MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测

为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。     

离子敏感场效应晶体管及其应用

离子敏感场效应晶体管具有若干不同于寻常传感器的特点：超小型、全固态、集成化和自身阻抗变换等。它是一种很有发展前途的传感器。本文了讨论了离子敏感场效应晶体管的分类、结构和性能；评述了１９８９年以来其在临床医学和流动注射分析等方面的应用。引参考文献６７篇。     

半导体的化学刻蚀

半导体的化学刻蚀，俗称湿法刻蚀，它是半导体器件制作中的一个重要工艺，按照化学作用的原理，它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀，半导体的化学刻蚀是在众多刻蚀方法中最基本和最终不能全部被取代的一种方法，它在高新技术中有着各种挂用途，如选择准刻蚀、各向异性刻蚀和计算机控制无掩模刻蚀等。     

Formation of SnO2 Nanoparticles on External Surface of NaY Zeolite

Tin dioxide nanoparticles of 5 nm in size were prepared on NaY zeolite external surface by impregnation of SnCl2 solution and subsequent calcination at 623 K. A SnO2-NaY based chemical sensor for detecting H2 was demonstrated.     

CARRIER PHOTOGENERATION IN POLY（N-VINYL-CARBAZOLE）-BASED PHOTOCONDUCTIVE THIN-FILM DEVICES

In this paper, photoexcitation processes in the bilayer devices based on inorganic materials and poly（N-vinylcarbazole） （PVK） were investigated. In order to clarify the roles of inorganic materials in photoconductive properties of bilayer devices, TiO2 and ZnS were chosen to combine with PVK. A model for generation of photocurrent （Iph） in single layer device of PVK was obtained. It is deduced that the recombination rate constant （Pcomb） and the ionization rate constant （y） ofexcitons should be considered as the most important factors for Iph. For inorganic materials （TiO2 or ZnS）/PVK bilayer devices, in reverse bias of-4 V, the photocurrent of 115 mA/cm^2 in the TiO2/PVK device was observed, but the photocurrent in the ZnS/PVK device was only 10 mA/cma under the illumination light of 340 nm and the light intensity of 14.2 mW/cm^2. The weaker photocurrent is attributed to the absorption of ZnS within UV region and the energy offset at the interface between PVK and ZnS, which impedes the transport of charge carriers.     

Preparation of Europium Induced Conformation—specific anti—calmodulin Monoclonal Antibody

Monoclonal antibody technique was employed to detect the conformational difference of CaM induced by metal ions. A trivalent europium ion induced conformation-specific anti-calmodulin monoclonal antibody was successfully prepared with europium-saturated calmodulin as antigen.     

TiO2／Ti／TiO2半导体隔片光电化学电池的性能

研究了半导体隔片光电化学电池(SC-SEP)中光池溶液的pH、暗池溶液的氧化还原电对以及两池中的暗电极对电池的开路电压、光生电压、短路光电流和光伏安特性的影响。对它们的影响机制进行了初步分析。通过合理选择电池体系,SC-SEP的性能可比单隔室的光电化学电池(PEC)优越。     

稀土掺杂γ—Fe2O3气敏材料研究

采用化学共沉淀法合成了具有良好气敏特性的γ—Fe_2O_3微粉。通过稀土掺杂使γ—Fe_2O_3的显微结构得到改善,相转变温度得到提高,进而改善了γ-Fe_2O_3气敏材料的稳定性,提高了气体检测灵敏度。另外,不同稀土元素的掺杂使γ—Fe_2O_3气敏材料的气敏选择性得到改善。     

可见光化的半导体光催化剂

光解水制氢能否实用化取决于太阳光的有效利用率, 研究开发可见光化的光催化剂成为当前光催化剂研究中的重要课题.本文介绍了利用 光解水制氢的反应机理,综述了近年来半导体光催化剂在利用可见光方面的研究进展,重点描述了这些光催化剂的结构,并对该领域今后的研究方向进行了展望.     

不同光滑度立方体氧化铁对液晶电光性能的改善

向列相液晶被广泛应用于液晶显示中,但是由于杂质的存在,会导致液晶的驱动电压变大,增加能耗。 为了降低阈值电压和饱和电压,通常向液晶中添加纳米颗粒来提高电光性能。 本文利用水热法制备了表面粗糙和光滑的两种立方体Fe₂O₃纳米颗粒,其形貌均匀,尺寸约550 nm。 将二者分别掺杂到向列相液晶E7中,结果表明,粗糙立方体Fe₂O₃/E7复合体系具有比光滑立方体Fe₂O₃/E7复合体系和向列相液晶E7更优的电光性能,且在掺杂质量分数为0.4%时,其电光性能达到最优,阈值电压和饱和电压分别降低9.9%和11.6%,对比度增大80%,响应时间降低至6.0 ms。 这归因于粗糙立方体Fe₂O₃具有足够的表面积和表面所带电荷更多,所以会更易吸附体系中的杂质离子和减弱杂质离子的屏蔽作用,从而提高了电光性能。