计算结果 .研究结果表明,对于n=2-4,平面环状结构的能量最低;对于n=5,非平面环状结构的能量最低;对于n=6-12,空心笼状结构的能量最低;对于n=13,核-壳笼状结构的能量最低;对于n=14-16,依旧是空心笼状结构的能量最低.通过分析(ZnSe)_n团簇(n=2-16)的电子性质,我们可以得到,(ZnSe)_9团簇、(ZnSe)_(12)团簇具有很好的稳定性. 相似文献
123.
此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应. 相似文献
124.
在密度泛函理论的B3PW91水平上, 优化计算了AlmNin (m+n=2–4)团簇的几何结构、团簇基态的结合能、最高占据轨道与最低空轨道之间的能级间隙和可能的分离能. 结果表明, 随着团簇尺寸的增加, 能级间隙呈现奇偶振荡规律; Al2Ni2团簇具有最高的结合能, 易分离成Ni原子和Al2Ni团簇; 含Al的合金团簇最易先分离出一个Al原子, 而含Ni的合金团簇没有这种趋势. 相似文献
125.
126.
本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于1011 K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在1011 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于1010 K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在1010 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为1014.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于1014.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于1014.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的.
关键词:
分子动力学模拟
晶体团簇
临界冷速
结构 相似文献
127.
第一性原理对GanP-m阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定. 相似文献
128.
团簇物理的新进展(I) 总被引:29,自引:2,他引:29
本文较系统地论述了团簇研究在制备、结构和性质等方面的最新进展,其中包含了本实验室近年来在团簇物理方面所取得的重要成果。并对当前团簇研究存在的问题和发展方向作了展望。 相似文献
129.
基于第一性原理的密度泛函理论,研究了纤锌矿(In,Al)GaN合金的4种构型(均匀、短链、小团簇、团簇-链共存模型)的电子结构和发光微观机理。结果表明,在InGaN合金中,短In-N-链和小In-N团簇都局域电子在价带顶(VBM)态。当小团簇与短链共存时,前者局域电子的能力明显强于后者,是辐射复合发光中心。然而,在AlGaN合金中,电子在VBM态的局域受短Al-N链和小Al-N团簇的影响并不显著。合金微观结构的不同会引起电子局域的改变,从而影响材料的发光性能,并对带隙和弯曲系数有重要影响。 相似文献
130.
报道了复合物o-C6H4F2.Ar的电子S1态内van der Waals(vdw)振动的实验和理论研究。在超声束中,利用双光子共振电离光谱和飞行时间质谱技术,揭示了S1←S0电子态跃迁涉及内vdW振动的3个谱带。光谱分析表明,一+16.1cm^-1是Ar沿o-C6H4F2分子对称面内的振动模的基频跃迁。 相似文献