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281.
282.
γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究 总被引:1,自引:1,他引:0
由于与GaN晶格失配小(约1.4;),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1. 相似文献
283.
近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体. 相似文献
284.
提拉法的晶种劈形自紧固方法 总被引:1,自引:1,他引:0
本文介绍一种在提拉法中使用的晶种劈形自紧固方法.将劈形晶种放入相应的燕尾槽晶夹头中,可使晶种不下滑,并承受最小压力.数模分析和多年实践都证明:该方法具有晶种内应力小、热传导性好和操作方便等优点. 相似文献
285.
非线性光学晶体具有多种生长方法,每种方法都有其独特的优势和适用的晶体,通过了解典型非线性光学晶体生长方法的特点,可以确定采用哪种方法获得高质量的晶体,达到预期的目的.本文主要对典型非线性光学晶体生长方法进行相关介绍,如水热法生长KTP晶体、水溶液法生长KDP晶体、有机溶液法生长DAST晶体、高温溶液法生长BBO、LBO、KBBF等晶体、泡生法生长CBO晶体、提拉法生长LiNbO3晶体、布里奇曼法生长CdSiP2、ZnGeP2、BaGa4 Se7等晶体,阐述典型非线性光学晶体的原料、溶液配制、温度压力的控制等实验制备条件,展示所生长出的晶体样品.通过对上述方法总结,为今后的晶体生长方法选取提供借鉴. 相似文献
286.
采用单晶提拉法成功生长出优质的Gd3+/Yb3+共掺铝酸钇晶体。对晶体的结构、分凝系数、光谱和激光性能进行了表征,结果表明:所生长的晶体空间群为Pnma,属于正交晶系,Yb3+的分凝系数为1.13。从偏振吸收和荧光光谱发现,b偏振方向时,晶体在980 nm处吸收截面为2.14×10-20 cm2,适用于InGaAs 激光二极管泵浦;在1 044 nm处的发射截面为0.39×10-20 cm2,荧光寿命为1.638 ms。此外,对b切向的Gd/Yb∶YAP晶体进行激光实验,在1 μm处实现连续激光输出,斜率效率为23.5%,最大输出功率可达0.51 W。 相似文献
287.
288.
289.
李雅卿 《应用泛函分析学报》2000,2(1):22-25
本分别给出了使在无穷维欧氏空间中球体和球面具有有限的,但又不是无穷小的测度的半径集合。 相似文献
290.
生长正钒酸钙晶体Ca3(VO4)2的原料制备 总被引:4,自引:4,他引:0
本文报道了Ca3(VO4)2晶体生长时原料组分的选择,指出相图上CaO质量分数的范围在36;~40;是合理的生长区间.讨论了合成原料的合理方式,采用CaCO3与V2O5直接合成的方法能够避免采用CaO或Ca(OH)2与V2O5进行合成时原料与空气中的H2O及CO2反应,影响称量准确性的问题.详细地给出了光加热浮动熔区法和提拉法生长Ca3(VO4)2晶体时原料的制备工艺.采用光加热浮动熔区法时用9MPa压力制棒,采用两步法烧结:850℃×8h→1200℃×8h.在提拉法生长晶体时采用球磨机湿混料、80℃烘干、20MPa压力下压料饼,也采用两步法烧结:850℃×8h→1200℃×8h. 相似文献