理想D空间和理想scattered空间在信息系统中的应用

通过引入理想D空间概念，研究了理想D空间的空间性质，讨论了理想D空间与理想scattered空间的关系，并通过二者在信息系统中的应用实例进行说明。     

几类非Abel群之增广商群的结构

记ZG为有限群G的整群环,△n(G)为增广理想△(G)的n次幂,Qn(G)=△"(G)/△n 1(G)为G的增广商群.本文考虑了二面体群D2tk(k 奇)和m次对称群Sm,证明了Qn(D2tk)为秩不超过2t 1的基本2-群以及Qn(Sm)≌Z2.     

多元电解质溶液表面张力的新型预测方程

将半理想溶液理论和Butler方程相结合建立了预测多元电解质溶液表面张力的新型线性预测方程.新方程可由二元系数据预测多元系的表面张力数据,而不涉及任何多元交互作用参数.利用不同温度下24个混合电解质溶液的表面张力数据对新方程进行了系统检验.结果表明新方程可利用298.15K时二元系的渗透压系数和不同温度下二元系的表面张力数据预测不同温度下高浓度的多元系的表面张力数据,且预测结果与实验数据符合得很好,并且预测结果普遍优于基于Pitzer方程的表面张力模型.     

理想稀溶液的分子模型与Henry系数

提出了一个理想稀溶液的分子模型,并利用Boltzmann分布定律和Laplace方程导出一个简单的Henry系数表示式,它与溶质分子周围溶剂的内压力或溶剂压密切相关。利用Hildebrand内压力方程,并以纯溶剂的摩尔体积代人,关联了11种气体在正十六烷中的Henry系数随温度变化的实验数据。     

光/电激发方式对AlGaInP及GaN基LED电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异.探讨了影响LED理想因子的因素,确定理想因子的适宜注入强度范围.研究结果表明:结温与注入强度是影响LED理想因子的重要因素;对于特定类型的发光二极管,空间电荷区起主导作用...     

A1/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with inhomogeneous barrier heights

This paper investigates the current-voltage （I-V） characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） in the temperature range of 77 K-500 K, which shows that Al/Ti/4H SiC SBDs have good rectifying behaviour. An abnormal behaviour, in which the zero bias barrier height decreases while the ideality factor increases with decreasing temperature （T）, has been successfully interpreted by using thermionic emission theory with Gaussian distribution of the barrier heights due to the inhomogeneous barrier height at the A1/Ti/4H-SiC interface. The effective Richardson constant A＊ = 154 A/cm2 . K2 is determined by means of a modified Richardson plot In（I0/T2） - （qσ）2/2（κT）2 versus q/kT, which is very close to the theoretical value 146 A/cm2 · K2.     

模糊软格和模糊软理想

把模糊软集理论运用到格上,引入了模糊软格的概念,进一步提出格的模糊软子格、模糊软理想以及模糊软格的模糊软理想等,并通过α-水平截集给出了模糊软格和模糊软理想的等价刻画,最后研究了它们的一些基本性质。     

(λ,μ)模糊软环(理想)与模糊软同构定理

在软集和模糊集的基础上,引入了(λ,μ)模糊软环和(λ,μ)模糊软理想的概念,研究了它们关于软集交、并运算的相关性质,探讨了它们在模糊软同态下的像。另外,还提出了(λ,μ)模糊商软环的定义,进一步建立了(λ,μ)模糊软环上的第一、第二模糊软同构定理。     

PVMR的一些刻画

In this paper, we study Prufer wmultiplication rings （PVMRs） and give some new characterizations of PVMRs. Moreover, we show that a Marot ring R is a PVMR if and only if every w-ideal of R is complete.