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71.
纳米尺寸团簇NinZrn(n=3~5)的几何结构与成键规律研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
根据化学键理论与拓扑原理,设计了团簇NinZrn(n=3-5)的可能几何构型,并用从头算方法进行构型优化,结果表明,由NiZr组成的团簇原子间的Zr-Zr和Zr-Ni键明显较强,而Ni-Ni的成键较弱,并发与NinZrn(n=3-5)团簇电子性质与有机烯烃分子等瓣相似,原子之间的成键按照强弱相间的规则分布。  相似文献   
72.
确定等价双电子组态原子光谱项的简便方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
根据Pauli原理 ,即原子体系中完全波函数必须是反对称的要求 ,提出一种推测等价双电子组态原子光谱项的方法。以推测 (np) 2 ,(nd) 2 ,(nf) 2 组态光谱项为例 ,说明该方法是学习原子光谱项过程中容易理解、便于掌握的简便方法  相似文献   
73.
HACCP体系的原理   总被引:8,自引:0,他引:8  
论述了美国从1997年12月18日零时起执行的并被国际认同的HACCP体系的原理,对我国水产品加工企业出口产品与编制产品的HACCP计划有重要指导作用。  相似文献   
74.
对圆盘对心堆叠而成的塔被敲击下端后的相关运动过程进行分析,将塔身的复杂运动分为3个阶段,采用控制变量的方法进行了大量实验.理论上通过堆塔原理来判断塔是否能够保持直立不倒,并对塔运动的全过程进行数值模拟,将实验结果和数值模拟结合,得到相关参量与塔稳定性之间的关系.  相似文献   
75.
大挠度弯曲直梁混合变量最小势能原理的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
应用大挠度弯曲直梁混合变量最小势能原理,求解均载两端固定大挠度柱面弯曲板条的轴向挠度分布和轴向弯矩分布.实例计算表明:该方法简单实用、精度高,是一种计算大挠度柱面弯曲板条变形的有效方法.  相似文献   
76.
分析力学初值问题的一种变分原理形式   总被引:1,自引:1,他引:0  
梁立孚  罗恩  冯晓九 《力学学报》2007,39(1):106-111
明确了分析力学初值问题的控制方程,按照广义力和广义位移之间的对应关系,将 各控制方程卷乘上相应的虚量,代数相加,进而在 原空间中建立了分析力学初值问题的一种变分原理形式,即建立了分析力学初值问题的卷积 型变分原理和卷积型广义变分原理. 推导了分析力学初值问题卷积型变分原理和卷积型广义 变分原理的驻值条件. 在建立分析力学初值问题的一种变分原理形式的同时, 将变积方法推广为卷变积方法.  相似文献   
77.
运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。  相似文献   
78.
采用第一性原理杂化泛函HSE06方法对Fe掺杂α-Bi2 O3的电子结构和光学性质进行了计算研究.结果表明,Fe掺杂α-Bi2 O3体系有较小的结构变形,本征α-Bi2 O3的禁带宽度为2.69 eV,Fe掺杂使α-Bi2 O3的禁带宽度减小(约为2.34 eV).对其光学性质研究得出Fe掺杂扩展了α-Bi2 O3对可...  相似文献   
79.
基于MP2/6-311+G(d)水平, 分别对过渡金属Ti和碱金属Na与O2的反应机理进行了研究. 比较了Ti和Na分别以垂直O—O键和沿着O—O键的方向逼近O2, 以及中性体系Ti/Na+O2和带1个负电荷的体系(Ti/Na+O2)-的情况. 详细分析了不同反应路径的结合能和电荷变化的曲线, 预测了最佳反应方式. 结果表明, 垂直接近方式要比水平接近方式更具有优势; 体系带一个负电荷(Ti/Na+O2)-有利于金属与O2的结合. 同时, 计算结果表明在Ti+O2和(Ti+O2)-体系中Ti容易与单态的O2结合; 在中性体系中Na也容易与单态O2结合, 而在(Na+O2)-体系中Na与三态O2的结合更稳定. 在CCSD(T)/6-311++G(3df)//MP2/6-311+G(d)水平下, 计算了Ti+O2和(Ti+O2)-的反应势能面.  相似文献   
80.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者  相似文献   
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