程大位故居资料拾遗

今年适我国明代伟大数学家、珠算家及教育家程大位巨《算法统宗》成书４１０周年之际，我于２００２年８月３日专程前往程大位故乡，安徽黄山市屯溪区前园率口渠东５号拜谒了程大位故居，并有幸访问了世居故宅的程大位十一世孙程庆圻同志。了解到有关程大位故宅及墓葬等至今鲜为人知的珍贵史料。鉴于目前研究程大位资料少，而１９８６年９月中日两国学在屯溪召开纪念馆程大位逝世３８０周年学术会议时，会前某些会务事项程氏后裔有未参加，故有关资料仍有缺漏，今依程永圻同志亲自口述，作一番补遗。     

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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

一个新的四维混沌系统理论分析与电路实现

分析了一个新的复杂的四维混沌系统的基本特性，该系统每个方程中包含一个三次交叉乘积项，共有9个平衡点，它们相对于原点和坐标轴具有完美的对称性，并且相对于线性特性和不变流形具有很好的相似性.描述了两个同时共存的对称双翼吸引子.最后，设计了一个模拟电路来实现这个新的四维混沌系统，表明数值仿真和电路实现具有很好的一致性，同时说明在应用上由于频率不同导致的仿真与物理实现之间的重要区别. 关键词： 四维混沌系统 Lyapunov 指数 共存双翼吸引子 电路实现     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

关于广义四元数代数上矩阵的迹的一个等式

众所周知,相似矩阵的迹相等对于非交换代数和环上的矩阵不一定成立,有趣的问题是给定一个条件使得相似矩阵的迹相等对于非交换代数或非交换环上的矩阵成立。本文对于特征不是2的任意域F上定义的广义四元数代数上的两个矩阵A和B,给出如果A和B相似并且它们的主对角线上的元素在F中,那么它们的迹相等。     

偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究

用皮秒Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的倍频光（５３２ｎｍ）对具有离域π－共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给，测得三阶非线性电极化率ｘ＾（３）和它们的时间响应分别为１０＾－９ｅｓｕ和２０ｐｓ，并对影响ｘ＾（３）的瞬时光栅作用和ｘ＾（３）的响应时间人了讨论。     

环上矩阵的分解

将复数域及四元数体上矩阵的积因子分解推广到上矩阵，并指出[1]中的定理2的证明是错误的，由此可知[1]中定理2的结论不成立。     

1，4－二氟四苯基苯的合成、结构与构象

借助电子转移催化反应的方法，用电子给予体１，４－二锂四苯基丁二烯将惰性的三溴氟甲烷活化，并与之发生反应，产物１，４－二氟四苯基苯的结构经ＭＳ、ＮＭＲ和Ｘ射线单晶衍射确证，并以分子力学的方法对其进行了构象分析。     

《数术记遗》中的算器研究（一）

《数术记遗》旧题汉徐岳撰，北周甄鸾注。唐代选举之制，学习《算经十书》外，兼习此书。《四库全书》提要认为当时好事因托为之，嫁名於岳。钱宝琮先生认为是甄鸾依托伪造的书。近有人提出反对，认为确为汉末作。关于作年代，另外详考。此处只对书中所载的十三种算器进行研究。