关于紧覆盖π映射

本文利用紧有限分解覆盖的概念，给出了度量空间的紧覆盖π象以刻划，并证明了g可度量化空间是度量空间的紧覆盖紧映象．     

A CHARACTERIZATION OF THE GENERAL DEN JOY INTEGRAL

We give a necessary and sufficient condition for an abstract integration (Definition 1) to be the general Denjoy integral (D-integral). This is a revised version of the author‘ s paper[2].     

良紧性的分明拓扑模型

本文给王国俊先生发现的良紧性定义了一个分明拓扑模型,利用此模型较为简洁地证明了关于良紧性的吉洪诺夫定理。然后,仿照良紧性的定义方式定义了J——紧性。最后,利用彭育威先生对良紧性作出的几何刻划证明了良紧性与一般的J——紧性之间的一个重要关系。总之,本文的结果对认识模糊拓扑与分明拓扑之间的联系有一定的意义。     

超序列紧fts,可数超紧fts和超列紧fts

文献[1]中定义了序列紧fts(每个不分明集序列有收敛的子序列)和可数紧fts(每个可数开覆盖存在有限子覆盖)。对于序列紧fts,得到“每个fts都是序列紧的”病态结果,由此可见这样定义的序列紧fts不是一般拓扑学中序列紧的良扩张。对于可数紧fts,[2]在评论F-紧性时,论证了凡T_1空间都不是F-紧空间,以上的论证也可得到凡T_1空间都不是可数紧fts的病态结果。我们还要指出,[1]定义的可数紧fts也不是一般拓扑学中可数紧的良扩张。     

关于紧带边Riemann曲面的全纯函数的Nevanlinna类

在这篇文章中,我们讨论紧带边Riemann曲面Q上的全纯函数的Nevanlinna类N(Q),N(Q)包含H^p(Q),证明f∈N(Q)当且仅当f=φ/φ,其中φ与φ是定义于Q的有界金纯函数,且φ没有零点。并且讨论N(Q)中全纯函数的Fatou边界函数。     

γ—TiAI中掺杂原子取代位置的量子化学研究

用（EHT）紧束缚能带计算方法计算了γ-TiAl及其掺杂合金的原子间成键强度，并依据键强度建立了判断掺杂原子取代位置的模型。掺杂原子的位置应根据取代前后的键强度相近的取代方式进行确定，模型预测的结果与场理论方法的结果是一致的，也与实验结果基本相符。据此能够定性判断掺杂原子的取代位置。     

MTDTPY.TCNQ及MTDTPY.CHL电荷转移复合物晶体的电子能带结构 及其与导电性能 关系的研究

用紧束缚近似的EHMO方法对α-MTDTPY·TCNQ(1)、β-MTDTPY·TCNQ(2)及MTDTPY·CHL(3)三种电荷转移复合物晶体的电子能带进行了计算.在1中,电子施体(D)分子MTDTPY及受体(A)分子TCNQ形成交替重叠的一维分子柱(M),柱间无净电荷转移.能隙.E_G=0.15 eV,载流子的产生主要来自热激发.在2及3中,电子施体(D)MTDTPY及受体(A)TCNQ及CHL分子分别形成相对独立的D及A一维分子柱,载流子的产生主要来自柱间的电荷转移.由电子能带结构及关于载流子迁移的Frohlich-Sewell公式,得出上述三种晶体的室温电导率之比为σ_1∶σ_2∶σ_3=3.72×10~(-10)∶1∶1.15,与实验事实基本一致.关于各分子柱对σ的贡献,2中D柱∶A柱～10~3∶1;3中D柱∶A柱～2∶1.根据计算结果,本文还对载流子的迁移机理进行了讨论.     

半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系

报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200 nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N－4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量－优值(Ps/εrEc)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60 nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE) (n :n=70:30)的优值数值处在同一数量级上.