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21.
IntroductionIndium-tin-oxide(ITO) has been widely used asthe anode material in organic light-emitting devices(OLEDs) because of its high transmittance in the visi-ble region and low electrical resistivity. In the pastyears, many investigations focused on …  相似文献   
22.
Cyanophenyl as ancillary acceptor to modify donor-acceptor compound,plays an effective role in shifting the emission color to deep red and maintaining the luminescent efficiency.  相似文献   
23.
The synthesis and electronic properties of new linear organic π-conjugated systems incorporating phosphole rings are described. Well defined α,α′-(phosphole-thiophene) oligomers possess low HOMO-LUMO gaps and their optical and electrochemical properties can be tuned via chemical modifications of the P-atoms. The physical properties of these compounds make them valuable materials for OLED’s. The coordination ability of phosphole-based dipoles has been exploited for the synthesis of efficient multipolar NLO-phores. Lastly, phospholes have been used for the synthesis of assemblies exhibiting through-bond interaction between two π-systems via P-P σ-skeletons.  相似文献   
24.
A soluble poly(meta-phenylene)derivative with rigid twisted biphenyl unit was synthesized by the Yamamoto coupling reaction.The polymer is soluble in common organic solvents,and the number-average molecular weight is about 6500.The UV-Vis and quantum chemical calculation indicate that the different conformation segments named "conformers" exist in the polymer backbones;it was also further confirmed by the single crystal X-ray diffraction study of the dimeric model compound.The π-π transition of biphenyl segments of twisted and planar conformations made the polymer exhibit a strong absorption around 256 nm and a weak absorption at about 300 nm.Furthermore,the polymer exhibits a strong UV photoluminescence at 372 nm when the excitation wavelengths are longer than 300 nm.The ultraviolet-emitting electroluminescence(EL)device with the single layer structure shows EL λmax of the derivative at 370 nm.  相似文献   
25.
We have developed efficient synthetic routes to obtain a novel building block spiro[[8H]indeno[2,1-b]thiophene-8,9′-fluorene] (SITF), a monothiophene-containing spirobifluorene analogue, and constructed blue light-emitting materials, including 2′,7′-bis([1,1′-biphenyl]-4-yl)-spiro[indeno[2,1-b]thiophene-8,9′-fluorene] (BBP-SITF) and 2′,7′-bis(9,9′-spirobifluoren-2-yl)spiro[[8H]indeno[2,1-b]-thiophene-8,9′-fluorene] (BSBF-SITF). BSBF-SITF has shown to be a stable blue light-emitting material with high PL quantum efficiency (89%) and unique regioselective feature at the C2 of thiophene, which indicate that BSBF-SITF will be useful for constructing complicated optoelectronic systems.  相似文献   
26.
Perfluoro-1,3,5-tris(p-quaterphenyl)benzene (PF-13Y) and perfluoro-1,3,5-tris(p-quinquephenyl)benzene (PF-16Y) have been synthesized and characterized. They showed higher glass transition temperatures compared with perfluoro-1,3,5-tris(p-terphenyl)benzene (PF-10Y). Organic light-emitting diodes were fabricated using these materials as the electron-transport layers. PF-13Y and -16Y are better electron transporters than PF-10Y. The electron mobilities of PF-10Y and Alq3 were measured by the time-of-flight technique. PF-10Y showed higher electron mobilities (10−4 cm2/V s) and weaker electric field dependence compared with Alq3.  相似文献   
27.
在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。  相似文献   
28.
本文研究了酞菁锌(ZnPc)薄膜的表面形貌及ZnPc薄膜作为缓冲层对有机电致发光器件(OLEDs)光电特性的影响.对比两组样品的AFM图像,ZnPc薄膜相比于ITO薄膜,其表面的岛面积较大,薄膜表面更连续平整,基本上覆盖了ITO膜表面针孔,减少了表面的缺陷.另外,ZnPc薄膜的岛分布均匀有序.使用ZnPc作为缓冲层的器件性能明显好于未使用ZnPc修饰的器件,在7.42V的驱动电压下的最大发光亮度达到1.428kcd/m2,在4.3V电压驱动下时,最大光功率效率为1.411m/W;而未使用缓冲层的器件在8V的驱动电压下达到最大发光亮度达到1.212kcd/m2,在5.5V电压驱动下时,最大光功率效率为0.931m/W.  相似文献   
29.
 皮秒级瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中,对单次高速脉冲进行实时取样。提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡取样门,给出其模型和具体电路设计。电路仿真结果表明,对称的选通设计保证了选通脉宽为100 ps时,取样间隔也为100 ps,取样门带宽为4.4 GHz,可应用于多路超短激光脉冲取样。  相似文献   
30.
王党会  许天旱  王荣  雒设计  姚婷珍 《物理学报》2015,64(5):50701-050701
本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.  相似文献   
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