表面单分子膜的垂悬液滴方法研究

提出一种扩展或收缩气/液界面单分子层的分子密度，用荧光成像技术检测单分子层的扩展或收缩效果的新方法——垂悬液滴分析方法-此方法通过改变液滴体积，对液滴界面上的表面活性剂分子实施扩展和收缩，具有Langmuir-Blodgett(LB槽)的功能-对表面活性剂荧光分子，用液滴的激光感生荧光图像，可以实时测量液滴界面的相对分子密度变化；用偏振荧光分析技术，可获取荧光偶极矩在液滴界面的相对取向-对罗丹明(B)表面活性剂分子ODRB的实验结果表明：1) 表面单分子层分子密度在压缩过程中遵循σ/σ_{0关键词：}     

异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考. 关键词： 异质多晶SiGe栅 应变Si NMOSFET 表面势 沟道电流     

复标度方法对原子核单粒子共振态的研究

在相对论平均场理论框架下, 利用复标度方法研究了 Zr 同位素的单粒子共振问题. 以 ¹²²Zr 为例, 演示了复标度方法确定共振态的具体步骤, 确定了 ¹²²Zr 所有可能共振态的能量和宽度, 以及相应共振态的复标度波函数, 并与耦合常数的解析延拓方法进行了比较.在此基础上, 进一步系统研究了 Zr 同位素的共振问题, 获得了与散射相移方法一致的结果.     

磁性钴纳米晶的二维自组装

在两种表面活性剂存在下，采用高温醇还原，合成出单分散、平均颗粒尺寸为14±19nm，直径标准偏差小(～18%)的磁性金属Co纳米晶.利用x射线衍射、紫外吸收光谱、x射线光电子能谱及透射电子显微镜对其结构和表面价态进行了分析.并将磁性金属Co纳米晶自组织形成有序的二维(2D)六方紧密堆积结构. 关键词： Co纳米晶 单分散 自组装     

零势场中变质量粒子的束缚能谱

结合点正则变换(PCT)与分析转移矩阵(ATM)两种方法,得到了零势场中变质量粒子的束缚能谱.通过计算变质量粒子穿透零势场的概率,发现并解释了透射谱中共振峰与本征能量的一一对应关系.     

Riemann 映射与单连通区域分类

设G为复平面上一个单连通区域及φ为G的Riemann 映射. 本文通过φ是否属于G上多项式在不同拓扑下的闭包的情况对G进行分类. 特别地, 我们对已知的几类单连通给出了刻画.     

酸根离子及其水溶液对镎酰离子结构性质的影响

利用B3LYP杂化密度泛函方法,在相对论有效芯势模型下,优化得到了NpO22+离子及其配合物在气相和水溶液中的几何结构和电子结构, 研究了NO3-、SO42-和CO32-离子及其水溶液对NpO22+离子的结构和性质的影响.结果表明,NpO22+离子结合各种酸根离子后其Np=O键的键长都有明显增长、Np和O原子的价电子轨道能均有升高,而考虑溶剂化效应后酸根离子的影响将减小.电荷分析发现,结合酸根离子后,NpO22+中Np和O原子间形成的共价键的强度减弱、键长增长.对NpO22+离子与三种酸根离子的理论结合能的比较显示,NpO2CO3分子最为稳定.     

低能C36团簇在金刚石(100)晶面沉积时的影响因素

"使用Brenner-LJ拟合势描述了金刚石与C36团簇原子间的相互作用,并用分子动力学模拟的方法研究单个C36(D6h)在金刚石(100)晶面的沉积机制．通过仿真实验分析了C36团簇的入射能量、入射点位置、入射姿势、入射角度等因素对其成核初期化学吸附过程以及沉积后其稳定性的影响．研究发现：由于C36入射点位置及入射姿势的不同,其在金刚石(100)晶面沉积时的沉积阈值最小值为20 eV,最大值为60 eV;在入射角不超过60o斜射时,由于水平运动分量的存在,C36可能翻滚及平滑至成键能量较小的区域后再成键     

一种YBCO带材及其单饼线圈的失超传播特性分析

对一种YBCO涂层的高温超导带材及其单饼线圈进行了失超传播特性的实验测试与分析。实验测试在77K温度的液氮环境下进行,给带材通入恒定直流电流,使用加热丝给带材上一点提供脉冲热扰动,主要测量了超导带材及单饼线圈失超传播过程中的最小失超能和失超传播速度。实验结果表明YBCO超导带材及其线圈的失超传播速度随电流升高而增大,最小失超能随电流升高而减小,线圈中径向传播速度要远小于纵向传播速度。