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太赫兹光谱是物质识别的前沿方法之一。由于不同物质的分子组成或结构各异,许多物质的太赫兹吸收谱会在特定频率上出现吸收峰,可以作为混合物成分检测的重要特征。有效准确地提取这些吸收峰的参数,是提高识别率的关键。多峰拟合算法将光谱曲线拟合成若干个标准峰函数之和,能够同时提取到吸收峰的频率、峰高、峰宽等信息。但是该算法以寻峰算法结果为基础确定吸收峰的大致位置和数量,寻峰结果不一定是最优的拟合结果,而且很难准确识别定位混叠状态的吸收峰。为了提高混叠光谱中吸收峰的识别定位精度,提出以大幅度平滑后的曲线波谷为分界点,将预处理后的光谱分成若干个子区间。然后将子区间组合起来进行多峰拟合,通过遗传算法得到最优的拟合子区间组合和吸收峰频率近似值,拟合时每个子区间中通过峰数递增最优化方法确定拟合的吸收峰数,最后微调优化得到最优的吸收峰频率、峰高值。为了实现物质的识别,通过密度聚类算法得到同一类纯净物在多次测量中的共同吸收峰,以此作为标准数据,通过提出的基于吸收峰特征的光谱匹配算法实现了纯净物和不同含量混合物的快速识别。对10类纯净物的实际光谱数据进行拟合聚类,得到其吸收峰参数,结果与太赫兹光谱数据库一致。通过识别算法对纯净物测试集进行识别的识别率为100%,证明了特征提取和物质识别算法的有效性。对于含有混叠峰的混合物光谱,二阶导数法对葡萄糖-乳糖混合物光谱中被掩盖吸收峰(1.280 THz)的识别率仅为70%,提取到的频率平均值为1.316 THz;而该算法提高识别率至95%,频率平均值为1.281 THz,该算法提高了对混叠峰的分辨能力,能够精确定位混叠峰。对10类纯净物构成的6类不同程度混叠的二元混合物前二、三识别率分别达到90.8%和98.3%,提取到的特征能够有效应用于混合物的成分检测。该算法能够以纯净物数据为标准数据实现成分各异的混合物成分检测,对于太赫兹光谱混合物成分检测有重要意义。 相似文献
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荧光光纤光栅传感特性的实验研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在载氢掺铒光纤上写入Bragg光纤光栅,得到新型光子学器件-荧光光纤光栅.分别对其Bragg波长(λB)及荧光寿命(τ)的温度(T)及应变(ε)响应特性进行了实验研究,并且给出了λB和τ分别关于(T,ε)的拟合方程.实验结果表明:荧光光纤光栅的λB对T和ε的响应具备一般Bragg光纤光栅的优良特性,测得温度灵敏度为11.1pm /℃,应变灵敏度为1.19pm/με;而且τ对T和ε的响应也具有良好的线性关系,温度灵敏度为0.59 μs/℃,应变灵敏度为6.16 ns/με.实验结论为解决温度应力交叉敏感、实现温度应力的同时监测提供一条新颖的途径. 相似文献
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将双极性半导体钝化膜空间电荷电容等效为钝化膜/溶液界面处电容和内层钝化膜/外层钝化膜界面处的np结电容的串联, 根据前期研究建立的半导体富集态、耗尽态以及反型态空间电荷电容的统一计算公式, 给出了双极性钝化膜Mott-Schottky(M-S)曲线的非线性拟合方法. 并将这一方法应用于镍基合金G3高温高压H2S/CO2腐蚀后的钝化膜半导体特征研究. M-S曲线非线性拟合结果显示, 温度升高外层p型半导体钝化膜多数载流子浓度明显增高, 而内层n型半导体钝化膜的多数载流子浓度基本未变. 通过非线性拟合, 证明本文所给出的M-S曲线非线性拟合方法能够同时给出钝化膜内外层多个半导体性质参数,为揭示钝化膜形成及破坏机制提供更多信息. 结合X射线光电子能谱(XPS)分析, 讨论了钝化膜结构变化机制及np结在抑制腐蚀过程中的作用. 相似文献
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The characterization of buried interfaces is difficult and often has to be performed by a post‐processing method where the interface is exposed. Hard energy X‐ray photoelectron spectroscopy offers the ability to tune the X‐ray energy and thereby change the information depth. In this work, an inorganic/organic interface was evaluated, namely the poly(3‐hexylthiophene) (P3HT) interface with indium tin oxide (ITO), with relevance to organic photovoltaic devices. P3HT/ITO buried interfaces were examined using three X‐ray energies where the ITO surface was prepared under different pretreatment conditions. The P3HT film protected the ITO surface from adventitious adsorbents and allowed for sensitivity to the buried ITO surface. Robust peak fitting parameters were obtained to model the O 1 s and In 3d lineshapes. The deconvolution of these lineshapes allowed for the clear identification of a surface layer on the ITO which is oxidized to a greater extent than the underlying bulk ITO. The surface oxide layer, composed of indium oxide and indium hydroxide, is deficient of oxygen vacancies and would therefore be expected to act as an insulating barrier on the ITO surface. Peak fitting conditions allowed for an estimation of the relative thicknesses of this insulating layer. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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研究了光致聚合物的光化学反应理论模型及其动力学参量。合成了染料藻红B和亚甲基蓝作为联合光敏剂共同敏化的全息光存储光致聚合物材料。对材料测试分别得到在曝光波长为633 nm与曝光强度为65 mW/cm2时,透射率随曝光条件的变化关系以及材料各光化学参量。结果表明,随着曝光波长与曝光强度的增加,光致聚合物的光化漂白速率常数k与量子产率Φ增大,当曝光强度为65 mW/cm2时透射率在短波长下出现了下降,光化漂白速率常数k出现负值,而摩尔吸收系数ε在条件不同时则表现了不同的变化趋势。 相似文献