手性钯络合物催化下2-硝基环酮的不对称烯丙基化反应

在用氮杂冠醚改良的手性二茂铁膦与钯的络合物催化下, 2-硝基环酮可进行不对称烯丙基化反应. 讨论了配位基的形状, 反应物的构造, 碱的类型以及反应时间对反应速率和立体选择性的影响. 通过增加反应的空间位阻改进了反应的立体选择性 .     

溶胶-凝胶法合成有机/无机杂化材料进展——1.组分间以化学键作用的有机/无机杂化材料

介绍了溶胶－凝胶法（Sol-gel process)制备组分间以化学键作用的有机／无机杂化材料的基本情况,根据合成方法进行分类,并指出其发展趋势。     

萜类化合物13C NMR化学位移的定量构谱相关研究

利用原子电性作用矢量(Atomic electro-negativity interaction vector,AEIV)和原子杂化状态指数(Atomic hybridization state index,AHSI)对萜类化合物中的C原子进行结构表征并与其核磁共振碳谱(13C NMR)建立了优良的定量构谱相关(QSSR)模型.其中29个单萜类化合物中的290个C原子建模的计算值经留一法(Leave-one-out,LOO)交互校验(Cross-validation,CV)预测值的复相关系数(R)分别为0.9900和0.9867,进一步使用倍半萜、二萜、三萜化合物分子中65个C原子的13C NMR化学位移值来检测该模型的稳定性,模型预测值和观测值间复相关系数(R)为0.9777,取得了令人满意的结果.     

铜三氟柳配合物的合成,结构和仿生催化溴化

合成了一系列2-羟基-4-三氟甲基苯甲酸（h₂tba）-铜配合物：[Cu（htba）₂（pz）₂]（1）,[Cu（htba）（2,2''-bipy）]（htba）（2）和[Cu（htba）₂（4,4''-bipy）]（3）（h₂tba=2-羟基-4-三氟甲基苯甲酸,pz=吡唑,2,2''-bipy=2,2''-联吡啶,4,4''-bipy=4,4''-联吡啶）,并且通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、粉末X射线衍射、单晶X射线衍射和热重分析方法对配合物结构进行了表征。这些配合物能够在过氧化氢和溴化物存在的条件下催化苯酚红溴化,并且展示出了较高的催化溴化活性。     

4-甲基-5-卤代-2-噻吩甲醛和2,4-二甲基-5-卤代噻吩的合成

以3-甲基噻吩为原料,经过卤代反应、Vilsmeier甲酰化反应和Wollf L-Kishner-Huang minion反应合成了4-甲基-5-卤代-2-噻吩甲醛和2,4-二甲基-5-卤代噻吩,其结构经NMR,IR,MS和元素分析确证.     

纳米金杂化酶研究进展

随着纳米技术和生物技术的发展,将纳米颗粒材料与天然酶结合起来构建纳米杂化酶,可以解决酶的负载量低、活性和稳定性不好等问题.目前,新型纳米颗粒材料-纳米金被广泛应用于构建杂化酶体系.我们将从纳米金杂化酶的种类、制备方法、优势以及应用等方面对纳米金杂化酶的研究进展进行概述.     

脉冲激光法制备修饰纳米Eu_2O_3/聚苯胺导电杂化薄膜

采用聚焦脉冲激光法(PLA-IT/SFL)制备修饰纳米Eu2O3/聚苯胺有机溶胶及其杂化薄膜材料。考察了制备条件对修饰纳米Eu2O3/聚苯胺有机溶胶荧光性能的影响。TEM显示Eu2O3粒子粒径约为15 nm且其在聚苯胺中有较高的稳定性。荧光光谱表明该杂化薄膜材料在紫外光照射下发出强烈的红光,且荧光强度达2.53×105a.u。杂化薄膜材料的电导率为1.13×10-2S.cm-1。热分析表明该杂化薄膜比导电性聚苯胺(PAN-HCSA)薄膜具有更好的热稳定性。该杂化薄膜材料可望用于电致发光领域。     

赋Orlicz范数的Musielak-Orlicz序列空间的Gateaux可微点与Frechet可微点

该文给出赋0rlicz范数的Musielak-Orlicz序列空间中Gateaux可微点(光滑点)与Frechet可微点(强光滑点)的判定准则．在此基础上推出了该空间具有光滑性或强光滑性的充分必要条件．     

EPT／BIIR橡胶密封材料制备及其性能

为了探索具备低水蒸气透过系数、低透气系数、低压缩永久变形以及良好耐老化性能的新型橡胶密封材料，鉴于影响并用胶性能的主要因素是共混相容性以及硫化速度，从实现并用胶优势互补角度出发，优选综合性能较好的三元乙丙橡胶（EPT）和溴化丁基橡胶（BIIR），开展了EPT／BIIR共混共硫化技术研究，并开展了DBPMH／HVA-2过氧化物硫化体系在EPT／BIIR并用胶中的应用研究。     

N在Zn1-xBexO合金中热力学稳定性的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性.结果表明:Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,No的形成能增加约0.2 eV.当近邻Be原子数为2和3时,No的受主离化能比较低.Be浓度为11at;时,具有2个近邻Be原子的No的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电.考虑No在室温条件下的受主离化率和No形成能的影响,估算出Be-N所提供的空穴载流子浓度不会高于1017 cm-3;如果计及n型背景载流子的补偿效应,Be-N共掺ZnO的p型导电率应该比较低.