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911.
912.
We consider the relationship between the spectral properties of linear relations (multivalued linear operators) on real Banach spaces and their complexifications. 相似文献
913.
硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状 总被引:4,自引:0,他引:4
随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的。当栅极Si02介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,Si02将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high—K)的氧化物材料来代替它。如今世界上许多国家都开展了替代Si02的介电氧化物材料的研究工作。文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极Si02介电层的高尺氧化物材料的要求和租选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述。 相似文献
914.
WY-1A型万用表实验仪的设计与制作 总被引:2,自引:0,他引:2
阐述了自制WY-1A型万用表实验仪的电路设计原理、计算公式及组装技术。 相似文献
915.
通过构造一个转折点值α可变的三分段线性奇函数,研究一种新型混沌产生器.这种混沌产生器的主要特征是,随着转折点值α在0<α≤1范围内变化时,系统从倍周期分岔进 入混沌状态,可产生双层单螺旋、单层单螺旋、双层双螺旋和单层双螺旋四种不同类型的混沌吸引子,其中双层单螺旋和双层双螺旋为本电路实验中所发现的两类新型混沌吸引子.分析了这种混沌产 生器随α值在0<α≤1范围内变化时的分岔图、李雅普诺夫指数谱、最大李雅普诺夫指 数λ_max以及单层双螺旋和双层双螺旋的功率谱.在此基础上设计硬件电路,进行了计算机模拟和电路实
关键词:
混沌产生器
双层双螺旋
双层单螺旋
电路实验 相似文献
916.
压缩真空态的激发态及其在非耗散介观含源电路的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
借助逆算符的性质,提出了压缩真空态激发态的概念,作为应用,导出了非耗散介观含源电路在该激发态下其电荷和电流的量子零点涨落,数值计算表明,在不同的激发量子数下,电荷和电流均存在压缩效应,它们的不确定度之积分别趋向于一个最小值。 相似文献
917.
918.
本文纠正了RC实验中普遍存在的测量和计算错误。介绍了RC串联电路充放电过程正确测量和计算电容两端的电压。 相似文献
919.
920.
Some new fixed point and coupled fixed point theorems for multivalued increasing type mappings are obtained and a new system of multivalued generalized order complementarity problems is introduced in this paper. In terms of new fixed point and coupled fixed point theorems, we give some existance results of solutions for this new system of multivalued generalized order complementarity problems. The results presented in this paper extend and improve the corresponding results announced by Isac and Kostreva. 相似文献