L—M法置信下限的渐近特性

本文讨论了具有两个串联元件的系统,设系统的可靠性为R,讨论了R的L-M法置信下限的渐近特性。还证明了当置信水平1-α≥1/2时,■_(LM)与常用的最优单调置信下限■_0是渐近等价的。     

硅体中磷反应扩散系统解的整体存在性及渐近性

本文用上下解方法，研究了一类带混合非齐次边界条件的化学反应──硅体中磷反应扩散系统，采用避开△的特征函数构造上下解的方法，得到一类充分条件，以使其整体解渐近趋向于Ｓｔｅａｄｙ－ｓｔａｔｅ解．     

非共振多参数脉冲奇异边值问题的多解性

该文讨论了非共振奇异脉冲多参数二阶微分方程边值问题的多个正解的存在性,利用上下解方法和不动点指数给出了多个正解存在的一个充分条件．     

基于截断删失数据乘积限估计的一些逼近定理

本文证明了由Ｔｓａｉ等［２］所定义的基于截断删失数据乘积限估计可被一Ｕ—统计量以足够的精度逼近，以至由该Ｕ—统计量的ＢｅｒｙＥｓｅｎ定理可得此乘积限估计的ＢｅｒｙＥｓｓｅｎ不等式．此外，应用Ｇｉｂｊｅｌｓ等人［１，定理１（Ｃ）］的有关结果，得到了此处乘积限估计误差的ｒ（＞１）阶绝对矩不等式和泛函型重对数律     

拓扑向量空间中带上下界均衡问题解的存在性

主要研究了拓扑空间上的带上下界均衡问题和带限制条件的上下界均衡问题解的存在性.在非凸集上借助转移紧闭值等有关概念研究其相应均衡问题解的存在性,与一些作者的研究思路较为不同,得到了相应均衡问题解的存在条件,推广了一些作者在凸集上研究的相应结果,并且为相应均衡问题研究提供了一个新的视角.     

双侧加权广义逆的上确界和稳定性

本文利用矩阵A ∈C_r~(m×n)可表示为其所有r×r非奇异子矩阵的逆的凸线性组合,推导出双侧加权广义逆的上确界,并讨论这些上确界稳定的充分和必要条件.     

含有机硅三元多嵌段共聚物的研究──Ⅱ．（PSF－PDMS－PHS）_n的动态力学性能研究

以双酚Ａ聚砜（ＰＳＦ）为硬段、聚对羟基苯乙烯（ＰＨＳ）为半硬段、聚二甲基硅氧烷（ＰＤＭＳ）为软段合成了三元多嵌段共聚物，并对其动态力学性能和抗张性能进行了比较详细的研究，结果表明该三元多嵌段共聚物为多相结构；在引入半硬段ＰＨＳ后两相间的界面相增宽，粘接力增大，其强度和模量高且稳定，使含有机硅高分子材料强度低的弱点得以改善。扭辩分析（ＴＢＡ）结果显示，这种三元多嵌段共聚物具有多重转变，且在－２０℃至５０℃间有两个较大的几乎重叠的吸收峰；这表明这种三元多嵌段共聚物的相分离结构较为复杂，并有良好的阻尼性能。     

B-Nekrasov矩阵线性互补问题最优误差界的进一步研究

进一步研究B-Nekrasov矩阵线性互补问题含有参数的误差界的最优值问题,利用函数的单调性,得到在给定条件下该误差界的最优值,并用数值算例验证了所得结果.     

非共振奇异Dirichlet过值问题的正解

本文利用上下解方法和不动点定理给出了非共振奇异Dirichlet边值问题有C［0,1］和C1［O,1］正解存在的充要条件．