全文获取类型
收费全文 | 4523篇 |
免费 | 1270篇 |
国内免费 | 3305篇 |
专业分类
化学 | 5146篇 |
晶体学 | 407篇 |
力学 | 462篇 |
综合类 | 141篇 |
数学 | 56篇 |
物理学 | 2886篇 |
出版年
2024年 | 43篇 |
2023年 | 129篇 |
2022年 | 143篇 |
2021年 | 206篇 |
2020年 | 149篇 |
2019年 | 159篇 |
2018年 | 112篇 |
2017年 | 167篇 |
2016年 | 203篇 |
2015年 | 216篇 |
2014年 | 371篇 |
2013年 | 309篇 |
2012年 | 316篇 |
2011年 | 343篇 |
2010年 | 365篇 |
2009年 | 408篇 |
2008年 | 394篇 |
2007年 | 411篇 |
2006年 | 433篇 |
2005年 | 386篇 |
2004年 | 362篇 |
2003年 | 367篇 |
2002年 | 338篇 |
2001年 | 345篇 |
2000年 | 285篇 |
1999年 | 262篇 |
1998年 | 243篇 |
1997年 | 252篇 |
1996年 | 230篇 |
1995年 | 234篇 |
1994年 | 223篇 |
1993年 | 172篇 |
1992年 | 139篇 |
1991年 | 151篇 |
1990年 | 83篇 |
1989年 | 79篇 |
1988年 | 27篇 |
1987年 | 17篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有9098条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
992.
磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成.出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变.该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射.层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在.自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景. 相似文献
993.
纳米材料中的巨磁电阻效应 总被引:41,自引:0,他引:41
纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为1—100nm,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。 相似文献
994.
用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C70单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C70单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C70单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C70 单晶生长形态的影响 相似文献
995.
为了提高反射率,软X射线投影光刻中使用的掩膜是制备在多层膜上的反射式掩膜,由于有微缩光学系统,它有相对较大的特征尺寸;同时由于它是制备在镀有多层膜的较结实基片上,使用中有能力避免软X射线照射引起的掩膜热变形,便于实现高精度的光刻复制。在反射式掩膜技术中,需要着重考虑的是掩膜缺陷修复和降低多层膜的损伤。 相似文献
996.
997.
利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上,分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明, Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构;与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明,Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质.
关键词:
薄膜的磁性质
组织与形貌
界面磁性 相似文献
998.
直流磁控溅射沉积含He钛膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中,He的掺入现象.分析结果表明,大量的He原子(He/Ti原子比高达56%)被均匀地引入到Ti膜中,其He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数,可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现,溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力,这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心,使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加,Ti膜的晶粒尺寸减小,He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大,晶体的无序程度增加.Helium trapping in the Ti films deposited by DC magnetron sputtering with a He/Ar mixture was studied. He atoms with a surprisingly high concentration (He/Ti atomic ratio is as high as 56%)incorporate evenly in deposited film. The trapped amount of He can be controlled by the helium partial amount. The introduction of the helium with no extra damage(or very low damage) can be realized by choosing suitable deposition conditions. It was also found that because of the formation of nanophase Ti film a relative high He flux for bubble formation is needed and the amount of the retain He in sputtering Ti films is much higher than that in the coarse grain Ti films. The nanophase Ti film can accommodate larger concentration of trapped sites to He, which results in a high density and small size of the He bubbles. With the increasing He irradiation flux, the grain size of Ti film decreases and the lattice spacing and width of the X ray diffraction peak increase due to the He introduction, and the film tends to amorphous phase. 相似文献
999.
避开求解波动方程的困难,利用量子统计的方法,直接计算Kerr-Newman-de Sitter黑洞背景下玻色场和费米场的配分函数.然后利用砖墙膜模型计算和讨论黑洞背景下的玻色场和 费米场的熵.
关键词:
量子统计
砖墙膜模型
Kerr-Newman-de Sitter黑洞
统计熵 相似文献
1000.
本文推导并验证了球形汞膜电极倒导数恒电流溶出分析法理论。确定其理论的应用条件为汞膜厚度不超过4.6×10~(-4)cm,探讨了噪音对灵敏度的影响。 相似文献