具有Bernoulli休假的M/G/1重试可修的排队系统

本文研究了具有Bernoulli休假、一般重试的服务台可修的M/G/1排队系统,求得系统稳态解存在的充分必要条件.利用补充变量法求得系统的排队指标和可靠性指标.     

一种矩阵归结方法

提出了一种新的归结方法一矩阵归结。结合归结原理的单文字、纯文字、分裂规则以及Petri网的T-不变量归结的思想,给出了几种矩阵归结策略,证明了它们的完备性。方法简单易行,大大降低了归结的复杂性,提高了归结效率。     

FDI影响我国经济增长的实证研究

通过对我国FDI主要特点和发展趋势进行分析,以内生经济增长理论为基础,从生产函数的基本模型出发,构建我国全要素生产率的测度模型,运用协整检验和格兰杰因果检验的分析方法,探究FDI与全要素生产率的关系,揭示FDI对我国经济增长的影响机理,最后利用我国1985-2007年经济发展数据进行实证研究。研究结果表明:FDI的大量进入,对我国经济增长具有一定的促进作用,但这种作用具有时滞性,是一种长期的趋势。     

二次谐波产生中入射啁啾脉冲对相位的影响

讨论了基波为叔率啁啾脉冲的二次谐波产生过程，结果表明选取合适的啁啾参量可以提高二次谐波的光强，但同时会使其波形和相位发生变化，三次相位的畸变主要取决于入射的基波啁啾脉冲，而与相位匹配的失谐量关系不大。     

拉曼光谱法分析与鉴别不同精炼程度的石蜡

建立拉曼光谱法分析与鉴别不同精炼程度的石蜡.分别采用532 nm和633 nm波长的激光对全精炼、半精炼和粗石蜡进行拉曼光谱分析,并用化学计量学工具探索形成差异的关键因素.石蜡样品的谱峰在532 nm下的信号强度比633 nm的高,但无法以肉眼分辨不同精炼程度石蜡样品的谱图差别.按照不同激光波长将数据分组并进行主成分以...     

分数阶非保守Lagrange系统的一类新型绝热不变量

为了更加准确地描述复杂非保守系统的动力学行为,将Herglotz变分原理推广到分数阶模型,研究分数阶非保守Lagrange系统的绝热不变量.首先,基于Herglotz变分问题,导出分数阶非保守Lagrange系统的Herglotz型微分变分原理并进一步得到分数阶非保守Lagrange系统的运动微分方程;其次,引进无限小单参数变换,由等时变分和非等时变分的关系,导出了分数阶非保守Lagrange系统的Herglotz型精确不变量;再次,研究小扰动对分数阶Lagrange系统的影响,建立了基于Caputo导数的分数阶Lagrange系统的绝热不变量存在的条件,得到了该系统的Herglotz型绝热不变量;最后,举例说明结果的应用.     

主振荡功率放大结构窄线宽全光纤激光器334 W高功率输出

搭建了一台全光纤结构的窄线宽高功率掺镱光纤激光器。种子激光的输出功率大于40 mW,线宽窄于100 MHz。采用主振荡功率放大结构三级放大,主放泵浦功率为405 W时得到了334 W的窄线宽高功率激光输出,光光转换效率为82.4%。目前,激光器输出功率仅受限于泵浦功率,增加有效泵浦功率即有望进一步提高输出功率。     

物理学中的全量子化效应与新的探索

在一般的第一性原理计算中,原子核总是被近似成经典粒子.然而,在一些特殊的体系中,原子核的量子效应对体系的物理性质和物理过程有着至关重要的影响.在相关问题的模拟中,考虑了原子核量子效应的全量子化计算,展示了其独有的准确性.目前,路径积分分子动力学是被广泛采用的全量子化计算方法.而第一性原理的路径积分分子动力学不仅保留了第一性原理计算中电子结构和电子基态能量计算的方法,同时还应用费恩曼（Feynman）路径积分原理,得到了包含原子核量子信息的运动方程.张千帆等人应用第一性原理路径积分分子动力学,计算了BaZrO3中氢核的输运情况.结果表明,原子核的量子化对输运中两个不同的子过程有不同程度的影响,它使得有氢氧键断裂的T过程的势垒下降更多,使T过程成为快过程,从而验证了红外光谱实验的结果,同时否定了传统计算给出的T过程是慢过程的结论.     

金属双边二次电子倍增的理论分析与数值模拟

针对金属双边二次电子倍增现象,分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞电势;并根据二次电子发射的材料特性,研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选取电子初始发射能量和角度,数值研究了二次电子倍增的敏感区间,并与理论结果进行了比对,给出了二次电子数目随时间的增长关系。利用材料二次发射特性的经验公式,辅以电子碰撞角和碰撞能量计算以及对二次电子初始能量和发射角度的蒙特卡罗随机抽样算法,编制了3维全电磁粒子模拟程序NEPTUNE的金属边界二次电子发射功能模块,模拟金属双平板二次电子倍增过程,获得了二次电子倍增物理图像、二次电子数目随时间演化规律等结果。模拟结果不仅验证了理论分析,还表明在合适的条件下,空间电荷限制作用将导致二次电子倍增的饱和。