对角因子循环矩阵的谱分解及其应用

在文「１」的基础上讨论对角因子循环矩阵。首先，我们给出对角因子循环矩阵的谱分解，然后，讨论对角因子循环矩阵的广义逆，最后，作为应用，求解一类偏微分方程。     

反气泡的形成与崩溃

比利时的物理学家使用高速摄像机首次观察到液体中“反气泡”的形成、运动和崩溃过程(DorboloSetal.NewJ.Phys .,2 0 0 4 ,5 :1 61 ) .众所周知,气泡是一球形的液体薄膜,里面包着空气,外面又被空气包围着.而反气泡,顾名思义,则是一球形的空气壳,里面包着液体,外面又为液体所包围.在液体中气泡会升到液面上来,而反气泡则沉到液体底部.比利时Liege大学的StephaneDorbolo等缓慢地将肥皂水倒入一个装有同样肥皂水的玻璃容器中.他们观察到在液面下产生了一注液体小球,然后,这注小球破裂成一系列反气泡.反气泡存在了两分钟之久.反气泡崩溃的方…     

Bell合作组发现新粒子

日本KEK实验室的Bell合作组发现了一种新的亚原子粒子，命名为“X(3872)”，这种粒子不能列入已知粒子的分类表中，理论家们推测可能是至今没有发现过的一种介子，这种介子含有4个夸克(有关论文将发表在Phys．Rev．Lett．上)，这一发现已被美国费米实验室的CDF合作组证实，他们把这种新粒子称为谜介子(mystery meson)。     

双组元姿控发动机反流特性的DSMC模拟

为准确获得双组元姿控发动机的羽流及其反流特性,采用直接模拟蒙特卡罗(DSMC)方法结合可变软球(VSS)模型数值模拟以N2O4/MMH为推进剂的真空羽流。喷口参数由喷管流动的DSMC法计算得到。与文献比较表明本文计算程序可信。模拟结果表明,分子质量越小的气体越容易进入反流区;本文的计算条件下,在偏离X轴正向116°~140°范围内,组分数密度和质量流率以及温度均出现了最大值。     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

Magnetic Properties of Hf0.8Ta0.2（Fe0.97A0.03）2 （A=Al, Co, Mn） Systems

Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems.     

Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices

We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the bias step of the external bias voltage applied on the device has an important effect on the final current-voltage （I - V） curves. The results show that different bias step applied on the device can change the bistability, hysteresis and current plateau structure of the I - V curve. The current plateau occurs only in the case of small bias step. As the bias step increases, this plateau structure disappears.     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论