硫化物/Ru(II)络合物复合敏化TiO2纳米多孔膜

用光电化学方法研究了ＣｄＳ,ＰｄＳ和Ｒ１１Ｌ２（ＮＣＳ）２,（Ｌ＝２,２′－ｂｉｐｙｄｉｎｅ－４,４′－ｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃａｃｉｄ）复合敏化ＴｉＯ２纳米晶电极的光电化学行为,结果表明,采用复合敏化比用Ｒ１１（ＩＩ）络合物单独敏化ＴｉＯ２纳米晶电极效果好,大大提高了光电转换效率,主要原因是采用复合敏化,可防止ＴｉＯ２导带上由光注入产生的电子的反向转移,避免了电子的损失。     

一种液晶共聚酯/粘土纳米复合材料的制备及其相转变温度

一些无机微粒被广泛用做聚合物的增强材料,其中特别引起人们注意的是一种粘土,即蒙脱土（ｍｏｎｔｍｏｒｉｌｌｏｎｉｔｅ）．蒙脱土具有层状结构,其特点一是微粒尺寸小,二是可以和多种单体发生插层聚合反应,给出聚合物／蒙脱土纳米复合材料［１～３］．纳米复合材料指的是其基质中分散相的尺寸至少有一维小于１００ｎｍ数量级的复合材料．由于其纳米尺度效应、大的比表面积以及强的界面相互作用,纳米复合材料的物理力学性能优于相同组分常规复合材料．因此,无论从基本理论研究角度还是从应用角度上看,对聚合物纳米复合材料的研究都…     

钙钛矿型复合氧化物纳米粒子的合成及其对一氧化碳氧化的催化性能(英文)

以ＮａｃＯ３－ＮａＯＨ混合溶液作为沉淀剂,采用超临界干燥技术合成了钙钛矿型ＬａＢＯ３（Ｂ：ｃｏ和Ｍｎ）和Ｌａｌ　纳米粒子。所得产品的平均粒径可达约１５ｍｍ,比表面积达３０ｍ２．ｇ－１。研究结果表明,随粒径减小和比表面积增大,ＬａＢＯ３对一氧化碳氧化的催化活性明显增加;ＬａＢＯ３中镧被锶部分取代可显著提高其对一氧化碳氧化的催化活性。     

立方Gd2O3∶Eu纳米晶及光谱性质

用透射电镜拍摄球形ＣＧｄ２Ｏ３∶Ｅｕ纳米晶,并研究了室温下它的激发和发射光谱。结果表明,９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比,其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导,电荷转移带（ＣＴＢ）很弱,而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中,可以忽略纳米效应对Ｅｕ３＋离子的４ｆ４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响     

聚对苯二甲酸乙二酯/蒙脱土纳米复合材料的制备和性能

讨论了聚对苯二甲酸乙二醇酯（ＰＥＴ）／层状硅酸盐（蒙脱土）纳米复合材料的制备技术和新材料的结构与性能特征．天然蒙脱土矿物经有机离子修饰剂处理后,参与ＰＥＴ的缩聚反应．ＴＥＭ测定证实蒙脱土在ＰＥＴ中的层厚分布为３０～５０ｎｍ．蒙脱土不影响ＰＥＴ的分子量及其分布．利用ＤＳＣ、ＷＡＸＤ、ＳＡＬＳ和偏光显微镜测定了ＰＥＴ／蒙脱土的结晶速率和结晶形态,说明ＰＥＴ／蒙脱土有着很快的结晶速率,不能生成球晶结构,一般只能生成结构不完整的微晶体．ＰＥＴ／蒙脱土在工程塑料和工业纤维领域有潜在的应用前景     

纳米二氧化钛分离/富集-石墨原子吸收光谱法测定环境样品中痕量镉

以石墨炉原子吸收(GFAAS)为检测手段,研究了纳米二氧化钛(TiO2,锐钛型)对金属Cd(Ⅱ)的吸附性能,考察了吸附和解吸的主要影响因素.结果表明,在较宽的pH范围内,纳米TiO2对Cd(Ⅱ)具有良好的吸附性能,3.0 mol/L HCl能将所吸附的Cd(Ⅱ)完全洗脱.在优化的实验条件下,具有吸附容量大、吸附速度快的特点.本法的检出限(3σ)为10.6 ng/L;相对标准偏差(RSD)为1.5%,(n=7,C=2.0 μg/L),富集50倍.本法测定标准样品的测定值与参考值吻合.用于土壤类样品中Cd(Ⅱ)的测定,结果令人满意.     

一种纳米蜡乳液的制备及应用研究

研究了一种纳米蜡乳液的制备方法。通过测试证明该体系稳定,得到平均粒径为57.6nm大小的纳米蜡乳液,可代替各种行业中使用的普通蜡乳液,如皮革[1]、纺织[2]、造纸[3][4]等行业·     

Span/Tween混合表面活性剂微乳液制备纳米铁及脱硝研究

研究了以Span 80和Tween 60为混合表面活性剂的微乳液的形成。以电导率及目测法为表征手段,利用正交试验,分析了多因素对W/O型微乳液最大增容水量的影响,探明了该乳液形成的适宜条件。     

以含铬类水滑石型层状化合物为模板制备硫化物半导体纳米晶

采用类水滑石型混合金属氢氧化物(CdCr-LDH和ZnCdCr-LDH)为前驱体, 通过气-固反应方法, 制备了根植于层状氢氧化物层板中的硫化镉纳米晶和硫化镉/硫化锌复合纳米晶, 通过改变前驱体(CdCr-LDH)中镉和铬的摩尔比可以调控硫化镉纳米晶的粒径.     

ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的合成及其光学性质研究

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂, 利用共沉淀法制备了水溶性的Ag掺杂的ZnxCd1-xS合金型纳米晶. Ag掺杂后ZnxCd1-xS纳米晶产生新的发射峰, 并且发光效率得到了有效提高. 通过改变纳米粒子中Zn/Cd比例可有效地调控ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的吸收带隙宽度, 同时可以在425～603 nm之间实现对ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶发射峰位的连续调控.