几类特殊图的优美性

证明了对任意大于1的自然数n,p,当m≥2p＋2时,非连通图Fm∪Kn,p和Fm,2 m∪Kn,p是优美图;当m≥3时,图Fm∪St（n）是优美图;当m≥4,图Fm,2 m∪St（n）和Fm,2 m∪Gr是优美图.     

基于PSW-DID模型的最严格水资源管理政策评估效应

水利是农业的命脉,农业节水灌溉是突破农业粮食生产的水资源瓶颈,2011年建立了最严格水资源管理制度。基于此,本文以塔里木河流域5个地州42个县市和兵团4个师为样本,使用倾向得分加权双重差分(PSW-DID)方法,从最严格水资源管理对扩大耕地灌溉面积以及促进农业发展两个方面,客观评价最严格水资源管理政策的实施效果。研究发现:(1)PSW-DID模型不仅解决了内生性问题,消除了样本选择性偏差,而且采用重叠权重实现了处理组与控制组之间的平衡,避免了PSM-DID模型中控制组样本损失,提升了估计的效率与稳健性;(2)最严格水资源管理红线的划定对耕地灌溉面积扩大有正向促进作用,政策实施效果因灌区类型、耕地类型不同而产生差异;(3)耕地灌溉面积扩大可以为最严格水资源管理政策在推动农业发展方面提供重要保障,在中型灌区实施该政策对农业生产总值的促进效果更加显著。     

具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V.     

优天力营养包对幼儿中四种微量元素的影响

目的研究优天力营养包对幼儿中4种微量元素的影响。方法:在21例1~3岁幼儿服用优天力营养包两个月后,采集头发,用火焰原子吸收光谱法测定Fe、Zn、Mg、Ca的含量,并与服用前比较。结果服用优天力营养包后,幼儿中的微量元素明显增加。其中,Fe含量最低增加了23.36%;Zn含量最低增加了11.45%;Mg含量最低增加了4.25%;Ca含量最低增加了6.76%。结论优天力营养包可以提高1~3岁幼儿中体内微量元素的含量,并处于相对安全状态。     

一种严格最佳(ν,k,1)光正交码的设计方法

介绍了严格最佳和准最佳(ν,k,1)光正交码的定义，阐述了它们与(ν,k,1)循环差集族的关系。基于Wilson均匀分布差引理和初等数论的基本理论，提出一种最佳(ν,k,1)循环差集族的构造方法，即构造定义在ν阶有限域上满足特定约束条件的k元集合。将该方法用于光正交码的设计中，可以有效地设计一些严格最佳(ν,k,1)光正交码，其中，码长ν为素数，码重k的取值为4、5和6。最后结合具体实例，给出严格最佳(ν,k,1)光正交码的计算机辅助设计方法。同其他设计方法相比，该设计方法既简单又实用，尤其对严格最佳（ν,k,1）光正交码而言，设计效率较高；随着码重k的增加，码的设计效率逐渐降低。     

核范数函数的广义变分不等式问题的稳定性

本文主要研究凸函数为线性矩阵映射核范数的广义变分不等式(generalized variational inequal-ity,GVI)问题的稳定性,提出GVI问题的严格Robinson约束规范和二阶充分最优性条件,并证明它们是KKT (Karush-Kuhn-Tucker)映射逆映射孤立平稳性的充分条件;还给出GVI...     

相对优集及其在不可约算法中的应用

从优集出发,提出了相对优集的定义及其计算算法.并将其应用到不可约零点分解中,提供了一种新的不可约零点分解算法.从实例计算结果可知,就某些多项式方程组而言,相对于原来已有的算法,使用相对优集修改后,能够很好地进行分解,减少了冗余分支的出现.     

关于Newton法的Kantorovich型定理及其优函数

本文研究Newton法的Kantorovich型定理的特点及其对Newton法的半局部收敛性研究的思想方法,论述广义Lipschitz条件下的Kantorovich型定理的概括性和统一性.同时,在理论上当x_0取定时,针对每一个满足广义Lipschitz条件的光滑算子,给出优函数的一个构造方法.     

极紫外投影光刻掩模阴影效应分析

极紫外（EUV）投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸（CD）都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模（物方）最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模（物方）焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22 nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。