双折射器件对机载激光雷达偏振探测影响的研究

根据膜层理论给出了机载激光雷达回波信号垂直入射偏振棱镜时偏振平行分量透过率的数学解析表达式,定量分析了偏振棱镜对机载激光雷达回波信号平行分量透过率的影响,理论计算表明：棱镜晶体厚度、空气膜层厚度及棱镜结构角共同影响回波信号通过偏振棱镜的透过率;当回波信号波长为532 nm,利用1/2石英波片测得的偏振平行通道和偏振垂直通道的增益比k为1.2时,机载激光雷达偏振通道增益比k的真实值在1.003～1.463之间,若不考虑1/2波片对k值的影响,会给退偏振比反演带来较大的系统误差.     

一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法

在基于漂移-扩散模型的三维半导体器件数值模拟中,通过有限体积法进行数值离散,采用完全耦合的牛顿迭代求解非线性代数方程组,并使用基于代数多重网格预条件子的GMRES方法求解牛顿迭代中的线性方程组,构造一种稳健且高度可扩展的非结构四面体网格上求解半导体方程的并行算法.基于PHG平台实现该算法的并行计算程序,并对PN结和MOS场效应晶体管等问题进行了最大网格规模达到5亿单元、最大并行规模达到1 024进程的大规模数值模拟实验,结果表明,该算法计算效率高,可扩展性好.     

在不同压力下研究巨磁电阻氧化物的响应特性

本文主要介绍利用自主设计的拉压实验平台对巨磁电阻阻值随外界压力的变化情况进行研究。通过在不同的压力下测量巨磁电阻的伏安特性,得到一些结论,为以后进一步的研究开辟新方法新理念。     

红外探测装置中光谱分光镜的设计与制备

在红外探测装置中,光谱分光镜是用来把3 μm～5 μm和8 μm～12 μm 2个波段的光谱分开的零件.介绍了一种在通用镀膜机上制备光谱分光镜的新工艺.在该膜系的设计过程中,把Willey公式引入到对其平均透过率最高值进行估算的过程中,同时针对国产镀膜机控制精度不高的特点,尽量使用规整膜层进行设计.为了进一步提高8 μm～12 μm波段的透过率,在膜系的最外侧引进了一层自行配制的低折射率氟化物材料,制备出了符合技术指标的红外光谱分光镜.     

基于单相机-双棱镜的小型三维指纹获取系统

提出了一种小型非接触式三维指纹获取系统.该系统采用单个CCD相机作为图像传感器,利用相机镜头结合双棱镜的成像装置在单帧CCD图像上获得立体图像对,再基于立体视觉原理重建三维指纹.整个系统封装后尺寸为12 mm×12 mm×10 mm.基于该系统进行了指纹获取实验,测量的均方根误差为0.022 mm.该系统操作简单且结构紧凑,为三维指纹的获取提供了一种小型化方案.     

基于VISA的PXI设备访问新方法

由于PXI设备的灵活性,在访问过程中需要用户参与到配置过程中。为了方便用户,并增强PXI设备访问的安全性和准确性,避免系统因用户配置问题导致的功能异常,提出了一种基于VISA的以PXI设备串号为基础的设备访问方法。通过将PXI设备的串号信息固化在PXI设备的配置寄存器中,根据设备串号信息自动获得设备资源描述符,进而对设备进行访问。实际应用表明,该方法能够完成对PXI设备的访问,避免了用户的配置过程,实现了PXI设备资源的自动配置,增强了设备访问的安全性和准确性,具有良好的实际应用价值。     

基于MOS-NDR负阻器件的D触发器设计

负阻器件由于在电流 电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NDR及单双稳态转换逻辑单元MOBILE的工作特性,设计了一个时钟上升沿触发的D触发器.采用TSMC 0.18 μm工艺对所设计的电路进行HSPICE仿真,仿真结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能.与基于MOS-NDR负阻器件的同类触发器相比,新设计的D触发器具有更稳健的输出和较强的抗干扰能力     

基于可编程器件的Rijndael加密算法优化实现

本文针对无线传感器网络传感器节点处理能力弱、携带能量低的特点,提出基于Rijndael算法优化的数据加密技术.通过对Rijndael加密算法的数据存储、列混合以及轮变换等特点的分析,提出对于加密算法的优化建议,采用可编程逻辑器件对优化后的加密算法进行设计和实现,并进行加密验证,同时对优化后加密算法的数据处理速率、算法功耗、逻辑资源占用情况进行评估.由实验结果可知,优化后的Rijndael加密算法相比优化之前有很大的突破,能够适用于无线传感器网络的数据加密.     

紫外成像器件光电阴极封接焊料熔层缺陷对气密性的影响

为解决紫外成像器件光电阴极与管体封接漏气问题,对管体InSn合金熔化过程中出现的质量问题进行了深入分析,找出焊料熔层缺陷主要来源于对焊料除气不彻底和基底表面氧化及设备油污染。通过优化工艺参数,改进工艺质量和把化铟设备管体搁置焊料熔化改为浇铸熔化,使管体焊料熔化合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到98%。     

III–V quantum devices and circuits based on nanoscale Schottky gate control of hexagonal quantum wire networks

The concept, the present status, key issues and future prospects of a novel hexagonal binary decision diagram (BDD) quantum circuit approach for III–V quantum large-scale integrated circuits (QLSIs) are presented and discussed. In this approach, the BDD logic circuits are implemented on III–V semiconductor-based hexagonal nanowire networks controlled by nanoscale Schottky gates. The hexagonal BDD QLSIs can operate at delay-power products near the quantum limit in the quantum regime as well as in the many-electron classical regime. To demonstrate the feasibility of the present approach, GaAs Schottky wrap gate (WPG)-based single-electron BDD node devices and their integrated circuits were fabricated and their proper operations were confirmed. Selectively grown InGaAs sub-10 nm quantum wires and their hexagonal networks have been investigated to form high-density hexagonal BDD QLSIs operating in the quantum regime at room temperature.