硅单晶提拉生长中拉速稳定性研究

为解决硅单晶提拉生长过程中拉速不稳定、波动较大的问题,在分析晶体生长界面热量及质量传输的基础上,通过控制温度补偿速率来抑制拉速大幅波动.采取基于遗传算法优化隶属度函数的模糊控制策略,对温度补偿速率进行控制,调节加热功率,使炉内热环境处于适宜晶体生长的范围.实验结果表明,在提高系统控径精度的同时,拉速稳定性也有显著提高,大幅波动明显减少.     

Yb3+: Sr3Gd(BO3)3激光晶体的生长和光谱特性

采用提拉法(Czochralski)生长出了掺Yb3+的Sr3Gd(BO3)3晶体,晶体尺寸达到:25 mm×30 mm.测量了Yb3+: Sr3Gd(BO3)3晶体的吸收谱、荧光谱以及荧光寿命.Yb3+: Sr3Gd(BO3)3晶体在975 nm有一半峰宽为7 nm的强吸收峰,π谱的吸收跃迁截面σa=7.28×10-21 cm2,在1040 nm的发射跃迁截面σe=1.43×10-21 cm2.辐射寿命为1.46 ms, Yb3+浓度为13 at;时的荧光寿命f=2.14 ms,Yb3+浓度为0.5 at;时的荧光寿命f=1.21 ms.     

工业晶体生长

本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向.     

Sylvester与Lyapunov方程向后误差分析

利用矩阵Kronecker积的性质,研究Sylvester矩阵方程Ax YB=C与Lyapunov矩阵方程ATX XA=-Q(Q0)的向后误差,获得了这两类矩阵方程向后误差η(X,Y)与η(X)的精确表达式及其更易计算的上下界.这些结果是对有关文献相应结果的改进与补充.     

半线性抛物型积分—微分方程的谱方法

本文在讨论带有半线性记忆项抛物型方程半离散格式的基础上,构造了空间方向谱离散,时间方向后欧拉方法的全离散格式,并给出了误差估计。对于记忆项的数值积分,采用了梯形公式与矩形公式结合的方法,并估计了数值积分的影响。     

计算高维带弱奇异核发展型方程的交替方向隐式欧拉方法

本文主要研究高维带弱奇异核的发展型方程的交替方向隐式(ADI)差分方法.向后欧拉(Euler)方法联立一阶卷积求积公式处理时间方向的离散,有限差分方法处理空间方向的离散,并进一步构造了ADI全离散差分格式.然后将二维问题延伸到三维问题,构造三维空间问题的ADI差分格式.基于离散能量法,详细证明了全离散格式的稳定性和误差分析.随后给出了2个数值算例,数值结果进一步验证了时间方向的收敛阶为一阶,空间方向的收敛阶为二阶,和理论分析结果一致.     

对称矩阵方程Q+BKS+(BKS)T+BKRKTBT=0的向后误差分析

本文研究了对称矩阵方程Q+BKS+(BKS)T+BKRKTBT=0近似解的最佳向后误差,得到了向后误差量的上界与下界,并用一个简单的数值例子来说明所得结论.     

北京欧普特科技有限公司

北京欧普特科技有限公司严格参照国际通用规格及技术指标,备有完整系列的精密光学零部件（备有产品样本供参考）供国内各大专院校、科研机构、试验室随时选用,我公司同时可为您的应用提供技术咨询．我公司可以提供美国及欧洲产的优质红外光学材料,如硒化锌、硫化锌、多光谱硫化锌等．     

改进欧拉格式求解随机微分方程的收敛性

采用改进的欧拉格式求解随机微分方程,当方程的偏移系数和扩散系数均满足全局Lipschitz条件和线性增长条件时,证明改进格式的强收敛的阶是1/2.     

随机参数和随机资金流环境下基于二次效用函数的投资组合优化

研究完全市场下基于二次效用最大化的带有随机资金流的动态投资组合选择问题,其中假设无风险利率、股票收益率和波动率矩阵都是一致有界随机过程.通过应用线性二次控制方法和向后随机微分方程理论得到了最优投资组合的解析表达式.