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81.
《分析化学》2006,34(3):297-297
会议由清华大学、生物芯片北京国家工程研究中心、科技部、教育部、国家自然基金委等单位共同主办,由生物芯片北京国家工程研究中心具体筹办。  相似文献   
82.
LB膜中螺吡喃材料的光学性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用LB技术制备螺吡喃有序分子膜,研究了气液界面上螺吡喃材料在不同成份和不同pH值亚相时的成膜行为,着重研究了螺吡喃在LB膜这个特殊介质环境中不同于溶液的光致变色机理和光学性质  相似文献   
83.
采用红外光谱法测定D物质含量,以四氯化碳的为溶剂,0.1mm液体池,FT-IR进行吸光度值测量,通过回归分析,达到对D物质定量分析目的,回归方程Y=0.129x+0.2027,相关系数r=0.9990,回收率达96.80%,线线性范围为0.5~8.0g/L。  相似文献   
84.
自旋交叉配合现象与分子电子器件   总被引:2,自引:0,他引:2  
陈友存  刘光祥 《化学通报》2002,65(8):539-543
自旋交叉配合物在热、压力或光诱导自旋交叉现象的同时会伴随着其它一些协同效应,比如配合物颜色的改革、存在着大的热滞后效应等,这些协同效应是单个分子或分子集合体作为热开关、光开关和信息存储元件材料的基础。因此,自旋交叉配合物是开发新型的热开关、光开关和信息存储元件材料的理想分子体系。本文概述了自旋交叉现象的研究历史、现状和未来的发展趋势。讨论了影响配合物自旋交叉性质的各种内在的和外部的因素,总结了目前用于研究自旋交叉现象的各种现代测试技术。最后,展望了自旋交叉配合物在分子电子器件方面的应用前景。  相似文献   
85.
电子自旋共振准三维图象的重建方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
根据投影切片原理, 设计了一个简单而有效的ESR图象重建算法和程序, 可利用样品的一集ESR谱, 方便地绘制出样品在某截面的自旋密度立体轮廓图、等值图和散点密度分布图等, 为分析和研究自旋密度的分布及其性质, 提供了直观依据。作为应用, 文中给出了石英杜瓦受紫外光辐照后产生的局部晶格缺陷——F心的空间分布图, 图中清楚表明, F心的浓度与辐照方向和辐照强度的密切关系, 与试验结果完全相符。  相似文献   
86.
巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景,讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。  相似文献   
87.
倪才华  冯志云  黄鹤 《有机化学》2004,24(8):966-969
为了探讨有机化合物的分子结构与理化性质的关系,作者在以前的工作基础上,基于一阶分子连通性拓扑指数构建了一个信息拓扑指数.将拓扑指数与取代脂环烃系列分子的气态标准生成热、气态标准熵、气态标准生成自由能、沸点、临界温度、临界压力、临界体积、汽化热、密度、热容及表面张力等十一种热力学性质及物理化学性质相关联,用一个通用公式对各类性质进行概括,然后用已有的实验数据与拓扑指数进行回归分析,得到一系列计算各性质的经验公式.回归结果发现,分子的理化性质与拓扑指数有较好的相关性,有5类性质的复相关系数大于0.99.用经验公式对各类性质进行重新计算,其结果与实验值比较符合,用实验值对计算值作图,发现各数据点紧靠对角线,说明误差较小.残差分布呈正态分布.  相似文献   
88.
化学文摘社和国际科技信息检索网   总被引:1,自引:0,他引:1  
化学文摘社和国际科技信息检索网张立群(美国化学文摘社,ChemicalAbstractsService,P.O.Box3012.ColumbusOH43210,USA)张曼平(青岛海洋大学化学系,266003)从1907年建立以来,化学文摘社(CAS...  相似文献   
89.
云南地区速度结构的横向不均匀性   总被引:20,自引:0,他引:20  
本文利用了地震层析技术的原理和方法,在云南地区成功地重建了10个不同深度的速度剖面图象,这些速度剖面和6条深地震测深的速度剖面一致。本文使用的重建方法有两大优点:(1) 速度模式是通过指定节点速度和通过已知基函数的线性插值而确定,这样就建立了一个横向连续而垂向不连续的速度场;(2) 速度参数和震源参数通过正交投影算子使之分离,采用顺序正交三角化和修正的奇异值分解,这些措施使内存的需要量减小一个量级,计算量减少一半。  相似文献   
90.
郭丽  虞忠衡  朱士正  陈庆云 《化学学报》2005,63(10):897-902,i002
用密度泛函理论研究了CF3SO3CF2CF3 F^-的碳氧键断裂反应的机理。首先,用DFT方法优化了反应物、中间体、过渡态、产物的平衡构型,分析了碳氧键断裂反应的势能面变化,发现在SN2反应机理中,除了S-O断裂SN2反应外,引起C-O键断裂的同面进攻也是一个可能的反应途径。理论计算表明,最终反应的产物是受热力学控制的,S-O键的断裂绝对地优于C-O的断裂。因此,C-O断裂的同面机理虽然是可能的,但却难以被实验观察到,本文还讨论了端基-CF3在同面SN2反应中的邻位效应,以及基组对这个效应的影响。  相似文献   
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