ZnSe: Fe2+中的动态Jahn-Teller效应和远红外光谱的研究

推导了3d^4/3d^6离子基态5D在立方晶体场，自旋－轨道耦合和动态Jahn-Teller效应作用下的哈密顿矩阵，并用对角化该哈密顿矩阵的方法研究了Fe^2+在ZnSe中的远红外光谱，理论计算与实验符合得好，研究表明，在ZnSe:Fe^2+中，比晶体场理论分析多出的分裂谱线是Fe^2+与ZnSe晶格间的动态Jahn-Teller效应引起的，还预测了其它Jahn-Teller效应分裂谱，所推导的哈密顿矩阵对研究3d^4/3d^6离子在立方晶体中的精细光谱，电子顺磁共振谱和动态Jahn-Teller分裂都是有用的。     

过渡金属氧化物催化剂上NH3 分解Claus反应机理研究

运用浸渍法制备了七种过渡金属氧化物催化剂 .对于NH3 分解反应均可获得很高的NH3 转化率 ;对于NH3 分解Claus反应则可以获得较高的SO2 转化率和单质硫选择性 .通过比较发现Co3 O4 TiO2 和Fe2 O3 TiO2 催化剂的低温活性比较高 .经过XRD表征发现 ,在NH3 分解Claus反应中 ,催化剂的活性相可能是过渡金属硫化物 .结合活性评价和XRD表征结果提出了NH3 分解Claus反应的机理 .     

Ar2H+ 分子振动光谱的理论计算

基于近期由本组提供的Ar2 H+ 分子的基态势能面 ,应用含时波包演化方法 ,计算了总角动量J =0时的振动光谱 ,并对其中的一些谱峰进行了指认 .与现有的abinitio结果进行比较 ,这个新势能面包含了关于Ar2 H+ 基态的比较正确的信息     

射流式单重态氧发生器研究

单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3～ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140～ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种“多层三明治结构”的光致发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,然后分别在 40 0、6 5 0和 75 0℃退火 1h .在波长为 2 5 0nm的紫外光激发下 ,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在 398nm (3.12eV)处的紫光宽带PL1峰 .在 6 5 0℃退火后 ,又出现了一个在 36 0nm (3.44eV)附近的PL2 峰 .PL1和PL2 峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关 ,但强度却与退火温度和激发波长密切相关 .结合形态结构分析可知 ,紫光PL1峰可用量子限制 -发光中心 (QC LCs)模型进行解释 :即光激发发生在SiO2 微粒内部 ,而光发射源于SiO2 与Si界面上的缺陷中心 .紫外荧光PL2 峰则源自SiC内部的电子 空穴复合发光     

硝基甲烷异构化反应势能面的ab initio研究

在B3LYP/ 6 311++G(2d ,2p)水平上 ,优化得到硝基甲烷CH3 NO2 的 10种异构体和 2 3个异构化反应过渡态 ,并用G2MP2方法进行了单点能计算 .根据计算得到的G2MP2相对能量 ,探讨了CH3 NO2 势能面上异构化反应的微观机理 .研究表明 ,反应初始阶段的CH3 NO2 异构化过程具有较高的能垒 ,其中CH3 NO2 的两个主要异构化反应通道 ,即CH3 NO2 →CH3 ONO和CH3 NO2 →CH2 N(O)OH的活化能分别为 2 70 .3和 2 6 7.8kJ/mol,均高于CH3 NO2的C -N键离解能 .因而 ,从动力学角度考虑 ,CH3 NO2 的异构化反应较为不利 .     

甲醇在纳米TiO2作用下进行光催化氧化反应的机理研究

以纳米TiO2 为催化剂 ,以主波长为 36 4nm的汞灯为光源 ,用气相色谱法分别考察了 0 .1mol/L的甲醇、甲醛和甲酸水溶液进行光催化氧化反应的动力学规律 .Langmuir Hinshelwood方程进行核算结果证明 ,该组反应均为零级反应 .用TEM、XRD、SSA和XPS对催化剂进行表征 .根据XPS的检测结果提出了甲醇光催化氧化的反应机理 .TiO2 光激发活化时间约为 30～ 6 0min ,生成物及剩余反应物浓度随时间变化的曲线表明 ,该反应速率为HCH2 OH 相似文献   

部分相干光束通过硬边光阑的推广光束传输M2因子

给出部分相干光通过硬边光阑后的强度二阶矩的计算公式，由此可得到部分相干光通过硬边光阑后的推广光束传输M^2因子。以部分相干高斯－谢尔模型光束为例，推导出相应的M^2因子，并作了数值计算和分析讨论。     

Monte Carlo study of interfacial silicon suboxide layers and oxidation kinetics

A simple simulation scheme that simultaneously describes the growth kinetics of SiO₂ films at the nanometer scale and the SiO_x/Si interface dynamics (its extent, and spatial/temporal evolution) is presented. The simulation successfully applies to experimental data in the region above and below 10 nm, reproduces the Deal and Grove linear-parabolic law and the oxide growth rate enhancement in the very thin film regime (the so-called anomalous region). According to the simulation, the oxidation is governed mainly by two processes: (a) the formation of a transition suboxide layer and (b) its subsequent drift towards the silicon bulk. We found that it is the superposition of these two processes that produces the crossover from the anomalous oxidation region behavior to the linear-parabolic law.     

Solid-phase epitaxy of CaSi2 on Si(1 1 1) and the Schottky-barrier height of CaSi2/Si(1 1 1)

Thin Ca films were evaporated on Si(1 1 1) under UHV conditions and subsequently annealed in the temperature range 200–650 °C. The interdiffusion of Ca and Si was examined by ex situ Auger depth profiling. In situ monitoring of the Si 2p core-level shift by X-ray photoemission spectroscopy (XPS) was employed to study the silicide formation process. The formation temperature of CaSi₂ films on Si(1 1 1) was found to be about 350 °C. Epitaxial growth takes place at T≥400 °C. The morphology of the films, measured by atomic force microscopy (AFM), was correlated with their crystallinity as analyzed by X-ray diffraction (XRD). According to measurements of temperature-dependent I–V characteristics and internal photoemission the Schottky-barrier height of CaSi₂ on Si(1 1 1) amounts to qΦ_Bn=0.25 eV on n-type and to qΦ_Bp=0.82 eV on p-type silicon.