首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2316篇
  免费   445篇
  国内免费   557篇
化学   446篇
晶体学   2篇
力学   225篇
综合类   64篇
数学   1768篇
物理学   813篇
  2024年   11篇
  2023年   44篇
  2022年   56篇
  2021年   78篇
  2020年   49篇
  2019年   59篇
  2018年   35篇
  2017年   73篇
  2016年   79篇
  2015年   79篇
  2014年   154篇
  2013年   110篇
  2012年   136篇
  2011年   134篇
  2010年   139篇
  2009年   138篇
  2008年   163篇
  2007年   153篇
  2006年   165篇
  2005年   136篇
  2004年   145篇
  2003年   128篇
  2002年   108篇
  2001年   97篇
  2000年   116篇
  1999年   91篇
  1998年   99篇
  1997年   86篇
  1996年   56篇
  1995年   68篇
  1994年   65篇
  1993年   57篇
  1992年   53篇
  1991年   45篇
  1990年   47篇
  1989年   27篇
  1988年   6篇
  1987年   6篇
  1986年   10篇
  1985年   5篇
  1984年   3篇
  1983年   6篇
  1982年   2篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有3318条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
表面活性剂增敏2.5次微分极谱测定香豆素   总被引:1,自引:0,他引:1  
拟定了表面活性剂增敏、2 .5次微分极谱测定香豆素的方法。在含 6.0× 10 -6 mol·L-13 氯 2 羟丙基 三甲基氯化铵的 0 .1mol·L-1KH2 PO4 Na2 HPO4 (pH 6.8)缓冲液中 ,香豆素还原波 [峰电位Ep=- 1.60V(vs .SCE) ]的 2 .5次微分极谱峰峰电流e″p 与其浓度在 4 .0× 10 -7~ 6.0× 10 -5mol·L-1范围内呈良好线性关系 (r =0 .9998,n =10 ) ,检出限为 1.2× 10 -7mol·L-1。 13次平行测量 8.0× 10 -6 mol·L-1香豆素的峰电流 ,RSD为 1.5 %。该方法可用于中药白芷中香豆素的直接测定  相似文献   
52.
本文应用CNDO/2法研究了炼铝用碳阳极中添加碱金属氧化物的吸附行为, 通过优化得到了吸附的最佳模型, 考察了吸附结合能随分子间距的变化, 进而给出了碱金属氧化物在碳阳极中作用的机理。量子化学计算结果表明: 碱金属氧化物添加到炼铝用碳阳极中起传输电子的电桥作用, 是碳阳极在空气中氧化反应以及铝电解时生成氧气的氧化反应的催化剂; 理论计算和实验结果二者吻合较好, 可以用来解释若干实验结果。  相似文献   
53.
倪龙  陈晓 《物理学报》2018,67(20):204301-204301
由于兰姆波的多模和频散特性,实际检测时在同一激发频率下存在多种模式的混合信号,而各模式信号有不同的频散特性,使得在时频混叠的情况下兰姆波的检测变得十分复杂.本文在频散补偿的基础上,通过时延函数建模,依靠不同模式频散趋势的差异性,将时频混叠信号的分离问题转化为部分模式混叠信号的分离问题.基于分数阶微分的理论,用信号幅值谱分数阶微分极大值和对应频率分别与微分阶次拟合多项式实现特征参数的提取并依靠特征参数重建幅值谱.结合相位谱重构时域信号以实现部分混叠信号中频散补偿后的模式的分离.最后恢复频散获得分离后的兰姆波信号.仿真和实验结果表明,本文方法不仅可以实现时频混叠多模式兰姆波信号的分离,更能保证分离精度,有助于复杂多模式频散信号的分离与处理的进一步研究.  相似文献   
54.
