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201.
以前,大多数消声器都是被动式的。而最近对主动式消声器的研究日益多起来了。主动式消声法可分两种方式:一种是采用扬声器等做附加声源,产生与应消去噪声的声压波形反相位的声压波形,使两者相互抵消的方式。这种方式,从理论上说,在相当宽的低频带范围具有消声能力。但是,实际上存在着附加声源的耐久性及其所产生低频波等有关问题。另一种是根据声噪声的频率特性调整消声器的形状方式。本文就是研究这种方式加上控制技术的可变共振腔消声法。这是根据周期性噪声的周期变化,改变共振型消声器的共振腔容积,使共振频率跟踪噪声的主要频率,让共振型消声器的消声能力最大限度地发挥出来。这 相似文献
202.
为了降低噪声对实测红外光谱信号的影响,引入了一种非下采样小波变换的红外光谱数据去噪方法。采用非下采样小波变换对原始光谱信号进行多尺度分解,提取信号的多尺度细节特征;根据光谱信号和噪声在不同尺度上的差异,通过应用变分偏微分方程方法调整分解后的各子带系数;重构各子带就可以将原始光谱信号中真实信号和噪声分离,从而达到剔除噪声的目的。通过两组实验对比传统小波和该方法针对红外光谱数据的消噪效果,实验结果表明:非下采样小波变换在红外光谱数据去噪方面具有明显的优势,不仅能够有效地去除噪声,很好地保持信号的形状,并且均方误差较小;在实际的红外光谱数据处理中能够获得较好的去噪效果。 相似文献
203.
提出了一种利用二维窗口傅里叶变换从径向剪切干涉条纹中准确得到波前的重建技术。首先对剪切干涉条纹做二维窗口傅里叶变换,设置阈值和频率积分范围后,进行二维窗口傅里叶逆变换,然后对包裹相位做去载频和相位展开处理得到相位差分布,最后使用波前迭代算法从相位差中复原实际波前。模拟计算表明,使用该方法最大相位复原误差为0.82%,均方根值为0.020 9 rad,实验结果验证了该方法的有效性。同时也对窗口傅里叶变换的关键参数,如窗函数的选择、窗口大小的确定以及阈值的选取等进行了简要讨论。与传统傅里叶变换法(FFT)相比,基于窗口傅里叶变换的剪切干涉波前检测法有更高的精度和稳定性,为波前检测提供一种新的处理方法。 相似文献
204.
数值模拟研究了钾离子电流对心脏系统中的螺旋波的影响,通过适当减小GK1可以有效抑制心脏中的螺旋波。抑制的物理机制为适当减小GK1可以抑制各种离子电流的激发,导致螺旋波无法自我维持。 相似文献
205.
206.
建立RP-HPLC法测定西洛多辛固体分散体含量。采用Inertsil ODS-3 C18(4.6mm×250mm,5μm)色谱柱,流动相为乙腈:磷酸盐缓冲液(调pH值为7.0)=50∶50(V/V),检测波长220nm,流速1.0mL/min,柱温30℃。结果表明在25—250μg/mL范围内,西洛多辛线性良好(n=6,r=0.9997),平均回收率104.46%,RSD为2.97%。本方法灵敏,快捷,结果准确,可用于西洛多辛固体分散体的含量测定。 相似文献
207.
为研制大功率太赫兹源, 提出以切连科夫表面波振荡器为基础, 采用过模结构来研究0.34 THz信号的产生. 重点研究了慢波结构的各参数对器件输出性能的影响, 对慢波结构进行了优化设计, 并采用数值模拟方法, 对慢波结构实际参数的选取和实验中所允许的加工精度提了具体要求; 最后采用粒子模拟对该结构进行了"热腔"模拟计算. 结果表明该结构能够产生频率为0.34 THz, 输出功率约为7.8 MW的太赫兹信号, 并且稳定工作于表面波振荡器状态. 该结果为下一步0.34 THz太赫兹源的研制奠定了基础.
关键词:
表面波振荡器
慢波结构
太赫兹
粒子模拟 相似文献
208.
为探讨膨胀石墨作为3 mm波干扰材料的消光、散射特性及其影响因素, 基于有限长度、有限电导率圆柱状导体的电磁散射, 利用矩量法建立了膨胀石墨的消光、散射、吸收及后向散射截面(雷达散射截面RCS)的计算式. 运用Mathematica编程计算并分析了膨胀石墨长度、半径、电导率、磁导率等因素与膨胀石墨消光、散射、吸收截面及RCS的关系. 结果表明: 当膨胀石墨的长度为1.5 mm、半径为0.05 mm时, 具有较好的消光、散射效果; 适当增大膨胀石墨的电导率、磁导率, 有利于提高其消光、散射能力. 本研究为探索增强膨胀石墨干扰3 mm波效果的技术途径提供了有价值的参考.关键词:膨胀石墨石墨层间化合物消光截面矩量法 相似文献
209.
210.
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性, 本文利用SILVACO TCAD建立的多指功率SiGe HBT模型, 分析了器件纵向结构中基区Ge组分分布对微波功率SiGe HBT电学特性和热学特性的影响. 研究表明, 对于基区Ge组分为阶梯分布的HBT, 由于Ge组分缓变引入了少子加速电场, 使它与均匀基区Ge组分HBT相比, 具有更高的特征频率fT, 且电流增益β和fT随温度变化变弱, 这有利于防止器件在宽温区工作时电学特性的漂移.同时, 器件整体温度有所降低, 但器件各指温度分布均匀性较差.考虑多指HBT各发射极指散热能力存在差异, 在器件纵向结构设计为基区Ge组分阶梯分布的同时, 对其横向版图进行发射极指间距渐变结构设计, 用于改善器件各指温度分布的均匀性, 进而提高HBT的热稳定性.结果表明, 与基区Ge组分为均匀分布的等发射极指间距结构HBT相比, 新器件各指温度分布均匀性明显改善, fT保持了较高的值, 且β和fT 随温度变化不敏感, 热不稳定性得到显著改善, 显示了新器件在宽温区大电流下工作的优越性.
关键词:
SiGe 异质结双极晶体管
Ge组分分布
发射极指间距渐变技术
热稳定性 相似文献