Anomalous Hall effect of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells

The anomalous Hall effect of heavy holes in semiconductor quantum wells is studied in the intrinsic transport regime, where the Berry curvature governs the Hall current properties. Based on the first--order perturbation of wave function the expression of the Hall conductivity the same as that from the semiclassical equation of motion of the Bloch particles is derived. The dependence of Hall conductivity on the system parameters is shown. The amplitude of Hall conductivity is found to be balanced by a competition between the Zeeman splitting and the spin--orbit splitting.     

基于光纤光栅的可调谐半导体激光器

本文利用光纤光栅(FBG)形成外腔反馈及F-P半导体激光器的多模特性,得到波长稳定、可调谐的半导体激光光源,系统研究了不同反馈比率对激光器光谱特性的影响.通过向FBG施加轴向拉力和压力可实现10nm的波长调谐,得到一系列波长间隔0.94nm的激光输出,边模抑制比达35dB,光谱线宽小于0.2nm.     

百瓦级高亮度光纤耦合半导体激光模块的研制

用3只976 nm半导体激光短列阵作为子模块,研制出连续工作的百瓦级高亮度光纤耦合模块。首先,利用光束转换器将每个半导体激光短列阵进行光束整形;然后采用空间复用技术将3个半导体激光短列阵在光参数积小的方向上叠加,并利用倒置伽利略望远镜作为扩束器进一步压缩发散角;最后利用优化结构的透镜组将激光聚焦到芯径200 μm,数值孔径为0.22的光纤中。测量结果显示:聚焦后激光的发散角为24.8°,焦平面的光斑尺寸为175.2 μm;耦合后测量光纤出光功率可达107 W,对应亮度为2.23 MW/(cm²·sr),达到了国内利用列阵进行光纤耦合的领先水平;在工作电流为52.5 A时,电光转换效率为43.1%,远高于全固态等激光器;最后测量本模块在不同驱动电流时的光谱,并以此计算出模块的热阻为1.29 K/W,说明它的散热性能良好。结果表明,本光纤耦合模块适合应用于泵浦光纤激光器、医疗和激光加工等领域。     

功率MOSFET的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象

通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究, 发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系, 并且在不同栅压应力下, 实验结果中均可观察到平台阶段的出现. 基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究, 通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段, 并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因. 关键词： 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 负偏置温度不稳定性 反应扩散模型     

半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量

半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6 115.2U.     

用于半导体激光器的等共轭距双曲柱面镜系统

论述用于把窗口尺寸为０－１２８５ｍ ｍ ×３ ．２３９０ ｍ ｍ 的半导体激光器发出４４°×１３°的发散光束压缩成在±０－００２５ｒａｄ 内出射光的柱面镜系统。该系统的核心是用两组互相垂直、且共轭距相等的双曲柱面镜,把激光器的条形窗口的像变粗变短;然后,再用透镜组把此像“准直”到“无限远”     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．     

First-Principles Calculations of Electronic Structures of New Ⅲ-Ⅴ Semiconductors： BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs alloys

We investigate the electronic structures of new semiconductor alloys BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs, employing first-principles calculations within the density-functional theory and the generalized gradient approximation. The calculation results indicate that alloying a small TI content with GaAs will produce larger modifications of the band structures compared to B. A careful investigation of the internal lattice structure relaxation shows that significant bond-length relaxations takes place in both the alloys, and it turns out that difference between the band-gap bowing behaviours for B and TI stems from the different impact of atomic relaxation on the electronic structure. The relaxed structure yields electronic-structure results, which are in good agreement with the experimental data. Finally, a comparison of formation enthalpies indicates that the production Tlx Ga1-xAs with TI concentration of at least 8% is possible.     

基于拓扑优化和深度学习的新型结构生成方法

计算机辅助设计已广泛应用于结构计算和分析,但如何利用计算机智能生成最佳的新型结构还面临巨大挑战。针对这一问题,提出了一种基于拓扑优化和深度学习的新型结构智能生成方法。该方法首先通过结构拓扑优化分析获得不同参数下的优化结果制作训练集图片,并将训练集标签定义为相应的工况类型,然后应用最小二乘生成对抗网络(LSGAN)深度学习算法进行训练并生成大量的新型结构,最后建立评价指标和评估体系对生成的模型进行评价比较,根据需求选择最佳结构设计方案。结合一个铸钢支座节点底板设计的工程案例,详细阐述了上述方法的应用过程,并借助三维重构技术和增材制造技术实现结构模型的一体化制造。研究结果表明,基于拓扑优化和深度学习的新型结构智能生成方法不仅可以自动生成新的结构,而且可以进一步优化结构的材料用量和力学性能。     

Z-scheme基光电化学传感器的构建及其研究进展

光活性半导体之间的电子转移路径对光电化学传感器的光电性能具有重要影响,有效的电子传输方式对增强光电转换效率和提升传感器的灵敏度均具有重要意义.Z-scheme机制在提升光致载流子迁移效率的同时,可最大程度地保留光电活性半导体的氧化还原能力.因此,Z-scheme基光电化学传感体系的构建和设计备受关注.本文以Z-sche...