船舶电缆虚拟敷设仿真平台的研究与实现

针对船舶电装生产设计中电缆敷设设计复杂繁琐,效率低下的问题,结合实际电缆敷设设计的流程,开发了基于AutoCAD二次开发的船舶电缆虚拟敷设仿真平台。重点对虚拟敷设通道数学模型的建立、交互式图形敷设方式的设计、带限制条件的最短路径算法的实现和电缆通道的仿真进行了详细阐述。电缆虚拟敷设平台的开发已经完成,初步实现了船舶电缆的虚拟敷设。该平台为电装设计人员提供了一种直观,动态的敷设设计方式,简化了电缆敷设设计过程,提高了敷设设计的效率和质量,同时节省了电缆用量。     

基于脉冲形成线充电的脉冲压缩技术

利用脉冲压缩技术,将具有一定初始电压的高阻抗长脉冲形成线对低阻抗短脉冲形成线充电到一定值时,其输出开关导通,在其后的传输线上可以产生高功率短脉冲。给出了脉冲压缩理论分析;前级脉冲驱动源采用GW级纳秒脉冲形成线,其特性阻抗为40Ω、电长度为3.9ns,输出脉冲宽度约8ns;研制了与前级脉冲驱动源匹配的脉冲压缩装置和变阻抗传输线,考虑到脉冲压缩装置低阻抗形成线绝缘击穿和开关导通限制,选取脉压装置形成线特性阻抗6.5Ω、电长度0.5ns。利用GW级纳秒脉冲驱动源开展了脉冲压缩实验,得到了输出功率增益达4倍左右的脉宽1.5ns高功率短脉冲,输出脉冲功率增益与理论值基本相符。     

基于道路堵塞及顾客时间要求的快件配送最优路径选择

针对道路堵塞如节假日导致的临时最短配送路径失效的问题,提出配送网络最优路径选择模型,并设计了求解快递配送网络关键边和最优路径的算法。首先,计算出整个网络的关键边,掌握配送网络特征;其次,考虑顾客时间要求,研究不完全信息(中断无法提前预知,只有到达中断边的起点处才可知)下的最优路径,根据最短路径上各边新的特点,计算出每条边中断后对应的一组备用路径,再选择运输时间小于或等于顾客可等待时间的路径为有效路径,考虑道路堵塞情况,从有效路径中选择最优路径;最后,结合配送网络的实际情况对最优路径进行了算例分析。     

短脉冲强激光驱动磁重联过程的靶后电势分布特征

超短超强激光因其极端的物理参数范围以及可用于研究相对论等离子体等特征,成为当前激光驱动磁重联物理的研究热点.通常采用两路激光与平面靶相互作用实现激光驱动磁重联,然而在实验诊断中,由于激光等离子体自身的复杂性导致很难辨别磁重联的物理特征.本文对两路短脉冲激光驱动平面靶磁重联进行了数值模拟,重点分析了靶后电势分布特征和磁重联之间的关系.模拟结果显示,靶后电势分布可以直接影响被加速离子在探测面上的空间分布,因此可用来直接诊断短脉冲激光驱动磁重联实验.     

截短侧耳素类抗生素Retapamulin的合成工艺改进

截短侧耳素为原料,经14-位侧链末端羟基巯基化制得[(巯基)-乙酸]-妙林(4);4与8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]-3-辛烷醇-甲磺酸酯通过亲核取代反应合成了Retapamulin,其结构经<'1>H NMR和ESI-MS表征.     

跨临界CO2节流短管内相变机理研究

跨临界CO2节流前为超临界流体,节流前后的压差达7.0 MPa,加之其热物性与常规制冷剂明显不同,使得跨临界CO2节流相变过程比常规制冷系统复杂的多。本文以节流短管为研究对象,通过测量节流短管沿程压力、温度分布的方法,分析CO2节流相变过程特点,掌握其相变规律,为进一步理论模型的建立及系统设计提供指导方向。     

S波段速调管双间隙输出腔的设计和实验研究

 介绍了S波段强流相对论速调管放大器(RKA)双间隙输出腔高频系统的设计,并利用3维粒子模拟程序模拟和优化了短脉冲强流相对论调制电子束经过双间隙输出腔后的微波提取。在束压640 kV、束流6 kA、基波调制深度80%的条件下,模拟得到功率为1.1 GW的微波,频率约为2.85 GHz,效率28%。在高频分析和粒子模拟的基础上进行了实验研究,实验中采用束压640 kV、束流6 kA的环行电子束,经过优化调节RKA参数,在中间腔后得到了约4.6 kA的基波调制电流,加上双间隙提取腔后从该RKA获得了频率为2.9 GHz、功率为1 GW、脉宽22 ns的输出微波,束波转换效率26%。     

Rotary dynamics of solitons in radially periodic optical lattices

We investigate the dynamics of strongly localized solitons trapped in remote troughs of radially periodic lattices with Kerr-type self-focusing nonlinearity. The rotary motion of solitons is found to be more stable for larger nonlinear wavenumbers, lower rotating velocity, and shorter radius of the trapping troughs. When the lattice is shrunk or expanded upon propagation, the solitons can be trapped in the original trough and move outward or inward, with their rotating linear velocity inversely proportional to the radius of the trapping troughs.     

基于在线催化-气相色谱/串联质谱技术测定进口氯化石蜡原料中的短链氯化石蜡

采用在线催化-气相色谱/串联质谱技术建立了进口氯化石蜡原料中短链氯化石蜡的测定方法。样品以正己烷为溶剂，固相萃取柱净化分离，采用预先在衬管中填装好催化剂的气相色谱/串联质谱仪进行测定，短链氯化石蜡经催化脱氯加氢后转化为正构烷烃，经DB-5MS UI(30 m×0.25 mm×0.25μm)色谱柱分离，多反应监控(MRM)模式分析检测，内标法定量。还原产物C₁₀～C₁₃直链烷烃线性关系良好，相关系数≥0.9951。C₁₀～C₁₃直链烷烃的方法定量限为0.03～0.05μg/mL,相当于样品中C₁₀～C₁₃的短链氯化石蜡总含量为3.18μg/g。样品加标回收率为87.2%～115.4%,相对标准偏差(RSD,n=6)≤6.5%。本方法具有灵敏度高及准确性好等优点，不需要化学电离源装置的气相色谱/质谱或高分辨气相色谱/质谱即能达到较低的检出限，方法适用于进口氯化石蜡原料中短链氯化石蜡含量的快速测定。     

10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析

随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件等比例缩小至纳米级的较小尺寸,一方面导致的短沟道效应已严重影响热噪声;另一方面使栅、源、漏区及衬底区的热噪声占有比越来越高,而传统热噪声模型主要考虑较大尺寸器件的沟道热噪声,且其模型未考虑到沟道饱和区.本文针对小尺寸纳米级MOSFET器件,并根据器件结构特征和热噪声的基本特性,建立了10 nm器件的热噪声模型,该模型体现沟道区、衬底区及栅、源、漏区,同时考虑到沟道饱和区的热噪声.在模型的基础上,分析沟道热噪声、总热噪声随偏置参量及器件参数之间的关系,验证了沟道饱和区热噪声的存在,并与已有实验结果一致,所得结论有助于提高纳米级小尺寸MOSFET器件的工作效率、寿命及响应速度等.