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101.
1,2,1',2'-双蒽醌-3,12-二羧酸(1)是一个π-共轭体系芳环化合物,内环酮基由于受空间效应和共振效应的影响,不能被还原成相应的醇或相应的碳氢基团,却成了不常见的内“双氧桥”化合物(4)。化合物2,3,4的结构已经确定,并对1的还原机理进行了初步讨论。 相似文献
102.
FuZhengWANG 《数学学报(英文版)》2003,19(1):89-96
Let E/K be an elliptic curve with K-rational p-torsion points.The p-Selmer group of E is described by the image of a map λk and hence an upper bound of its order is given in terms of the class numbers of the S-ideal class group of K and the p-division field of E. 相似文献
103.
BaoShanWANG JiPingZHANG 《数学学报(英文版)》2003,19(1):29-34
In this paper,we shall mainly study the p-solvable finite group in terms of p-local rank,and a group theoretic characterization will be given of finite p-solvabel groups with p-local rank two.Theorem A Let G be a finite p-solvable group with p-local rank plr(G)=2 and Op(G)=1.If P is a Sylow p-subgrounp of G,then P has a normal subgroup Q such that P/Q is cyclic or a generalized quaternion 2-group and the p-rank of Q is at most two.Theorem B Let G be a finite p-solvable group with Op(G)=1.Then the p-length lp(G)≤plr(G);if in addition plr(G)=lp (G) and p≥5 is odd,then plr(G)=0 or 1. 相似文献
104.
105.
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
关键词:
氮化铟
p型掺杂
电子结构
第一性原理 相似文献
106.
用Bogoliubov-de Gennes方程来研究量子线/绝缘层/p波超导体结(q/I/p)中的准粒子输运过程,利用推广的Blonder,Tinkham和Klapwijk模型计算绝对零度和有限温度下q/I/p的一级谐波隧道谱.和量子线/绝缘层/d波超导体结的一级谐波隧道谱不同的是q/I/p的一级谐波隧道谱中存在零偏压电导峰.随着q/I/p中绝缘层的势垒散射增强,q/I/p的一级谐波隧道谱中零偏压电导峰变高. 相似文献
107.
采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用. 相似文献
108.
109.
110.