基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程。在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果。最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果。     

累积放电模型及其符号动力学研究

基于累积释放模型提出了一种累积放电模型.相比于累积释放模型, 累积放电模型无须变化的阈值调制, 即可出现多种状态, 例如混沌态、锁频等. 利用符号动力学对其进行研究, 发现在一定的参数条件下, 模型的输出符号序列可以被用于监测模型参数的变化, 而且与神经系统的测量相似, 都具有很高的分辨率. 计算机仿真和电路实验得到的结果也验证了上述说法. 电路实验结果显示模型的输出符号序列对输入频率的分辨率最高可以达到0.05 Hz, 对电流幅值的分辨率可达到1 μA, 并且都具有很大的动态范围. 关键词： 符号动力学 混沌 累积释放模型 非线性电路     

基于阻抗模拟的等效电磁参数研究

为能够较好的计算混合介质等效复介电常数和复磁导率, 提出了一种基于等效电路理论的阻抗模拟方法.导出了材料的电磁参数与材料容抗、感抗之间的对应关系, 并建立了能够较完整、精确地刻画实际复合材料的模型.通过求解混合介质的等效阻抗, 进一步反演其等效电磁参数.将计算结果与经典理论公式以及基于有限差分的数值方法进行了比较, 结果都符合得很好, 说明该方法可以用于计算材料的等效电磁参数.另外, 引入薄膜层结构来刻画表面效应等因素, 使得计算结果更加符合实验结果, 弥补了经典公式在这方面的不足, 同时也体现了该方法在刻画实际模型时所具有的优势. 关键词： 等效电磁参数 阻抗模拟 等效电路 混合介质     

一个跃变电路切换系统的振荡行为及分岔机理分析

本文研究两个非线性电路系统通过开关组成的时间切换系统的复杂振荡行为及其产生机理.利用开环运算放大器放大倍数为极大值的特性,即运算放大器总是处于正的或负的饱和状态,当输入电压从负过零变正时,输出电压从正饱和状态跃变为负饱和状态,本文选择子电路系统中的非线性部分为跃变函数.首先对两个子系统进行了稳定性分析,给出了不同参数条件下的振荡行为,然后在子系统单个参数在一定范围内变化,而其他参数保持不变的情况下,研究了切换系统的复杂振荡特征,并分析了其产生机理.由于子系统方程的非光滑性和切换带来的整个系统的非光滑性,使得整个系统的周期振荡轨迹有四个切换点,随着参数的变化,周期振荡轨线与非光滑分界面发生擦边分岔,导致周期振荡分裂成两个对称的周期振荡.并且研究了切换点位置改变对整个系统周期振荡行为的影响以及切换点处的分岔机理.     

二维辉钼材料及器件研究进展

经过几十年的发展, 集成电路的特征尺寸将在10–15年内达到其物理极限, 替代材料的研究迫在眉睫. 石墨烯曾被寄予厚望, 但由于其缺乏带隙限制了在数字电路领域的应用. 近年来, 单层及多层辉钼材料由于具有优异的半导体性能, 有可能超过石墨烯成为硅的替代者而引起了微纳电子领域的广泛关注. 本文对近二年国际上辉钼半导体器件研制、辉钼半导体材料的性能 表征及制备方法研究等方面的进展进行了综述, 并对大面积单层材料的研制提出了值得关注的方向. 关键词： 2')" href="#">MoS₂ 辉钼材料 纳米材料 集成电路     

Some properties of horn equation model of ultrasonic system vibration and of transfer matrix and equivalent circuit methods of its solution

Traditional technique of horn equation solved by transfer matrices as a model of vibration of ultrasonic systems consisting of sectional transducer, horn and load is discussed. Expression of vibration modes as a ratio of solutions of two Schrödinger equations gives better insight to the structure of a transfer matrix and properties of amplitudes of displacement and strain, and enables more systematic search for analytic solutions. Incorrectness of impedance matrix method and of equivalent circuit method on one hand and correctness and advantages of transfer matrix method in avoiding numerical artifacts and revealing the real features of the model on the other hand are demonstrated on examples. Discontinuous dependence of the nth resonant value on parameters of ultrasonic system, recently described in Sturm–Liouville theory, and consequently, a jump from half-wave to full-wave mode, is observed in a transducer model.     

纳米压印工艺制作DFB激光器的可靠性研究

利用光荧光谱及X射线双晶衍射研究了纳米压印工艺对半导体外延材料的影响。利用纳米压印工艺制作了1.55μm通信用分布反馈(DFB)半导体激光器,并对制作的器件进行了老化寿命试验。实验结果表明,采用软模版压印并不会劣化半导体外延材料的特性。制作的半导体激光器预期寿命与普通双光束曝光法制得的器件预期相当,表明纳米压印工艺制作半导体激光器是可靠的。     

HL-2Mװ��LHCDϵͳ3.7GHz΢������Դ���

介绍了HL-2M装置低混杂波系统中3.7GHz微波激励源的设计。微波激励源设计为模块化形式,由3.7GHz点频固态源单元、功率分配器单元、功率放大器单元和现场控制器单元等组成。微波激励源有8路输出端口,每个端口的输出功率在0~10W范围内连续可调,并可以实现远程控制输出功率;采用取样鉴相锁相环技术使微波输出信号具有相位噪声低、频率稳定度高、杂散抑制好等优点。频偏1kHz时,相位噪声是-115dBc/Hz,频偏10kHz时,相位噪声是-117dBc/Hz,频偏100kHz时,相位噪声是-122dBc/Hz;输出频率稳定度≤0.03ppm/30min;杂散抑制≤-80dBc。     

RL-C并联电路阻抗最大值的讨论

讨论了RL-C并联电路阻抗值随电感、电容,以及电源频率变化的关系,给出了3种情况下最大阻抗值和谐振时的阻抗值,论证了调节电源频率或电感达到谐振时,其阻抗模并非最大值.     

Some Aspects of Current Interruption Physics in High Voltage Circuit Breakers

Recent results of experimental and theoretical investigations on current interruption processes are presented with a focus on SF₆ high voltage circuit breakers. Various aspects of thermal interruption at the zero crossing of the current are shown, including the scatter and the distribution of arc voltage shortly before CZ and the role of turbulence. The thermal interruption capability of air and CO₂ are compared to that of SF₆. Investigations on the dielectric recovery are shown for SF₆ and CO₂. The breakdown voltage during the dielectric recovery can be described by simple streamer and leader inception models. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)