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31.
32.
在混料问题中,经常出现附加的混料约束.对于单分量上、下界约束系,我们证明:只存在两种非确界约束,或者都是单侧的,或者只有一个分量存在双侧非确界约束,不可能有两个分量存在异侧非确界约束.对于分量线性组合上、下界约束系和复合约束系,我们分别给出了关于多余约束的判别方法,并用了一些数值例子说明这些判别方法. 相似文献
33.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
34.
李永琪 《高校应用数学学报(A辑)》1991,6(3):431-440
本文提出了因素混杂设计的理沦,通过加倍试验法,对各因素进行效应分析,并给出了当k≤m/2时的数据分析公式。 相似文献
35.
36.
本文研究并揭示了L_(2~a)(2~(2~a-1))型正交表行(列)间的递推规律,提出了一种泛函梯度数值计算的新方法——正交试验法,该方法在计算速度和精度上优于直接梯度法;在通用性及节省内存方面优于伴随算子法。 相似文献
37.
给出了大规模界约束优化的一个子空间截断牛顿法。利用截断牛顿法修正非有效约束所对应的变量,用投影梯度法修正有效约束所对应的变量,文中证明了方法的整体收敛性,并对方法进行了数值试验,且与子空间有限内存拟牛顿法进行了数值比较。 相似文献
38.
均匀设计及其应用(二) 总被引:3,自引:0,他引:3
均匀设计及其应用(二)方开泰第二章均匀设计的应用由于均匀设计要求的试验数较少,我们无法直接估计出各因素的主效应和交互效应,只能通过回归模型来建立试验指标(Y)和各因素之间的关系,利用这种关系来寻求最优工艺条件或最优配方.试验设计的目的通常主要有二个,... 相似文献
39.
本文给出了单目标多约束下串、并联混合系统中 ,由选取重要单元 (重要度最大的单元 )的方法 ,来提高系统可靠度的有效优化判定模型及算法 ,用同样思想给出了串、并联系统中冗余度的优化判定模型及算法 相似文献
40.
介绍一种实用的可靠性增长模型杜安 (Duane)模型 ,并探讨如何运用该模型来分析、指导斯特林制冷机的可靠性增长试验 ,包括试验前的准备、试验数据的处理、曲线的绘制 ,以及如何对增长过程进行估计和监测 相似文献