试探方程法及其在非线性发展方程中的应用

提出了一种比较系统的求解非线性发展方程精确解的新方法, 即试探方程法. 以一个带5阶 导数项的非线性发展方程为例, 利用试探方程法化成初等积分形式，再利用三阶多项式的完 全判别系统求解，由此求得的精确解包括有理函数型解, 孤波解, 三角函数型周期解, 多项 式型Jacobi椭圆函数周期解和分式型Jacobi椭圆函数周期解 关键词： 试探方程法 非线性发展方程 孤波解 Jacobi椭圆函数 周期解     

矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解及其加权最佳逼近

本中,我们讨论了矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解,通过运用广义奇异值分解(GSVD)，获得了解的通式。此外,对于给定矩阵F，也得到了它的加权最佳逼近表达式。     

一类流行病数学模型解的研究

该文讨论了一类非线性抛物型方程组解的性质，利用微分方程上、下解方法证明了初值适当小时，方程存在整体解；初值适当大时，解在有限时间上爆破，推广了文献[1]的结果．     

三阶脉冲线性微分方程解的振动性与渐近性

给出引理解决了方程非振动解与其各阶导数的符号关系，并由此得到了若干判别准则，用于判别三阶线性脉冲微分方程解的振动性与渐近性，举例说明了准则的有效性。本文推广了相关文献的结果。     

电阻的测量方法归类分析

分析历年对电阻测量的高考试题可以现，在考查方式上，已经从教材中实验的考查渐过渡到设计型实验的考查；在考查内容上，经从实物连接、仪器选择的考查逐渐过渡到验原理、电路设计的考查，要求同学们能够灵地从一种实验情景迁移到另一种情景，从而分考查同学们的创新能力．下面就电阻的测量方法进行归纳。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

一类含有P-Laplacian算子的奇异边值问题解的确切个数

讨论了一类p-L ap lac ian算子型的奇异边值问题正解的确切个数以及解的性质.     

Lüroth误差和函数的若干性质

本文研究了Lüroth展式的误差和函数.利用误差和函数的Perron-Frobenius算子,得到其积分值.最后,考察并获得其介值性定理,从而得出其图形是一个分形.     

Soliton Solution of SU（3） Gauge Fields at Finite Temperature

Starting from a soliton model of SU（3） gauge fields, we investigate the behaviour of the model at finite temperature. it is found that colour confinement at zero temperature can be melted away under high temperatures.