首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4523篇
  免费   1270篇
  国内免费   3305篇
化学   5146篇
晶体学   407篇
力学   462篇
综合类   141篇
数学   56篇
物理学   2886篇
  2024年   43篇
  2023年   129篇
  2022年   143篇
  2021年   206篇
  2020年   149篇
  2019年   159篇
  2018年   112篇
  2017年   167篇
  2016年   203篇
  2015年   216篇
  2014年   371篇
  2013年   309篇
  2012年   316篇
  2011年   343篇
  2010年   365篇
  2009年   408篇
  2008年   394篇
  2007年   411篇
  2006年   433篇
  2005年   386篇
  2004年   362篇
  2003年   367篇
  2002年   338篇
  2001年   345篇
  2000年   285篇
  1999年   262篇
  1998年   243篇
  1997年   252篇
  1996年   230篇
  1995年   234篇
  1994年   223篇
  1993年   172篇
  1992年   139篇
  1991年   151篇
  1990年   83篇
  1989年   79篇
  1988年   27篇
  1987年   17篇
  1986年   6篇
  1985年   8篇
  1984年   7篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
排序方式: 共有9098条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
周勋  梁冰青  王海  张臻蓉  陈良尧  王荫君 《物理学报》2003,52(10):2616-2621
用磁控溅射法制备了不同Mn含量的PdMn/Co磁性多层膜,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析;测定了不同Mn含量系列样品的磁滞回线、垂直各向异性及磁力显微镜图,分析了饱和磁化强度、磁畴和垂直各向异性变化的原因;通过测定该多层膜体系的克尔谱,简要分析了一定波长下克尔角随Mn含量增加而变化的物理机制. 关键词: 多层膜 磁性 磁光  相似文献   
992.
磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成.出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变.该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射.层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在.自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景.  相似文献   
993.
纳米材料中的巨磁电阻效应   总被引:41,自引:0,他引:41  
都有为 《物理学进展》1997,17(2):180-200
纳米材料是指三维空间尺度中至少有一维处于纳米量级的材料,通常为1—100nm,如纳米微粒,纳米线、管,纳米薄膜或其组合材料,近年来纳米材料中的巨磁电阻效应颇受人们青睐,本文将重点介绍颗粒膜,颗粒合金薄带,非连续多层膜,颗粒—薄膜混合型膜以及磁性隧道结的巨磁电阻效应。  相似文献   
994.
用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C70单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C70单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C70单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C70 单晶生长形态的影响  相似文献   
995.
为了提高反射率,软X射线投影光刻中使用的掩膜是制备在多层膜上的反射式掩膜,由于有微缩光学系统,它有相对较大的特征尺寸;同时由于它是制备在镀有多层膜的较结实基片上,使用中有能力避免软X射线照射引起的掩膜热变形,便于实现高精度的光刻复制。在反射式掩膜技术中,需要着重考虑的是掩膜缺陷修复和降低多层膜的损伤。  相似文献   
996.
吴声  富淑清等 《液晶通讯》1995,3(2):123-128
随着信息技术的发展,对便携式的彩色显示的要求不断增加,彩色液显示器以其轻便、低功耗等优点得到了日益广泛的应用。本文简要介绍了彩色液晶显示的发展,重点介绍了现在广泛全彩色滤光膜的几种制作方法及其优缺点。还介绍了近期在场序方式及反射式彩色液晶显示方面的研究和进展情况。  相似文献   
997.
利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上,分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明, Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构;与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明,Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质. 关键词: 薄膜的磁性质 组织与形貌 界面磁性  相似文献   
998.
直流磁控溅射沉积含He钛膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中,He的掺入现象.分析结果表明,大量的He原子(He/Ti原子比高达56%)被均匀地引入到Ti膜中,其He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数,可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现,溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力,这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心,使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加,Ti膜的晶粒尺寸减小,He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大,晶体的无序程度增加.Helium trapping in the Ti films deposited by DC magnetron sputtering with a He/Ar mixture was studied. He atoms with a surprisingly high concentration (He/Ti atomic ratio is as high as 56%)incorporate evenly in deposited film. The trapped amount of He can be controlled by the helium partial amount. The introduction of the helium with no extra damage(or very low damage) can be realized by choosing suitable deposition conditions. It was also found that because of the formation of nanophase Ti film a relative high He flux for bubble formation is needed and the amount of the retain He in sputtering Ti films is much higher than that in the coarse grain Ti films. The nanophase Ti film can accommodate larger concentration of trapped sites to He, which results in a high density and small size of the He bubbles. With the increasing He irradiation flux, the grain size of Ti film decreases and the lattice spacing and width of the X ray diffraction peak increase due to the He introduction, and the film tends to amorphous phase.  相似文献   
999.
Kerr-Newman-de Sitter黑洞的统计熵   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
李固强 《物理学报》2005,54(7):3005-3008
避开求解波动方程的困难,利用量子统计的方法,直接计算Kerr-Newman-de Sitter黑洞背景下玻色场和费米场的配分函数.然后利用砖墙膜模型计算和讨论黑洞背景下的玻色场和 费米场的熵. 关键词: 量子统计 砖墙膜模型 Kerr-Newman-de Sitter黑洞 统计熵  相似文献   
1000.
本文推导并验证了球形汞膜电极倒导数恒电流溶出分析法理论。确定其理论的应用条件为汞膜厚度不超过4.6×10~(-4)cm,探讨了噪音对灵敏度的影响。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号