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为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V. 相似文献
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Vesselin G. Gueorguiev 《原子核物理评论》2017,34(1):105-109
讨论了核结构模型中两体以上相互作用的可能形式。首先以基于手征微扰论并适于描述轻核的三体接触型相互作用为例,讨论了能合理描述3H 和3He 结合能的三核子接触型相互作用相关的两个低能有效耦合参数cD 和cE间的关系并通过4He 结合能给出了相应的物理参数区。其次通过Okubo-Lee-Suzuzki 有效相互作用方法对核多体问题在有限模型空间的求解,论证了A-体相互作用项。最后利用包含了A-体推广对力的可解模型对重核的同位素长链进行了分析。以132Sn 为核芯,通过对Sn 同位素链的计算揭示了推广对力参数G(A) 与模型价核子空间维数dim(A) 间的显著关系:G(A)=259.436 dim(A)-0.9985。这些分析结果说明,有必要对核中经手征微扰论或其它唯象理论所得到的NNN-,NNNN-,及A-体相互作用作进一步的研究。We discuss modeling of nuclear structure beyond the 2-body interaction paradigm. Our first example is related to the need of three nucleon contact interaction terms suggested by chiral perturbation theory. The relationship of the two low-energy effective coupling parameters for the relevant three nucleon contact interaction terms cD and cE that reproduce the binding energy of 3H and 3He has been emphasized and the physically relevant parameter region has been ilustrated using the binding energy of 4He. Further justification of A-body interaction terms is outlined based on the Okubo-Lee-Suzuki effective interaction method used in solving the nuclear many-body problem within a finite model space. The third example we use is an exactly solvable A-body extended paring interaction applied to heavy nuclei with a long isotopic chain; in particular using 132Sn as closed core system illustrates a remarkable relationship between the extended pairing strength G(A) and the size of the valence space dim(A) for the members of the Sn-isotope chain: G(A)=αdim(A)-β with α=259.436 and β =0.9985 which is actually a one parameter expression since β is practically 1. These three cases present evidence for the need of better understanding of the NNN-, NNNN-, and A-body interactions in nuclei either derived from ChPT or from a phenomenological considerations. 相似文献
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利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U(2l+1)→O(2l+2)过渡区的能谱和波函数的严格解. 给出了该系统Bethe假定方程的数值解法. 相似文献
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极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22 nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3 nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。 相似文献
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速度图变换的整体有效性陈晓江(武汉工学院数学教研室武汉430070)关键词:速度图变换;拟线性严格双曲组;等值线AMS(1991)主题分类:35L40一阶拟线性严格双曲组b..、&_&..&三十/(r,s)于一0,三十小r,s)子一0(1)&”””d... 相似文献
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