无约束多目标优化的记忆梯度法

基于无约束单目标记忆梯度法,本文提出了一种无约束多目标优化问题的记忆梯度法,并证明了算法在Armijo线性搜索下的收敛性。数据试验结果验证了该算法的有效性。     

太阳极区冕洞内小尺度结构的紫外光谱研究

SOHO/SUMER太阳紫外光谱仪的N Ⅳ谱线观测到太阳南极区冕洞内存在许多小尺度结构,其空间尺度约1～几角秒,寿命尺度约1～几min。小尺度结构沿狭缝方向呈条状,视向多普勒速度可至几十km·s-1。在有的南极区冕洞区域内,小尺度结构的视向多普勒速度呈红、蓝移准周期性交错分布,持续时间长达100 min。部分小尺度结构在同一观测窗口的高温Ne ⅤⅢ谱线还可清晰显现。有的小尺度结构在Ne ⅤⅢ速度演化图的时间和位置与N Ⅳ 谱线速度图基本一致,但它们在Ne ⅤⅢ速度演化图中更延展和弥散。N Ⅳ紫外光谱显示部分小尺度结构谱线呈现非高斯形状,谱线两翼速度可达150 km·s-1,与太阳过渡区爆发事件的光谱特征相似。太阳过渡区爆发事件常出现在宁静区,SOHO/SUMER太阳紫外光谱仪的N Ⅳ谱线显示在南极区冕洞也可产生爆发事件,且具有较强的动力学特征。     

介质阻挡放电中点线放电的谱线线型及振动温度

在氩气/空气的混合气体近大气压介质阻挡放电中,首次观察到点状与线状放电共存的放电现象, 测量比较了点状与线状放电的谱线频移和振动温度。谱线频移的测量利用的是氩原子ArⅠ(2P₂→1S₅)的发射谱线,振动温度的测量利用的是氮分子第二正带系(C3Π_u→B3Π_g) 的发射谱线。结果表明：点放电中的ArⅠ(2P₂→1S₅)谱线的频移大于线放电谱线的频移,表明前者电子密度较高;而点放电振动温度低于线放电的振动温度。     

Total cross sections for electron scattering from sulfur compounds

The original additivity rule method cannot give good results for electron scattering from SO,SO2,SO2Cl2,SO2ClF,and SO2F2 molecules at low energy,because the electron-molecule scattering is simply reduced to electron-atom scattering.Considering the difference between the bound atom in a molecule and the corresponding free atom,the original additivity rule is revised.With the revised additivity rule,the total cross sections for electron scattering from these molecules are calculated over a wide energy range below 3000 eV and compared with the available experimental and theoretical data.A better agreement between them is obtained.     

基于非关联流动法则的圆形隧洞滑移线解答

圆形隧洞的滑移线方程早在20世纪中期苏联学者已给出解答,并在国内广泛应用．推导过程中假设滑移线与速度矢量方向夹角为45°-φ/2是错误的,理论上滑移线与速度矢量方向的夹角与采用的流动法则有关．该文分别从关联流动法则和非关联流动法则出发,推导了圆形隧洞的滑移线方程和水平方向破裂体深度的表达式．通过与模型试验结果进行对比,对岩土材料应采用基于非关联流动法则的滑移线解答.     

基于改进位移模式的二维有限元线法超收敛算法

提出了基于改进位移模式的二维有限元线法超收敛算法．利用单元内部需满足平衡方程的条件,推导了超收敛计算的解析公式的显式,即将高阶有限元线法解的位移模式用常规有限元线法解的位移模式表示．用常规有限元线法解的位移模式与高阶有限元线法解的位移模式之和构造新的位移模式,基于线性形函数,采用变分形式推导了有限元线法求解的修正的常微分方程组．该算法在前和后处理同时使用超收敛计算公式,在原有试函数的基础上,增加了高阶试函数．使得单元内平衡方程的残差减少,从而达到提高精度的目标．对于二维Poisson方程问题,给出了有代表性的算例,结点和单元内的位移、导数的收敛精度得到了极大的提高．     

硝酸铈铵催化下的烯丙基芳醚选择性碘代和溴代反应

以硝酸铈铵I₂/CAN为反应体系时,当苯环上有给电子基团,碘和硝酸根对烯丙基双键的加成及苯环单碘代产物,收率较好;当苯环连有吸电子基团时,碘和硝酸根对烯丙基双键加成,产率较低.以Br₂/CAN为反应体系时,当苯环上连有给电子基团时,溴对烯丙基碳碳双键加成,苯环上发生了一溴代或二溴代,产率中等;当苯环上连有吸电子基团时,溴对烯丙基碳碳双键加成,产率较高.     

梳状-线性共聚物自组装的耗散粒子动力学模拟

梳状-线性共聚物在选择性溶剂中可以自组装形成两种不同类型的聚集体, 其中第I类的自组装发生在亲、疏溶剂链之间, 而第II类发生在线性链和梳状亚结构之间. 本工作利用耗散粒子动力学方法, 分别研究了梳状-线性共聚物在侧链和主链选择性溶剂中形成的这两类聚集体, 探讨了侧链长度和侧链数量等对聚集体类型及形貌的影响. 研究表明, 第II类聚集体在侧链长度较短且侧链数量较多时容易形成. 将模拟结果与文献报道的实验结果相比较, 发现两者能较好地吻合. 此外, 本研究获得了一些在实验中较难得到的信息, 有助于进一步理解梳状-线性共聚物的自组装行为.     

活性炭脱色对食醋总酸量的影响

研究活性炭脱色对食醋总酸量的影响。以保宁醋稀释10倍为供试品工作液,利用酸碱滴定法采用酸碱指示剂和酸度计同时监测溶液pH的变化确定终点,通过消耗NaOH体积反映对总酸量的影响,监测在450 nm处吸光度的变化反应脱色效果,研究了加入不同活性炭用量和脱色时间对食醋总酸量和脱色效果的影响,同时研究了活性炭脱色对食醋中可能有的几种无色有机酸的酸量的影响。结果表明：只要用活性炭脱色,测定食醋的总酸量总是偏低,活性炭脱色对几种无色有机酸的酸量有不同程度的影响。不能用活性炭脱色后,用指示剂确定终点酸碱滴定法测定食醋的总酸量。     

微电子光致抗蚀剂的发展及应用

光致抗蚀剂,又称光刻胶,是微电子工业中制作大规模和超大规模集成电路不可或缺的核心材料,因其在国民经济和国防建设中具有战略地位而备受研究者关注.本文梳理了光致抗蚀剂从早期的聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-叠氮化合物、近紫外G线(436-nm)和I线(365-nm)酚醛树脂-重氮萘醌类光致抗蚀剂,到深紫外(248-nm和193-nm)、真空紫外(157-nm)光致抗蚀剂,再到极紫外(13.5-nm)、电子束、纳米压印、嵌段共聚物自组装、扫描探针等下一代光刻技术用光致抗蚀剂的发展脉络,综述了其研究进展.重点对深紫外化学增幅型光致抗蚀剂体系进行了总结,包括主体成膜树脂、光产酸剂以及溶解抑制剂、碱性化合物等添加剂,并介绍了下一代光刻技术用光致抗蚀剂的最新研究成果.最后对光致抗蚀剂未来的发展前景和方向进行了展望.