全文获取类型
收费全文 | 2019篇 |
免费 | 766篇 |
国内免费 | 1084篇 |
专业分类
化学 | 1418篇 |
晶体学 | 120篇 |
力学 | 811篇 |
综合类 | 49篇 |
数学 | 170篇 |
物理学 | 1301篇 |
出版年
2024年 | 30篇 |
2023年 | 109篇 |
2022年 | 152篇 |
2021年 | 140篇 |
2020年 | 107篇 |
2019年 | 115篇 |
2018年 | 78篇 |
2017年 | 80篇 |
2016年 | 95篇 |
2015年 | 125篇 |
2014年 | 174篇 |
2013年 | 158篇 |
2012年 | 138篇 |
2011年 | 142篇 |
2010年 | 140篇 |
2009年 | 174篇 |
2008年 | 165篇 |
2007年 | 154篇 |
2006年 | 159篇 |
2005年 | 130篇 |
2004年 | 143篇 |
2003年 | 128篇 |
2002年 | 96篇 |
2001年 | 133篇 |
2000年 | 91篇 |
1999年 | 81篇 |
1998年 | 81篇 |
1997年 | 81篇 |
1996年 | 76篇 |
1995年 | 73篇 |
1994年 | 72篇 |
1993年 | 40篇 |
1992年 | 58篇 |
1991年 | 59篇 |
1990年 | 29篇 |
1989年 | 37篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 7篇 |
1983年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有3869条查询结果,搜索用时 312 毫秒
31.
半导体异质结界面能带排列的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 相似文献
32.
研究了油/水界面电解的示差半微分循环伏安行为。在0.01mol/L LiCl(w)-0.01mol/L TBATCIPB(nb)体系“电位窗”比TBATPB(nb)向正方向扩展约50mV,残余电流基本消除,使“电位窗”内的平台向左右拓宽约50mV。算得界面电容约为16μF/cm~2。考察了琥珀酰胆碱离子在w/nb界面的传递伏安特性,结果与一般半微分循环伏安法相似。但峰形改善,检测限降低一个数量级(1×10~(-6)mol/L),相对标准偏差在5%以内,可用于定量测定琥珀酰胆碱。 相似文献
33.
用600keV的Kr~ 离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10~(15)-2.5×10~(16)Kr~ /cm~2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10~(16)Kr~ /cm~2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 相似文献
34.
界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理,本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数,可通过递推的方法,从对应于低阶镜像点的应力函数求得,而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大,它与界面的距离也越来越大,因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明,只需考虑前面有限个镜像点,便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数,以求解复杂问题的理论解,也可用作边界元法的基本解,提高数值计算的精度和效率。 相似文献
35.
In this paper, a model of translation gateway is proposed. The communications between IPv4 network and IPv6 network are realized by using the Microsoft intermediate driver technology in environment of Windows 2000. 相似文献
36.
A new two-sided model of vapour-liquid layer system with a deformable interface is proposed. In this model, the vapour recoil effect on the Marangoni-Bénard instability of a thin evaporating liquid layer can be examined only when the interface deflexion is considered. The instability of a liquid layer undergoing steady evaporation induced by the coupling of vapour recoil effect and the Marangoni effect is analysed using a linear stability theory. We modify and develop the Chebyshev-Tau method to solve the instability problem of a deformable interface system by introducing a new equation at interface boundary. New instability behaviour of the system has been found and the self-amplification mechanism between the evaporation flux and the interface deflexion is discussed. 相似文献
37.
38.
We report a new approach for the self-assembly of cuboid micro-parts onto Si substrates to construct three-dimensional microstructures. To perform assembly, the Si substrates are prepared with a deep cavity array as binding sites. An aggregate composed of hundreds of uniformly aligned micro-parts is formed at the C10F18-H2O interface. The micro-parts are arranged by passing the substrate through the aggregate of micro-parts, thus the micro-parts are left on the substrate, and then the substrate is vibrated ultrasonically in the solution, making it possible for the micro-parts to fall into the cavities on the substrate. Finally the substrate is pulled out of the solution after assembly. This technique could give a high yield of up to 70%, providing a new method for micro-assembly. 相似文献
39.
基于界面跟踪方法的汽蚀模型和算法的有效性验证 总被引:1,自引:1,他引:0
针对两相附着汽蚀流动机理,基于界面跟踪方法发展了新的汽蚀模型和算法。所发展的汽蚀模型和算法不仅考虑了液相/气相界面处的压力差,而且考虑了耦合Reynolds-Averaged Navier-Stokes方程求解技术得到的流场压力梯度信息来迭代计算附着汽蚀形状。采用具有试验数据的半球形头部圆柱体汽蚀绕流作为算例来验证所提出的汽蚀模型和算法的有效性。采用不同的网格数和松弛因子数值验证了发展的汽蚀模型和算法的有效性。三种汽蚀数下的数值计算结果得到的压力系数分布与试验数据完全吻合。结果表明所提出的汽蚀模型和算法能够准确模拟出汽蚀发生点和汽蚀长度。 相似文献
40.
为了求解各向异性接合材料界面端部奇异性应力场,建立了一种新型杂交元模型.该模型的独特之处在于:基于有限元特征法得到的奇异性场数值特征解建立了一种新型界面端奇异单元.通过算例证明,新型杂交元模型能够利用较少的单元数获得较为精确的数值结果.当前模型应用范围广泛,能够用于复杂结构的界面端部场求解. 相似文献