将含有1.0%普鲁士蓝的碳黑与固体石蜡按2.5∶1(质量比)混合后装入φ0.2mm的石英毛细管中,在其上端插入一铂丝并抛光后即制成普鲁士蓝修饰碳黑微电极.对多巴胺(DA)及抗坏血酸(VC)在此电极上的电化学行为及应用此电极测定两组分的最佳条件进行了研究,在定量测定中采用二次微分线性扫描伏安法.在最佳条件下,DA与VC的峰电流(i″p)分别与各自的浓度保持如下线性关系DA为4.0×10-6~8.0×10-4mol·L-1,VC为6.0×10-5~1.0×10-3mol·L-1;检出限(3σ)依次为2.0×10-6mol·L-1及1.0×10-5mol·L-1.应用此方法分析了3种含DA及VC的混合溶液,测得结果的相对标准偏差(n=8)依次小于2.0%及3.0%,回收率范围依次为96.5%~101.0%及95.0%~102.5%.  相似文献   
55.
利用Nafion,石墨烯(GS)和纳米金(AuNs)的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)分散液制备了一种新型纳米复合膜修饰碳糊电极(CPE),建立了一种测定扑热息痛(PCT)的新方法。采用扫描电镜(SCE)对修饰电极进行了表征;利用循环伏安法(CV)研究了PCT在修饰电极上的电化学行为。利用微分脉冲溶出伏安法(DPSV)优化了测定PCT的试验条件。结果表明:PCT在Nafion/GS/AuNs修饰电极上于0.43V处出现了一灵敏的氧化峰(Epa),其电极过程受扩散控制。同时利用氧化峰可以进行微量PCT的检测,其峰电流(ip)与PCT浓度(c)在0.5~10μmol/L和10~900μmol/L范围内均呈良好的线性关系,相关系数分别为0.9968和0.9973,检出限(S/N=3)为0.1μmol/L。复合膜修饰电极稳定性较好,可用于实际药品中扑热息痛的含量的快速检测。  相似文献   
56.
C70X2(X=H,F, Cl)的稳定性和电子光谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
滕启文  吴师  郝策  赵学庄  唐敖庆  封继康 《化学学报》1997,55(11):1072-1076
用INDO方法研究C70H2四种异构体的稳定性, 表明其最稳定异构体为1, 9-C70H2和7, 8-C70H2, 两者能量差为16.3KJ.mol^-^1, 与实验值及ab initio计算值接近; 光谱计算表明, 其特征吸收峰与实验值一致。在此基础上预测C70F2和C70Cl2的稳定性和电子光谱, 表明C70F2四种异构体的稳定性顺序与C70H2一致, 而C70Cl2则以21, 42-异构体最为稳定。二者的电子光谱与C70H2极其相似只是在500nm以上有细微差别。  相似文献   
57.
Differential pulse stripping voltammetry method(DPSV) was applied to the determination of three herbicides,ametryn,cyanatryn,and dimethametryn.It was found that their voltammograms overlapped strongly,and it is difficult to determine these compounds individually from their mixtures.With the aid of chemometrics,classical least squares(CLS),principal component regression(PCR) and partial least squares(PLS),voltammogram resolution and quantitative analysis of the synthetic mixtures of the three compounds were successfully performed.The proposed method was also applied to the analysis of some real samples with satisfactory results.  相似文献   
58.
倪良  卢洁 《物理化学学报》1996,12(2):146-151
讨论了沸点升高法测定混和溶剂化热和汽化熵的原理,并用拟静态法测定了乙醇-丙酮,并-四氯化碳和苯,甲苯三组混和溶剂在不同组成下的正常沸点,根据沸点数据求得了混和泶微分汽化热和汽化熵,实验结果表明,二元混和溶剂与理想溶液偏离不大时,其正常汽化熵符合Trouton规则。  相似文献   
59.
彭灿伟  汪莉  陈受惠 《分析化学》2022,50(3):356-364
基于5,10,15,20-四(4-氨基苯)卟啉(TAPP)和对苯二甲醛(TPAL)间的胺醛缩合反应,合成了一种卟啉基共价有机框架材料(TAPP-TPAL-COF).此材料呈多孔二维片层状,具有四边形拓扑结构和平面共轭π键.TAPP-TPAL-COF上丰富的π键可与玻碳电极(GCE)表面发生π-π共轭作用,被稳定地固载于...  相似文献   
60.
用INDO系列方法对苯甲酰苯胺激发态质子转移反应进行了理论研究, 求得了基态和激发态反应的位能面、势垒过渡态和荧光位移。对整个反应的机理和应用前景进行了探讨, 有关化合物的光谱与实验结果较好地符合。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号