关于“厄米特矩阵乘积的迹及其应用”一文的注记

本文改进[1]的主要结果,并指出了一些错误。     

近垒及垒下12C+93Nb的蒸发剩余核截面

使用离线γ测量技术在实验室系28.3MeV至45.7MeV的能区首次测量了¹²C+⁹³Nb反应产生的8个核素及同质异能态的激发函数.使用包括非弹性激发和α转移道的简单耦合道模型,结合统计蒸发程序对实验结果进行拟合.计算结果能较好地重现强截面的中子蒸发道(xn)的激发函数.而对于弱的质子(xpyn)特别是α粒子(xαyn)蒸发道的截面,实验测量明显高于模型计算结果.α转移道与入射道耦合作为熔合反应的门庭态使垒下能区重离子熔合截面有很大的加强,实验测量与理论计算的比较表明对于¹²C+⁹³Nb反应系统在垒下能区可能存在着很强的α转移截面.     

在Bi(2223)/Ag带中产生Ic不可逆的原因及其修正

测量了Bi(2223)/Ag带材在各种强磁场取向下的超导临界电流(I_c),I_c的大小和磁场的历史有关.这一现象可用超导体内钉扎中心的和超导颗粒之间的有效场H_eff的不可逆性来解释.H_eff的不可逆性来源于高温超导体内部在外磁场变化时存在的感应持续电流和屏蔽持续电流.如果把对应于同一临界电流的两个外场(H_ap)的平均值,定义为有效磁场(H_eff),那么H_ap与H_eff之间存在线性关系:H_eff=α+βH_ap.α,β值从实验数据得出后,用H_eff取代H_ap,便可得到修正的I_c(H)曲线.     

关于广义特征值的一个Wielandt型定理

Wielandt引理对于矩阵特征值的估算十分重要。本文利用经济分析中常用的特殊矩阵的相关性质 ,在 Wielandt引理的基础上 ,针对广义特征值问题证明了一个更加复杂的 Wielandt型定理。     

大气光象的理论概况

 大气中的光学现象(如虹、宝光、蜃景、日(月)晕、华、极光等),绚丽多姿,引人人胜。大气光学现象(以下简称大气光象)是物理学,大气光学和气象学的重要研究内容。大气光学在国外是一个非常活跃的研究领域,大气光象也受到相当的重视,美国的《J．Opt．Soc．Am·A》、《Appl．Opt》和《J．Atmos．Sci》等刊物,经常发表这方面的研究论文。     

Corosion Potential Imagingat the InterfaceofCoating／MetalbyaNewElectrochemicalTechnique

在绝大多数环境下，聚合物／金属界面的腐蚀破坏的本质是电化学过程，因此，不少电化学技术，包括直流稳态技术和交流阻抗技术等被广泛用于研究金属／聚合物界面的腐蚀破坏机制，评测有机涂层的耐蚀性能．然而，由于聚合物／金属界面腐蚀破坏的“闭塞”条件和聚合物膜层的高绝缘性，传统的电化学方法均不能直接获得聚合物／金属界面二维空间的腐蚀电位分布，难以直接研究聚合物／金属界面的腐蚀破坏过程及相关的影响因素．聚合物／金属界面腐蚀电位的测量有助于研究聚合物／金属等复合材料界面腐蚀破坏机理，评测有机聚合物涂覆层的耐蚀性能．本文提出一种微计算机控制的阵列电极技术，用于原位测量金属／聚合物界面电位分布．首次建立了８×８阵列电极和微机控制的阵列电极测量系统，可直接测量聚合物／金属界面腐蚀电位的二维分布．由此可深入研究有关腐蚀物种在聚合物相内传输过程，聚合物涂层的不均一性及缺陷分布，以及聚合物／金属界面腐蚀的发生、发展机制．应用阵列电极技术首次在原位获得聚合物涂层的缺陷分布及不均一性，并考查了聚合物涂层缺陷对诱导聚合物／金属界面腐蚀破坏的关系．阵列电极技术还首次提供了在聚合物／金属界面腐蚀破坏发展过程中阴、阳极同时存在，共同发展的直接的     

一道中考题带给我的多种想法

<正>2014年济宁中考第8题"如果二次函数y=ax²+bx+c的图像与x轴有两个公共点,那么一元二次方程ax2+bx+c=0有两个不相等的根."请根据你对这句话的理解,解决下面的问题:若m、n(m相似文献   

强广义上(下)半连续多值映射

利用强广义开集引入强广义上(下)半连续多值映射等概念,讨论了其等价条件,并研究了它们的各种性质。     

矩阵对角化方法的再探讨

引言文 [1 ]— [3]对矩阵对角化方法的简化问题进行了讨论 ,给出了简便易行的判定和求法 .区别于传统的方法 ,文 [1 ]和 [2 ]把问题归结为矩阵的乘法运算 ,文 [3]则在特殊情形下把问题归结为求特征值与特征向量同步求解 .后者收到了判定和求解一体化的效果 .这种同步操作的思想已在文 [4]和 [5]中见到 ,但均未做到一步成功 .本文对此作进一步探讨 ,一方面改进了 [4]和 [5]的方法 ,使同步求解一步到位 ;另一方面较容易地得到矩阵对角化的十分简单的判定方法 ,以致于判定和求解都是从最终的λ—矩阵中“读”出来的 .其主要依据是以下两个定…