NaYF4∶Yb3+,Tm3+负载壳聚糖微球的制备及发光性质研究

采用溶剂热法合成了聚乙烯亚胺(PEI)修饰的NaYF4∶Yb3+,Tm3+纳米晶。产物具有良好的结晶性,粒径分布均匀,可稳定分散在水溶液中。通过微乳法制备了NaYF4∶Yb3+,Tm3+纳米晶负载壳聚糖微球。结果表明:纳米晶均匀地嵌在壳聚糖微球的表面壳层,球核为纯壳聚糖的交联产物。粗糙的球体表面使微球具有较好的分散性。在980 nm近红外光激发下,纳米晶负载壳聚糖微球具有良好的上转换发光特性,发光强度随纳米晶负载量的增加而增大,通过调控纳米晶的负载量可实现对纳米晶负载壳聚糖微球发光强度的调控。     

端面抽运Tm，Ho∶YLF连续激光器的参数优化与实验研究

研究了激光二极管端面抽运Tm,Ho∶YLF连续激光器的输出特性,并对激光器的参数进行了优化.在考虑能量传递上转换的前提下,通过准三能级速率方程推导出了连续抽运Tm,Ho∶YLF激光器输出功率与抽运功率关系的表达式.对激光晶体的粒子掺杂浓度、晶体长度、激光束腰半径与抽运光束腰半径比值以及输出镜透过率等激光器参数进行了优化.实验上得到了激光输出功率随抽运功率的变化关系,并将其与理论结果进行了比较,发现比较吻合,从而验证了理论模型的合理性. 关键词： Tm Ho∶YLF晶体 速率方程 能量传递上转换 参数优化     

Green and red up-conversion emissions and thermometric application of Er^3＋-doped silicate glass

The green and red up-conversion emissions centred at about 534, 549 and 663 nm of wavelength, corresponding respectively to the ^2H11/2 → ^4I15/2, ^4S3/2 → ^4I15/2 and ^4F9/2 → ^4I15/2 transitions of Er^3＋ ions, have been observed for the Er^3＋-doped silicate glass excited by a 978 nm semiconductor laser beam. Excitation power dependent behaviour of the up-conversion emission intensity indicates that a two-photon absorption up-conversion process is responsible for the green and red up-conversion emissions. The temperature dependence of the green up-conversion emissions is also studied in a temperature range of 296-673 K, which shows that Er^3＋-doped silicate glass can be used as a sensor in high-temperature measurement.     

A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and a recessed drain

A low specific on-resistance(Ron,sp) integrable silicon-on-insulator(SOI) metal-oxide semiconductor field-effect transistor(MOSFET) is proposed and investigated by simulation.The MOSFET features a recessed drain as well as dual gates,which consist of a planar gate and a trench gate extended to the buried oxide layer(BOX)(DGRD MOSFET).First,the dual gates form dual conduction channels,and the extended trench gate also acts as a field plate to improve the electric field distribution.Second,the combination of the trench gate and the recessed drain widens the vertical conduction area and shortens the current path.Third,the P-type top layer not only enhances the drift doping concentration but also modulates the surface electric field distributions.All of these sharply reduce Ron,sp and maintain a high breakdown voltage(BV).The BV of 233 V and Ron,sp of 4.151 mΩ·cm2(VGS = 15 V) are obtained for the DGRD MOSFET with 15-μm half-cell pitch.Compared with the trench gate SOI MOSFET and the conventional MOSFET,Ron,sp of the DGRD MOSFET decreases by 36% and 33% with the same BV,respectively.The trench gate extended to the BOX synchronously acts as a dielectric isolation trench,simplifying the fabrication processes.     

一种严格最佳(ν,k,1)光正交码的设计方法

介绍了严格最佳和准最佳(ν,k,1)光正交码的定义，阐述了它们与(ν,k,1)循环差集族的关系。基于Wilson均匀分布差引理和初等数论的基本理论，提出一种最佳(ν,k,1)循环差集族的构造方法，即构造定义在ν阶有限域上满足特定约束条件的k元集合。将该方法用于光正交码的设计中，可以有效地设计一些严格最佳(ν,k,1)光正交码，其中，码长ν为素数，码重k的取值为4、5和6。最后结合具体实例，给出严格最佳(ν,k,1)光正交码的计算机辅助设计方法。同其他设计方法相比，该设计方法既简单又实用，尤其对严格最佳（ν,k,1）光正交码而言，设计效率较高；随着码重k的增加，码的设计效率逐渐降低。     

纳米晶ZrO2:Er3+-Yb3+的制备及其室温上转换发射

用化学共沉淀法制备了ZrO₂:Er³⁺-Yb³⁺纳米晶粉体，所制备的纳米晶粉体具有较强的室温上转换发射和红外发射.研究了样品的晶体结构和上转换发光性质随着Yb³⁺掺杂浓度和煅烧温度的变化关系.通过X射线衍射谱分析发现，经800℃煅烧2h后得到的ZrO₂:Er³⁺-Yb³⁺纳米晶是四方相和单斜相的混合结构，经950℃煅烧2h后得到的样品以单斜相为主，随着Y     

质点从可自由移动的凹曲面上滑下的速度、加速度和时间

对于一个质点从可自由移动的光滑的凹曲面上滑下的速度、加速度和时间作了一般性讨论,建立了相应的公式.并对质点的运动平面与凹曲面的交线分别为直线、抛物线和椭圆等情况进行了具体的计算.     

SOI新结构——SOI研究的新方向

SOI（silicon-on-insulator：绝缘体上单晶硅薄膜）技术已取得了突破性的进展，但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，以硅作为顶层的半导体材料，这样导致了一些不利的影响，限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件／电路的要求，探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM，GPSOI，GeSiOI，SionAlN，SiCOI，GeSiOI，SSOI等。文章将结合作者的部分工作，报道SOI新结构研究的新动向及其应用。     

sl玻色子体系在U(2l+1)O(2l+2)过渡区的严格解

利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U( 2l+ 1 ) O( 2l+ 2 )过渡区的能谱和波函数的严格解 .给出了该系统Bethe假定方程的数值解法 .     

稀土氟化物Y0.97Er0.03F3纳米材料的制备及上转换发光

通过燃烧法和控温热反应法制备了稀土氟化物纳米材料，利用XRD和TEM对样品进行了分析和表征。测量了发射波长为980nm激光二极管激发下所得纳米材料的上转换发光性质。