沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。     

溶剂蒸汽退火辅助微距升华法制备C8-BTBT单晶

有机半导体单晶由于具有内部长程有序的分子排列结构、缺陷及晶界少等优点,表现出优异的光电性能,是实现有机半导体器件实用化的一种重要材料。目前,研究者们已经发展出多种可应用于有机单晶的生长方法,其中,微距升华法是一种可以在大气环境下采用蒸镀的方式制备有机微/纳单晶的方法。然而,当将这种方法应用于C8-BTBT时发现,由于分子的熔点较低,蒸镀得到的是分子直接从液态凝固为无定形/多晶的结构。在本工作中,通过使用溶剂蒸汽退火的方式对其进行后处理,成功地将这种无定形/多晶结构转化为分立的单晶。为了表征所得到的晶体形貌和结构,分别使用光学显微镜、X射线衍射和原子力显微镜等仪器对其进行了表征,发现所制备的晶体结构具备单晶的典型特征。     

超临界翼型跨音速特性实验研究

针对新设计的超临界翼型,采用风洞实验方法验证和评估了其气动特性。在增压连续式跨音速风洞(NF-6风洞)开展了超临界翼型跨音速特性的实验研究,验证了该翼型设计的压力分布曲线特点。激波位置和波后压力平台区长度表明设计结果和实验结果基本一致,揭示了超临界翼型跨音速的气动特性;阻力发散马赫数达到期望的设计指标,探讨了雷诺数对该翼型气动特性的影响。最后采用升华法实现了翼型表面流动特性的显示。结果表明转捩点约在16%弦长位置。     

碘升华和凝华实验的2种改进方法

使用自制装置,改进了碘升华和凝华实验,可以同时观察到升华和凝华现象,且实验装置简单、现象直观.     

石墨弹性波速与热力学函数的理论计算

在全电子水平上,基于广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论和全势能线性缀加平面波方法(FLAPW)计算了石墨的晶体参数和弹性波速;在德拜模型的基础上,利用弹性波速方法和原子位移方法分别计算了石墨的德拜频率;采用统计物理方法计算了石墨在标准条件下(298.5 k,1 atm)的热容,熵,升华焓等热力学函数,并与实验值进行了比较.     

Development of New Type Multi-Elements Doped Carbon-Base Plasma Facing Materials

Carbon-base materials will be major plasma facing materials (PFM) in a fusion device in near term and even in the future in spite of its high tritium trapping and chemical sputtering yield. Of course, the development of high Z PFM and free surface system are also important for fusion energy.     

微重力条件下舱内对流换热的地面质-热比拟

运用热量传递和质量传递的相似比拟原理,对载人航天器地面模拟舱内空气的对流换热和对流传质进行了理论分析,对萘升华质－热比拟实验技术用于微重力舱内对流换热地面模拟的可行性进行了讨论。提出了一种工作压力和模型尺寸保持的抑制自然对流的地面模拟技术,并用数值方法对其进行了验证。结果表明,这一技术可用于载人航天器工作舱内对流换热的地面模拟实验。     

光谱分析气体状态对近空间升华沉积CdTe多晶薄膜的影响

在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜,沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质。文章首先分析了近空间沉积的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,使用氩氧混合气体为工作气体,其中重点讨论了该气体状态(包括气氛和气压)与薄膜的初期成核的关系,即择优取向程度和光能隙与气氛和气压的关系。结果表明,(1)不同气氛下沉积的CdTe薄膜均为立方相结构。随氧浓度的增加,σ增加,氧浓度为6%时,σ最大,之后随氧浓度增加,σ降低,在12%达到最小,然后随氧浓度的增加而增加, 在氧浓度为9%时沉积的结晶更完整。CdTe薄膜的光能隙为1.50～1.51 eV;(2)在氩氧气氛下氧浓度为9%,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe, 此外, 还有CdS和SnO₂:F衍射峰。CdTe晶粒随气压增加有减小趋势,随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动;(3)在氩氧气氛下氧浓度为9%,采用衬底温度550 ℃,源温度620 ℃,沉积时间4 min时制备的CdTe多晶薄膜获得了转换效率优良的结构为SnO₂:F/CdS/CdTe/Au的集成电池。     

管间距对涡强化扁管管片散热器传热的影响

本文应用萘升华传质/传热比拟技术对涡产生器强化的叉排扁管管片式换热器的横向管间距对传热/传质及阻力的影响进行了实验研究。本研究的目的是要得到一可工程应用的关联式,它能反映不同的横向管间距(S_1/S_2=0.582、0.727、0.969)对传热/传质及阻力特性的影响。     

改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶

采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为?15 mm ×35 mm的完整CdSe单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,CdSe单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T >65;,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。